Micro LED技術(shù)何時(shí)才能實(shí)現(xiàn)突破？

LED龍頭廠富采前董事長(zhǎng)李秉杰認(rèn)為，過(guò)去縮小Micro LED芯片就會(huì)遇到的發(fā)光亮度下降問(wèn)題，目前在供應(yīng)鏈齊心協(xié)力下持續(xù)獲得改善，有望在2024年有所突破。

此外，目前已看到虛擬實(shí)境（VR）、擴(kuò)增實(shí)境（AR）等革命性創(chuàng)新技術(shù)，相信未來(lái)產(chǎn)業(yè)界能夠克服挑戰(zhàn)，發(fā)揮在Micro LED領(lǐng)域的潛力。

據(jù)高工LED觀察，今年9月份以來(lái)，Micro LED產(chǎn)業(yè)鏈多個(gè)環(huán)節(jié)在技術(shù)已取得重大進(jìn)展，包括Micro LED芯片、Micro LED封裝、Micro LED設(shè)備以及Micro LED材料技術(shù)等。

01韓國(guó)KOPTI研發(fā)高效Micro LED

韓國(guó)媒體報(bào)道，韓國(guó)光子技術(shù)研究院（KOPTI）宣布成功研發(fā)出高效精細(xì)Micro LED，Micro LED內(nèi)部量子效率均可保持90%的范圍內(nèi)，并且不受芯片尺寸大小和不同的注入電流密度的影響。

這款產(chǎn)品解決了Micro LED因芯片尺寸縮小以及注入電流增加而導(dǎo)致的發(fā)光效率迅速下降的問(wèn)題。KOPTI介紹，本次研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)新結(jié)構(gòu)減輕了外延層中的應(yīng)力，提高了發(fā)光效率，并抑制了Micro LED在任何外部電場(chǎng)或結(jié)構(gòu)下的物理應(yīng)力變化。因此，即使Micro LED尺寸減小，新結(jié)構(gòu)可依舊顯著降低表面非發(fā)光復(fù)合損耗并保持了高發(fā)光效率，且無(wú)需采用鈍化工藝。

KOPTI表示，團(tuán)隊(duì)已成功驗(yàn)證高效精細(xì)Micro LED在藍(lán)光，以及氮化鎵綠光、紅光器件上的應(yīng)用，未來(lái)有望通過(guò)該技術(shù)生產(chǎn)全彩氮化鎵Micro LED顯示器。

02臺(tái)工研院研發(fā)出二合一Micro LED顯示模塊快速檢測(cè)技術(shù)

近日，臺(tái)灣地區(qū)工研院鎖定色彩校正及光學(xué)檢測(cè)兩項(xiàng)核心要點(diǎn)，成功研發(fā)出高準(zhǔn)確性二合一的“Micro LED顯示模塊快速檢測(cè)技術(shù)”，能同時(shí)檢測(cè)色彩及光源角度。

因?yàn)镸icro LED尺寸很小，傳統(tǒng)顯示器量測(cè)設(shè)備鏡頭的相機(jī)像素?zé)o法滿足檢測(cè)需求，臺(tái)灣地區(qū)工研院研發(fā)團(tuán)隊(duì)利用“重復(fù)曝光色彩校正技術(shù)”，以重復(fù)曝光方式達(dá)到Micro LED面板色彩的平衡，并通過(guò)光學(xué)校正技術(shù)分析色彩均勻度，達(dá)到準(zhǔn)確量測(cè)目的。

再來(lái)，Micro LED因材料本身特性，具有較廣的色域范圍以及自發(fā)光特性，進(jìn)而達(dá)到高對(duì)比及廣視角，傳統(tǒng)量測(cè)須靠轉(zhuǎn)動(dòng)儀器收集不同角度光源再進(jìn)行檢測(cè)，臺(tái)灣地區(qū)工研院研發(fā)團(tuán)隊(duì)在既有的光學(xué)量測(cè)機(jī)臺(tái)上，安裝多角度收光鏡頭，通過(guò)一次集結(jié)不同角度的光源，再利用獨(dú)創(chuàng)的軟件分析技術(shù)，使光源同時(shí)呈現(xiàn)在同一個(gè)界面上，達(dá)到定點(diǎn)量測(cè)，大幅減少50%檢測(cè)時(shí)間之外，更成功突破傳統(tǒng)100度光源角度檢測(cè)，擴(kuò)大至約120度。

Micro LED其微型、低功耗及高亮度特性，可將傳感器整合入同一模塊，對(duì)于未來(lái)汽車內(nèi)部，可提供互動(dòng)智慧座艙特性，帶動(dòng)高沈浸的智慧化體驗(yàn)。

03瑞利光研發(fā)可獨(dú)立調(diào)色雙層Micro LED陣列

10月13日消息，由香港城市大學(xué)何志浩（Jr-Hau HE）教授及其衍生公司瑞利光（Rayleigh Vision）領(lǐng)導(dǎo)的微顯示研究團(tuán)隊(duì)在Micro LED技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展，克服了當(dāng)前的Micro LED技術(shù)局限性。

