繼上一篇文章的電路工作原理和損耗分析之后，本文我們一起來(lái)看一下實(shí)際安裝進(jìn)行驗(yàn)證的結(jié)果。

咨詢(xún)或購(gòu)買(mǎi)產(chǎn)品

掃描二維碼填寫(xiě)相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

為了確認(rèn)上一篇中提到的損耗分析在實(shí)際應(yīng)用產(chǎn)品中的具體反映，我們將第4代SiC MOSFET安裝在以下規(guī)格的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器中，進(jìn)行了實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證。表1中是DC-DC轉(zhuǎn)換器和SiC器件的規(guī)格。用來(lái)調(diào)整開(kāi)關(guān)速度的外置柵極電阻Rg_ext采用的是3.3Ω，這個(gè)值可以平衡高速開(kāi)關(guān)與振鈴和浪涌。圖1是（a）DC-DC轉(zhuǎn)換器電路和（b）半橋部分使用的第4代SiC MOSFET評(píng)估板（內(nèi)置去耦電容）。電感器L、輸出電容器Co以及輸入大容量電容器是外接的。另外，為了進(jìn)行比較而使用了第3代SiC MOSFET。

圖2是50kHz條件下導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)的VGS、VDS、ID波形（右列波形）。左側(cè)是將導(dǎo)通時(shí)（右列波形中綠色虛線包圍的區(qū)域）的波形放大后的樣子。從放大后的波形可以看出，導(dǎo)通時(shí)的上升時(shí)間Trise非常短，僅有20ns左右。

圖3是該DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率（左側(cè)）和損耗（右側(cè)）測(cè)試結(jié)果。從測(cè)試結(jié)果可以看出，在輕負(fù)載（1kW附近）條件下，開(kāi)關(guān)損耗（固定損耗）非常小——這也是第4代SiC MOSFET的特點(diǎn)，所以效率得以顯著提高。另外， 在重負(fù)載（5kW附近）條件下，與第3代SiC MOSFET相比，第4代SiC MOSFET的損耗降低達(dá)15W以上。

咨詢(xún)或購(gòu)買(mǎi)產(chǎn)品

掃描二維碼填寫(xiě)相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

圖4是對(duì)DC-DC轉(zhuǎn)換器的損耗分解進(jìn)行理論分析后的結(jié)果。已經(jīng)確認(rèn)損耗降低了約15W。另外還可以看出，尤其是高邊SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗PQrr大幅降低，為改善整體損耗發(fā)揮了重要作用。

介紹了在電源產(chǎn)品的小型化、降低功耗和提高效率方面具有巨大潛力的碳化硅（SiC）的基本物理特性，以及SiC二極管和晶體管的使用方法及其應(yīng)用案例。

使用新一代SiC MOSFET降低損耗實(shí)證 —前言—

在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果：圖騰柱PFC實(shí)機(jī)評(píng)估

使用新一代SiC MOSFET降低損耗實(shí)證 —總結(jié)—

第4代SiC MOSFET的特點(diǎn)

在降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用第4代SiC MOSFET的效果

電路工作原理和損耗分析

在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果

在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果：EV應(yīng)用

在EV應(yīng)用中使用第4代SiC MOSFET的效果：裝入牽引逆變器實(shí)施模擬行駛試驗(yàn)

咨詢(xún)或購(gòu)買(mǎi)產(chǎn)品

掃描二維碼填寫(xiě)相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

點(diǎn)擊閱讀原文 了解更多信息