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基于國產(chǎn)FRAM的微控制器為便攜式電子提高安全性低功耗

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-11-02 09:52 ? 次閱讀
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基于FRAM的微控制器的應(yīng)用場景有很多,如可穿戴電子產(chǎn)品、工業(yè)和遠(yuǎn)程傳感器、能量收集裝置、智能計(jì)量儀表、家庭自動化設(shè)備、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)IoT)以及更多需要超低功耗、靈活內(nèi)存選擇和智能模擬集成的應(yīng)用。

相比傳統(tǒng)的MCU,F(xiàn)RAM MCU有低功耗、讀寫操作以及讀寫次數(shù)等方面有著極大的優(yōu)勢。FRAM本身不僅可當(dāng)作Flash使用,也可當(dāng)作SDRAM使用,所以不管是代碼還是數(shù)據(jù)都可以同時間放在FRAM里傳送,而且傳送速度很快,可讓工程師更靈活地去做復(fù)雜的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

farm優(yōu)勢.png

本文主要介紹一種國產(chǎn)FRAMPB85RS2MC,該存儲器集成降低安全應(yīng)用成本與功耗所需的高性能以及各種特性,可幫助開發(fā)人員為低功耗應(yīng)用并提高安全性。此外,非易失性FRAM替代EEPROM或閃存為MCU提供穩(wěn)健統(tǒng)一的存儲器架構(gòu),從而可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

鐵電存儲器PB85RS2MC的應(yīng)用優(yōu)勢:

1、PB85RS2MC配置為262,144×8位,是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

2、PB85RS2MC具有讀寫速度快(最高100萬次)、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點(diǎn)。

3、PB85RS2MC最低功耗9微安(待機(jī)),工作電壓2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit,提供SPI接口,工作頻率25兆赫茲,并支持40MHz高速讀命令。

5、PB85RS2MC工作環(huán)境溫度范圍-40℃至85℃,封裝為8引腳SOP封裝,符合RoHS;性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(賽普拉斯)。

舜銘存儲選型.png

值得一提的是,PB85RS2MC無論在待機(jī)或是運(yùn)行、高溫或是低溫的應(yīng)用場景下,均能保持穩(wěn)定的低功耗水平,且它的小尺寸封裝可以最大限度地縮減產(chǎn)品尺寸并實(shí)現(xiàn)了無電池的世界。如有需求,國芯思辰可全程提供技術(shù)服務(wù)和供貨需求。

注:如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系刪除。


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