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晶體管級施密特觸發(fā)器實(shí)用原理解析

冬至子 ? 來源:日芯說 ? 作者:日芯說 ? 2023-11-03 16:30 ? 次閱讀
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其實(shí)像這些基本的電路、比如D觸發(fā)器、Schmitt Trigger,MUX等這些電路在PDK中很多工藝都是有的,但是很多情況下我們需要自己設(shè)計(jì)有某些功能的電路,所以庫里的單元就不合適了。

比如D觸發(fā)器,這個是大學(xué)數(shù)電里面再基礎(chǔ)不過的電路,讓你不看書自己搭一個D觸發(fā)器,相信很多同學(xué)也是做不到的,這個需要慢慢磨練。D觸發(fā)器雖然算是數(shù)字電路,但是在我們模擬IC工程師做電路來說,D觸發(fā)器是經(jīng)常使用的。

對于施密特觸發(fā)器,在模擬IC也是有很多應(yīng)用,我在工作中就用到了,也做了很多仿真。今天來給大家從晶體管級詳細(xì)分析一下施密特觸發(fā)器,以后你們用到了可以來我這里看看。

在數(shù)電一書中,施密特觸發(fā)器歸為脈沖整形電路,當(dāng)施密特觸發(fā)器用作脈沖整形的時候,一般是在有振蕩波形的電路中,當(dāng)輸出振蕩波形有噪聲的時候,施密特觸發(fā)器最重要的特點(diǎn)是能夠把變化緩慢的輸入信號整形成邊沿陡峭的矩形脈沖。同時,施密特觸發(fā)器還可利用其回差電壓來提高電路的抗干擾能力。

Schmitt Trigger和反相器很大的區(qū)別就是Schmitt Trigger的上升和下降的翻轉(zhuǎn)閾值不同,有遲滯,雖然反相器精心設(shè)計(jì)尺寸也可以有遲滯,但是效果沒有Schmitt Trigger好。遲滯的一個很大好處就是,輸入的噪聲如果在遲滯區(qū)間內(nèi),那么輸出就不會翻轉(zhuǎn)。

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比如,一般比較器只有一個作比較的臨界電壓,若輸入端有噪聲來回多次穿越臨界電壓時,輸出端即受到干擾,其正負(fù)狀態(tài)產(chǎn)生不正常轉(zhuǎn)換,如下圖。

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如果換做施密特觸發(fā)器,由于施密特觸發(fā)器的遲滯特性,只要噪聲的大小在兩個臨界電壓(上臨界電壓及下臨界電壓)形成的滯后電壓范圍內(nèi),即可避免噪聲誤觸發(fā)電路。

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現(xiàn)在我們以常用的施密特觸發(fā)器晶體管級電路為例,說明施密特觸發(fā)器的工作原理,以及管子的尺寸選取依據(jù),遲滯是如何形成,正反饋怎么形成的。

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這是常用施密特觸發(fā)器的結(jié)構(gòu),我們組的電路也是采用這種結(jié)構(gòu)的Schmitt Trigger。遲滯就是利用M6和M3來實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)輸出是高電平時,M3導(dǎo)通,M4和M5導(dǎo)通,M6截止,提供了一個VDD到輸出端的通路;當(dāng)輸出是低電平時,M6導(dǎo)通,M1和M2導(dǎo)通,M3截止,提供了一個輸出端到地的通路。

施密特觸發(fā)器有兩個翻轉(zhuǎn)閾值,輸入由低電平升到高電平,輸出由高電平到低電平轉(zhuǎn)換,這個閾值叫做正翻轉(zhuǎn)閾值VT+,輸入由高電平升到低電平,輸出由低電平到高電平轉(zhuǎn)換,這個閾值叫做負(fù)翻轉(zhuǎn)閾值VT-,二者的差值就是滯回區(qū)間。

首先分析輸入進(jìn)行正轉(zhuǎn)換的過程。當(dāng)輸入是0,輸出是高電平時,M1和M2截止,M3導(dǎo)通,A點(diǎn)電壓大小是M3的源端電壓,即VA=VDD-Vth3。當(dāng)輸入Vin由0到VDD增大,在Vin小于M1的閾值電壓Vth1之前,VA一直是VDD-Vth3,當(dāng)Vin增加到大于Vth1,M1導(dǎo)通,A點(diǎn)電壓由于M1的導(dǎo)通開始降低,由于M2的源端即A點(diǎn)電壓不是0V,所以M2后于M1導(dǎo)通,這也是遲滯的來源。

