FLASH的頁(yè)擦除

FLASH由一系列的頁(yè)組成，每頁(yè)512字節(jié)。FLASHCON寄存器設(shè)置為0x20，F(xiàn)LASHDAT寄存器設(shè)置為0xA5，F(xiàn)LASHADR寄存器可以設(shè)置為要擦除的頁(yè)內(nèi)的任何一個(gè)地址。

如果FLASHADR被設(shè)置為鎖定字節(jié)地址中的任何一個(gè)（0x7DFE或0x7DFF），則該擦除操作將擦除整個(gè)FLASH存儲(chǔ)器，位于0x7E00和0x7FFF之間的保留區(qū)除外。

與讀和寫(xiě)操作不同，在擦除操作完成后FLASHADR并不自動(dòng)加1。

FLASH的字節(jié)寫(xiě)

FLASH的字節(jié)讀

間接讀

讀操作啟動(dòng)一次從由DRAdress選擇的寄存器中讀取數(shù)據(jù)的過(guò)程。該過(guò)程可以通過(guò)向間接寄存器移入兩位來(lái)啟動(dòng)。在讀操作被啟動(dòng)后，可以通過(guò)查詢Busy位來(lái)確定操作何時(shí)完成和何時(shí)可以讀取數(shù)據(jù)。

間接寫(xiě)

寫(xiě)操作啟動(dòng)一次向由DRAddress選擇的寄存器內(nèi)寫(xiě)數(shù)據(jù)的過(guò)程?？梢詫?xiě)長(zhǎng)度不大于18位的任意長(zhǎng)度的寄存器。如果待寫(xiě)寄存器的長(zhǎng)度小于18位，寫(xiě)數(shù)據(jù)（WriteData）應(yīng)左對(duì)齊（MSB占據(jù)位17）。在啟動(dòng)一個(gè)寫(xiě)操作之后，應(yīng)查詢“Busy”位來(lái)確定該操作何時(shí)完成。

FLASH寄存器

FLASHSCL

FLASHSCL是一個(gè)8位寄存器，用它設(shè)置FLASH操作時(shí)序所需要的預(yù)分頻值。當(dāng)使用內(nèi)部的2MHz系統(tǒng)時(shí)鐘時(shí)，該寄存器應(yīng)配置如下：

FLASHCON

FLASHCON是一個(gè)8位寄存器，它控制FLASH邏輯如何響應(yīng)對(duì)FLASHDAT寄存器的讀和寫(xiě)操作。FLASHCON寄存器包含一個(gè)讀方式設(shè)置和一個(gè)寫(xiě)方式設(shè)置。

FLASHDAT

FLASHDAT是一個(gè)10位的寄存器，它包含8位數(shù)據(jù)，一個(gè)FLFail位和一個(gè)FLBusy位，如圖所示：

寫(xiě)FLASHDAT只需要8位，因?yàn)樽詈笠粋€(gè)被鎖存的位處于MSB位置。

讀FLASHDAT只需要11個(gè)DR_SHIFT周期（8個(gè)用于FLData，一個(gè)用于FLFail，一個(gè)用于FLBusy）。

查詢FLBusy至少需要2個(gè)DR_SHIFT周期，一個(gè)用于FLBusy，一個(gè)用于Busy。

FLASHADR

FLASHADR是一個(gè)16位寄存器，它包含待讀或待寫(xiě)的FLASH字節(jié)的地址。

注意點(diǎn)

在對(duì)FLASH進(jìn)行燒錄之前，需要對(duì)器件復(fù)位并禁止看門(mén)狗。否則，看門(mén)狗定時(shí)器可能在FLASH操作期間啟動(dòng)系統(tǒng)復(fù)位，導(dǎo)致預(yù)想不到的后果！