該團(tuán)隊(duì)展示了其疊層發(fā)光單元制造技術(shù)，新推出了雙層Micro LED陣列，每層均可進(jìn)行獨(dú)立調(diào)色。據(jù)悉，該團(tuán)隊(duì)的Micro LED疊層工藝已獲得初步驗(yàn)證，未來(lái)有望研發(fā)出RGB全彩Micro LED產(chǎn)品。

瑞利光表示，這項(xiàng)Micro LED技術(shù)的進(jìn)步，預(yù)計(jì)將使當(dāng)前平面顯示器件的像素密度增加一倍及以上。顯示器件具有高對(duì)比度、高亮度、寬色域、高效率、低功耗、長(zhǎng)壽命等特點(diǎn)，適用于娛樂(lè)、消費(fèi)電子和專業(yè)行業(yè)的廣泛應(yīng)用。

04JBD紅光Micro LED亮度突破100萬(wàn)尼特

近日，Micro LED微顯示器制造商JBD宣布，其自主研發(fā)的0.13英寸Micro LED紅光芯片亮度突破100萬(wàn)尼特大關(guān)。

據(jù)介紹，本次紅光實(shí)現(xiàn)100萬(wàn)nits亮度，得益于JBD在多項(xiàng)技術(shù)上的重大突破，包括在材料生長(zhǎng)技術(shù)、非輻射復(fù)合抑制技術(shù)及光束發(fā)散角控制等方面。

新一代超薄AlGaInP外延技術(shù)和與之匹配的芯片鈍化技術(shù)是紅光Micro LED亮度提升的關(guān)鍵。據(jù)悉，JBD紅光的像素尺寸為4um，而發(fā)光的LED尺寸＜2um，這也對(duì)發(fā)光效率提出了更為苛刻的要求。

在此之前，JBD正式發(fā)布單片全彩垂直堆疊Micro LED微顯示屏Phoenix（鳳凰）系列原型。該系列產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于50°以上FOV光波導(dǎo)方案的AR眼鏡。

05Avicena推出Micro LED基收發(fā)器IC

近日，美國(guó)Micro LED基芯片到芯片光學(xué)互連技術(shù)開發(fā)商Avicena，展示了全球首款采用16nm FinFET CMOS工藝打造的Micro LED基收發(fā)器IC，帶寬達(dá)到1Tbps。

該公司表示，與當(dāng)前基于VCSEL或硅光子的解決方案相比，其基于Micro LED打造的LightBundle通信架構(gòu)技術(shù),可提供更低的功耗和延遲、更高的帶寬和更低的成本。

據(jù)了解，本次Avicena通過(guò)全新16 nm FinFET工藝打造的IC，擁有超過(guò)300個(gè)通道，每個(gè)通過(guò)提供4Gbps帶寬，超過(guò)1Tbps的雙向總帶寬。此外，IC尺寸小于12mm2，包含了光學(xué)發(fā)送和接收陣列電路，以及高速并行電氣接口和各種測(cè)試設(shè)計(jì)、可制造性分析（DFT/DFM）功能。

06ETRI開發(fā)高效Micro LED封裝技術(shù)

9月24日，韓國(guó)電子和電信研究所(ETRI)宣布，開發(fā)出一種新型芯片封裝技術(shù)，可將半導(dǎo)體生產(chǎn)功耗降低95%，新技術(shù)使半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)效率更高且成本更低。

這種新技術(shù)采用了一種名為非導(dǎo)電薄膜(NCF)的新型薄膜材料，由ETRI通過(guò)其自研的納米材料技術(shù)開發(fā)。新技術(shù)的應(yīng)用，將半導(dǎo)體小型芯片封裝工藝從復(fù)雜的九步工序，簡(jiǎn)化為三個(gè)簡(jiǎn)單步驟。

該技術(shù)可適用于包括Micro LED在內(nèi)的所有高端半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)。該研究團(tuán)隊(duì)透露，已有幾家Micro LED開發(fā)商參與評(píng)估該新技術(shù)，并且取得了非常積極的初步測(cè)試成果，該新材料有望在三年內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用。

07國(guó)星實(shí)現(xiàn)7.5微米像素間距的微顯示屏點(diǎn)亮

國(guó)星光電在投資者交流活動(dòng)中表示，目前公司技術(shù)已經(jīng)可實(shí)現(xiàn)7.5微米像素間距的微顯示屏點(diǎn)亮，具有分辨率優(yōu)、功耗更低等特點(diǎn)，可應(yīng)用于智能手機(jī)、微投和AR/VR設(shè)備等多種產(chǎn)品中。

此外，在ALE 2023展會(huì)上，國(guó)星光電還重磅展出萬(wàn)級(jí)像素?cái)?shù)字化大燈Micro LED光源。

據(jù)國(guó)星光電介紹，這款Micro LED光源采用了共晶鍵合技術(shù)，將微米級(jí)Micro LED藍(lán)光芯片陣列整合集成到CMOS控制電路上，實(shí)現(xiàn)了Micro LED陣列中單個(gè)像素獨(dú)立控制。光源通過(guò)搭配高光效白光轉(zhuǎn)換介質(zhì)，可實(shí)現(xiàn)萬(wàn)級(jí)像素高品質(zhì)圖像顯示。