當(dāng)Vin增大直到Vin-VA=Vth2時,M2導(dǎo)通,一旦M2導(dǎo)通,輸出就開始下降,使得M3慢慢關(guān)斷,使得A點(diǎn)進(jìn)一步下降,A點(diǎn)電壓下降,同時輸入Vin增大,使得M2導(dǎo)通的更快,輸出下降的更快,使得M3管關(guān)斷的更快,最后M1和M2完全導(dǎo)通,這就是一個正反饋過程,圖中紅圈部分。

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定義M2管開始導(dǎo)通的Vin為正翻轉(zhuǎn)電壓VT+:

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當(dāng)M2導(dǎo)通的瞬間,M1和M3的電流相等,得到:

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有同學(xué)好奇,你怎么知道M1和M3是飽和區(qū)電流而不是線性區(qū),當(dāng)Vin由0增大,M1導(dǎo)通后肯定是先進(jìn)入飽和區(qū)再是線性區(qū),M3由于漏端是VDD,肯定是飽和區(qū)的。

由于M2和M3的源端短接,M2和M3的體端都是地,因此Vth2=Vth3,將(1)代入(2)式,得到:

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由于M1的源端和體端短接,因此M1沒有體效應(yīng),M2和M3是有體效應(yīng)的,所以Vth1小于Vth2和Vth3.

按照自己設(shè)計(jì)指標(biāo)給定一個VT+,通過(3)得到M1和M3的尺寸比例,M2的尺寸要比M1和M3的尺寸大一些,因?yàn)镸2是當(dāng)作一個開關(guān)來用,我們希望它在正反饋環(huán)路中速度快一些,有利于正反饋。

尺寸比例得到了,至于W和L取多大,要看電路的指標(biāo)要求了。對于低頻電路,L不需要特別小。對于低功耗電路,W/L不能太大,不然功耗很大。

然后同理分析輸入進(jìn)行負(fù)轉(zhuǎn)換的過程。當(dāng)輸入是高電平,輸出是低電平時,M4和M5截止,M6導(dǎo)通,B點(diǎn)電壓大小是M6的源端電壓,即VB=|Vth6|。當(dāng)輸入Vin由VDD到0增大,在VDD-Vin小于M5的閾值電壓|Vth5|之前,VB一直是|Vth6|,當(dāng)Vin減小VDD-Vin大于|Vth5|時,M5導(dǎo)通,B點(diǎn)電壓由于M5的導(dǎo)通開始升高,由于M4的源端即B點(diǎn)電壓不是VDD而是小于VDD,所以M4后于M5導(dǎo)通,這也是遲滯的來源。

當(dāng)Vin減小直到VB-Vin=|Vth4|時,M4導(dǎo)通,一旦M4導(dǎo)通,輸出就開始升高,使得M6慢慢關(guān)斷,使得B點(diǎn)進(jìn)一步升高,B點(diǎn)電壓升高,同時輸入Vin減小,使得M4導(dǎo)通的更快,輸出升高的更快,使得M6管關(guān)斷的更快,最后M4和M5完全導(dǎo)通,這就是一個正反饋過程,圖中紅圈部分。

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定義M4管開始導(dǎo)通的Vin為負(fù)翻轉(zhuǎn)電壓VT-:

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當(dāng)M4導(dǎo)通的瞬間,M5和M6的電流相等,得到:

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加入M4、M5和M6的體端都接VDD,M4和M6的源端短接,那么M4和M6體效應(yīng)相等,故|Vth6|=|Vth4|,將(4)代入(5)式,得到:

圖片

按照自己設(shè)計(jì)指標(biāo)給定一個VT-,通過(6)得到M5和M6的尺寸比例,M4的尺寸要比M5和M6的尺寸大一些,因?yàn)镸4是當(dāng)作一個開關(guān)來用,我們希望它在正反饋環(huán)路中速度快一些,有利于正反饋。

以上就完整說明了正負(fù)翻轉(zhuǎn)閾值電壓的設(shè)計(jì)原理以及各個管子的尺寸設(shè)計(jì)依據(jù),根據(jù)電路要求自己給定VT+和VT-來設(shè)計(jì)管子尺寸,通過改變管子尺寸來得到不同的VT+和VT-。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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