引言:傳統(tǒng)的供電設(shè)計(jì),是將開關(guān)MOS管、同步MOS管和驅(qū)動(dòng)IC單獨(dú)放置(外置電源開關(guān)),不僅占據(jù)PCB面積大,寄生效應(yīng)也難以控制,降低了電流的整體轉(zhuǎn)換效率,這對(duì)于對(duì)供電要求越來越高的處理器而言,成為一個(gè)必須解決的問題。所以為了解決外置電源開關(guān)的痛點(diǎn),Smart Power Stage開始出現(xiàn)并廣泛應(yīng)用,智能功率級(jí)是比較專業(yè)的名稱,各個(gè)廠商的同類型產(chǎn)品均叫智能功率級(jí)。
1.結(jié)構(gòu)組成
如圖7-1所示,按照DC-DC的結(jié)構(gòu)層級(jí),智能功率級(jí)由2+3部分組成,即Driver+MOS,簡(jiǎn)稱DrMOS。其芯片內(nèi)部集成兩個(gè)(或更多個(gè)并聯(lián)的形式)高性能的MOS和驅(qū)動(dòng)及控制單元,通過優(yōu)化設(shè)計(jì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)控制,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。嚴(yán)密的控制和保護(hù)邏輯使其能輕松兼容主流的前級(jí)控制器,適用于CPU,GPU以及POL的電源設(shè)計(jì)。
圖7-1:DrMOS結(jié)構(gòu)
因?yàn)榧墒紻C-DC在大電流場(chǎng)景發(fā)熱嚴(yán)重,散熱性能也不夠優(yōu)秀,而單片DrMOS使電源系統(tǒng)能夠大幅度提高功率密度、效率和散熱性能,DrMOS模塊以超快速度切換,與外置功率MOS相比,大大降低了SW節(jié)點(diǎn)走線長度和MOS間互聯(lián)長度,最大程度減少寄生電感、電容影響,降低系統(tǒng)整體尺寸,同時(shí)降低了功率損耗和開關(guān)節(jié)點(diǎn)過沖,同時(shí)還提供過溫保護(hù)OTP、過壓保護(hù)、過流保護(hù)、故障報(bào)告等等,這也是智能功率級(jí)的智能所在。
圖7-2:典型DrMOS的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
如圖7-2所示是DrMOS內(nèi)部結(jié)構(gòu),紅色框內(nèi)是DrMOS獨(dú)立供電模塊,黃色框內(nèi)是將輸入PWM轉(zhuǎn)換為上下Driver的控制信號(hào),藍(lán)色框內(nèi)是驅(qū)動(dòng)器,綠色框內(nèi)是電流感測(cè),從結(jié)構(gòu)可以看出支持同時(shí)從主回路和續(xù)流回路檢測(cè),1部分是報(bào)警/指示邏輯,2部分是短路檢測(cè)。
TMON引腳可以在過溫,過流,HSS(高邊短路)等狀況時(shí)輸出高電平,GL是低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器引腳,可連接到測(cè)試點(diǎn),以便觀察波形。PHASE是開關(guān)節(jié)點(diǎn),可以用于自舉電容連接。PWM引腳是3.3V(也有5.0V)邏輯電平PWM輸入,電平為高時(shí)控制MOSFET導(dǎo)通,三態(tài)時(shí)關(guān)閉兩個(gè)MOSFET,低電平時(shí)使同步MOSFET導(dǎo)通,VDRV是給兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器的供電。
2.關(guān)鍵參數(shù)和特性
智能功率級(jí)也是一種普適型器件,需要和搭配各類型控制器,所以其輸入信號(hào)兼容3.3V/5V電平,且支持三態(tài)信號(hào)以實(shí)現(xiàn)不同工作模式的控制。在死區(qū)時(shí)間,傳輸延遲和驅(qū)動(dòng)邊沿的調(diào)整使其可以高效安全運(yùn)行。
3.應(yīng)用場(chǎng)景和選型要點(diǎn)
智能功率級(jí)產(chǎn)品主要用于12V輸入和小于2V輸出的應(yīng)用,并且其內(nèi)部功率器件(MOSFET)是不對(duì)稱的,以匹配預(yù)期工作范圍內(nèi)的預(yù)期占空比,然后將內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器與MOSFET匹配,以最大化效率(主要是盡量減少開關(guān)損耗)。
智能功率級(jí)主要應(yīng)用場(chǎng)景集中在服務(wù)器、存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)通信、電信和消費(fèi)者應(yīng)用,為CPU/GPU/SoC/ASIC/內(nèi)存的電源軌供電。針對(duì)高性能同步降壓應(yīng)用而優(yōu)化的集成功率級(jí)解決方案,這些器件提供了出色的功率轉(zhuǎn)換效率和熱性能、高功率密度以及低寄生參數(shù),智能功率級(jí)產(chǎn)品組合的峰值電流范圍從20A到90A,可設(shè)計(jì)多種功率組合。精確的輸出電流和溫度遙測(cè)也有助于顯著提高系統(tǒng)智能和處理器性能。從而實(shí)現(xiàn)了最佳的功率密度和快速保護(hù)功能,使終端系統(tǒng)在整個(gè)壽命期內(nèi)實(shí)現(xiàn)可靠和穩(wěn)健的工作。
選型要點(diǎn)主要集中在:
1:電流承載
2:功率損耗
3:Min on和Min off
4:PWM驅(qū)動(dòng)邏輯
5:智能功能需求
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