08諾視Micro LED像素垂直堆疊取得重大進(jìn)展

9月12日，Micro LED微顯示芯片公司諾視科技宣布近日成功打通垂直堆疊（VSP）工藝流程，實(shí)現(xiàn)AlGaInP和GaN材料體系的單片集成。

據(jù)介紹，該技術(shù)采用晶圓級(jí)堆疊(WLVSP)技術(shù)方案，在完成AlGaInP紅光微顯示芯片制備后，繼續(xù)堆疊InGaN晶圓材料，可實(shí)現(xiàn)單個(gè)驅(qū)動(dòng)背板上的像素垂直堆疊。

諾視科技表示，這是公司在點(diǎn)亮0.39英寸以及其全球最小的0.12英寸紅、綠、藍(lán)三原色微顯示芯片后，在VSP技術(shù)上的又一突破，在完成全波段布局后，向單片全彩Micro LED微顯示芯片更進(jìn)一步。

09K&S展出雷射Mini/Micro LED芯片轉(zhuǎn)移系統(tǒng)

今年9月，全球打線封裝機(jī)臺(tái)龍頭庫(kù)力索法（K&S）于SEMICON Taiwan 2023首度展示LUMINEX雷射Mini/Micro LED芯片轉(zhuǎn)移系統(tǒng)。

作為雷射Mini/Micro LED芯片轉(zhuǎn)移解決方案，LUMINEX專為小芯片、高精度、高產(chǎn)能芯片轉(zhuǎn)移設(shè)計(jì)，可通過(guò)多種操作模式進(jìn)行，在掃瞄模式下，速度達(dá)到1萬(wàn)赫茲。

此外，LUMINEX也可以應(yīng)用到Micro LED制程，目前已在40μmx80μm芯片的直接貼裝制程上達(dá)到4μm 3σ精度，同時(shí)也適用Micro LED封裝（MIP）應(yīng)用。

K&S先前還宣布與LCD SMT解決方案提供商TSMT（臺(tái)灣地區(qū)表面黏著科技股份有限公司）合作，推進(jìn)MiniLED背光和直顯應(yīng)用。

10季華實(shí)驗(yàn)室展示Micro LED巨量檢測(cè)系統(tǒng)

9月6日，在第二十四屆光博會(huì)上，季華實(shí)驗(yàn)室展示了"Micro LED晶圓級(jí)光致發(fā)光巨量檢測(cè)系統(tǒng)"。

據(jù)介紹，"Micro LED晶圓級(jí)光致發(fā)光巨量檢測(cè)系統(tǒng)"相關(guān)技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)損、非接觸式、高穩(wěn)定性、快速巨量檢測(cè)，是晶圓級(jí)檢測(cè)設(shè)備的核心單元。

11利亞德Micro LED電影屏通過(guò)DCI認(rèn)證

近日，利亞德P0.9間距Micro LED電影屏（長(zhǎng)3.8米，高2米）正式通過(guò)DCI權(quán)威認(rèn)證，成為全球首塊影院級(jí)Micro LED產(chǎn)品。

據(jù)悉，利亞德通過(guò)DCI認(rèn)證的Micro LED電影屏，采用Micro LED全倒裝晶片及封裝技術(shù)，色準(zhǔn)、對(duì)比度、畫面均勻度等光學(xué)參數(shù)均符合電影工業(yè)級(jí)要求；一體化集成影院播放系統(tǒng)，支持?jǐn)?shù)字影院標(biāo)準(zhǔn)格式DCP；100000小時(shí)壽命，采用無(wú)機(jī)自發(fā)光原理。

此外，該Micro LED電影屏采用拼接箱體，模塊化運(yùn)輸安裝，便捷易用，適用私宅影音室、客廳，商業(yè)影院VIP廳等各種場(chǎng)景。

12晶能首發(fā)硅襯底InGaN基三基色外延

近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。

據(jù)晶能光電副總裁付羿博士介紹，大尺寸硅襯底Micro LED外延生長(zhǎng)對(duì)GaN晶體質(zhì)量、外延翹曲、外量子效率、光電一致性和InGaN紅光MQW等關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)帶來(lái)了更嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

此次12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED產(chǎn)業(yè)化外延技術(shù)的發(fā)布，表明晶能光電利用其硅襯底GaN基LED技術(shù)不斷的創(chuàng)新迭代能力，已經(jīng)初步攻克上述關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)，為后續(xù)技術(shù)和工藝的優(yōu)化和完善鋪平了道路。

總體來(lái)說(shuō)，Micro LED在各方面遭遇的挑戰(zhàn)，匯集起來(lái)就是個(gè)綜合性、循環(huán)性的問(wèn)題，但目前供應(yīng)鏈已持續(xù)解決當(dāng)中，未來(lái)隨著技術(shù)的日益成熟，將為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多的機(jī)會(huì)。

審核編輯：湯梓紅