公司本季度將NAND Flash芯片報價調漲10%至20%之后，已決定明年一季度與二季度逐季調漲報價20%。另有存儲模組廠認為，明年起將進入為期二年的存儲多頭格局，未來二年市場供給將吃緊并出現缺貨狀況。

存儲巨頭再一次加大漲價力度。

據臺灣經濟日報援引半導體業(yè)內多位消息人士消息稱，三星本季度將NAND Flash芯片報價調漲10%至20%之后，已決定明年一季度與二季度逐季調漲報價20%，此舉遠超業(yè)界預期。

值得注意的是，信達證券此前援引行業(yè)消息稱，近日三星向客戶公布Q4官價，MobileDRAM合約價環(huán)比漲幅預估將擴大至11%-25%；NAND Flash方面，UFS4.0漲幅約2%左右，eMCP、uMCP漲幅不等，平均漲幅20%以上，最高漲幅高達66%。

為何三星有底氣強勢漲價？減產或許是原因之一。在10月31日的財報會議上，三星執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon直言，“三星接下來的減產行動，將比目前DRAM縮減產出的規(guī)模更大?！?/p>

業(yè)內人士指出，目前NAND芯片市場轉趨熱絡，客戶陸續(xù)回籠。三星作為全球存儲芯片龍頭，其領頭調漲價格，將有助整體市場報價正向發(fā)展。

與此同時，多家存儲廠商也已給出頗為樂觀的預期。

例如群聯(lián)指出，過去6-9個月OEM客戶調整庫存已近尾聲，公司已獲得更多設計導入（design-in）的訂單。

存儲模組廠威剛則表示，隨著大廠大幅減產效益浮現，看好存儲價格從今年四季度到明年上半年一路上漲，明年起更會進入為期二年的存儲多頭格局，未來二年市場供給將吃緊并出現缺貨狀況。

TrendForce此前指出，NAND芯片價格自8月起漲，看好在供應商議價態(tài)度轉趨強硬情況下，四季度企業(yè)級固態(tài)硬盤合約價格可望上漲約5%-10%；用戶端固態(tài)硬盤方面，隨著供應商議價能力提高，高低階用戶端固態(tài)硬盤產品可望同步上漲，預計四季度合約價將揚升8%至13%。

此外，其認為存儲器整體漲勢有望延續(xù)，預計明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合約價仍將續(xù)漲，漲幅則視后續(xù)原廠是否維持保守的投產策略，以及終端是否有實質買氣支撐而定。

隨著主要廠商控產持續(xù)進行，以及原廠、終端與渠道庫存去化，疊加終端市場需求復蘇，國金證券11月1日報告指出，存儲芯片有望在今年四季度開始價格反彈，開啟新一輪上漲周期。而作為存儲芯片的生產者，以及存儲市場最為重要的環(huán)節(jié)，存儲芯片廠商有望最為受益。