10月19日，韓國三星電子在德國慕尼黑舉辦了名為「三星代工論壇2023」的活動。在這個活動上，三星電子以霸氣十足的姿態(tài)公布了其芯片制造的先進工藝路線圖和代工戰(zhàn)略，宣稱將在未來3年內(nèi)量產(chǎn)2納米制程的先進芯片，并計劃在未來5年內(nèi)超過臺積電。論壇上，三星電子展示了一系列汽車行業(yè)定制解決方案，涵蓋了從先進的2納米工藝到傳統(tǒng)的8英寸工藝。

三星代工事業(yè)部總裁崔時榮表示：「目前我們正加大投入以準備工作，為客戶提供功率半導體、微電腦以及先進的自動駕駛人工智能芯片等多種解決方案。

三星強調(diào)，他們計劃在2026年實現(xiàn)車載2nm芯片的批量生產(chǎn)。同時，他們還公開了下一代存儲半導體技術——5nmeMRAM的開發(fā)計劃，將成為業(yè)界的首款產(chǎn)品。

據(jù)報道，三星計劃從2019年開始成為首家使用28納米工藝量產(chǎn)eMRAM的公司。他們計劃在2024年量產(chǎn)14納米車用eMRAM，隨后在2026年和2027年分別量產(chǎn)8納米和5納米車用eMRAM。

三星官方指出，8納米MRAM與14納米相比，預計集成度將提高30%，速度將提高33%。此外，三星還計劃將目前的130毫米車用BCD工藝提升至90納米，到2025年將會實現(xiàn)。相比于130納米，90納米的BCD工藝將使芯片面積減少20%。三星半導體和設備解決方案（DS）部門負責人慶桂顯（KyeHyunKyung）博士在公開場合表示，他們計劃在接下來的5年內(nèi)超過臺積電和其他行業(yè)巨頭。