一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

碳化硅在電源中的作用和優(yōu)勢(shì)

國(guó)晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC ? 來(lái)源:國(guó)晶微第三代半導(dǎo)體碳化 ? 2023-11-10 09:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料,但其近親碳化硅(SiC)最近已成為激烈的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率,并擴(kuò)展了功率密度和工作溫度等領(lǐng)域的功能。

這種獨(dú)特的材料有助于使電源更小、更高效。讓我們來(lái)探討一下這是如何發(fā)生的,以及碳化硅在電源領(lǐng)域能提供什么。

什么是電源應(yīng)用中的碳化硅?

與硅相比,碳化硅有六大優(yōu)勢(shì),例如:

高能效

低功耗和開(kāi)關(guān)損耗

高導(dǎo)熱性

高工作頻率和高溫度

出色的熱管理和抗熱震性

使用壽命長(zhǎng)

這些優(yōu)點(diǎn)使碳化硅成為各行各業(yè)電源應(yīng)用的理想材料。使用碳化硅的兩種常見(jiàn)電源元件是二極管和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET)。

碳化硅在電源中的作用

碳化硅在電源中如此有用的主要原因之一是它作為一種寬帶隙材料。具有寬禁帶的材料在將電子從價(jià)帶移動(dòng)到導(dǎo)帶之前需要更多的能量。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí),材料就會(huì)變成導(dǎo)體。硅的帶隙僅為1.12電子伏特(eV),而SiC的帶隙為3.2 eV。更寬的帶隙意味著SiC可以在更薄的設(shè)計(jì)中承受與硅半導(dǎo)體相同的電壓。

碳化硅的薄材料為電源提供了幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。它減少了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)的損耗,從而提高了開(kāi)關(guān)速度并減少了熱量,從而實(shí)現(xiàn)了更小、更高效、更持久的電源。

幾乎每個(gè)行業(yè)都受益于這些緊湊、高效的電源,因?yàn)閷?duì)自動(dòng)化設(shè)備和數(shù)據(jù)收集等技術(shù)的需求不斷增長(zhǎng)。工業(yè)應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心和其他高熱、高電壓用戶對(duì)碳化硅特別感興趣,碳化硅可以顯著降低運(yùn)行和冷卻設(shè)施的成本(這些設(shè)施通常24/7全天候運(yùn)行),同時(shí)充分利用寶貴的空間。

隨著時(shí)間的流逝,碳化硅還可以提高性能,因?yàn)樗梢院芎玫爻惺軣釕?yīng)力。更高的效率有助于最大限度地減少熱量,使SiC具有更長(zhǎng)的使用壽命并使其更可靠。這些特性在要求苛刻或任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用中特別有用,例如加固型電源或軍事設(shè)備。

碳化硅在電源中的5大優(yōu)勢(shì)!

使用碳化硅功率器件的好處是廣泛的,影響著從工作溫度到設(shè)計(jì)靈活性的方方面面。碳化硅的優(yōu)點(diǎn)包括:

提高效率:SiC可實(shí)現(xiàn)高于97%的功率轉(zhuǎn)換效率,幫助用戶和設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)各種目標(biāo)。降低成本的最佳方法之一是首先避免使用電力,而SiC可以提供極大的幫助。它允許用戶在一個(gè)經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的系統(tǒng)中滿足內(nèi)部對(duì)降低成本的需求,以及外部質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)。許多碳化硅電源可以滿足80 Plus鈦金標(biāo)準(zhǔn),同時(shí)降低成本。

節(jié)省成本:降低能耗是碳化硅電源為用戶節(jié)省資金的主要方式之一,但它們也可以通過(guò)更小的占地面積和更高的可靠性來(lái)節(jié)省成本,從而限制停機(jī)時(shí)間并實(shí)現(xiàn)價(jià)值最大化。強(qiáng)大的導(dǎo)熱性和效率也減少了對(duì)冷卻組件的需求。

提高功率密度:由于其高效率和低熱量,SiC可以大大提高功率密度,特別是在高壓應(yīng)用中。這些緊密封裝的設(shè)計(jì)非常適合在不犧牲性能和功耗的情況下構(gòu)建更小、更輕的電源。

提高可靠性:碳化硅可以處理高工作溫度和高電壓。它可承受高達(dá)200攝氏度的環(huán)境,通常與場(chǎng)內(nèi)效應(yīng)晶體管一起使用,應(yīng)用電壓高達(dá)10千伏。其高效的性能也使其使用壽命長(zhǎng)。許多要求苛刻的應(yīng)用都受益于基于SiC的電源的可靠性。

改進(jìn)的多功能性:憑借其高功率密度和在高溫、高壓環(huán)境中的高效運(yùn)行,SiC被用于各行各業(yè)和設(shè)備,以提供功能強(qiáng)大、經(jīng)濟(jì)高效的解決方案,以平衡靈活性和功率密度需求。碳化硅在工業(yè)安裝中具有非凡的價(jià)值,但許多行業(yè),如航空航天和醫(yī)療保健,也受益于碳化硅應(yīng)用的靈活性和堅(jiān)固性。

SiC與Si在電源應(yīng)用中的比較

硅已經(jīng)存在了幾十年,許多設(shè)計(jì)師都依賴它作為一種久經(jīng)考驗(yàn)的材料。雖然它在低功耗應(yīng)用中運(yùn)行良好,但在使用高功率設(shè)備時(shí),它的局限性變得很明顯。在硅開(kāi)始分解的地方,碳化硅繼續(xù)前進(jìn)。由于其寬禁帶,它可以在更高的溫度、頻率和電壓下工作。

雖然硅的工作溫度高達(dá)150攝氏度,但SiC可以額外高出50攝氏度。它可以支持比硅高10倍的開(kāi)關(guān)頻率和電壓。

在許多情況下,硅會(huì)降低在高擊穿電壓下可能發(fā)生的導(dǎo)通電阻。但是,這會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗和發(fā)熱問(wèn)題。這些問(wèn)題阻礙了硅在高頻應(yīng)用中的有效性。碳化硅可以在高電壓和高速下提供這些低導(dǎo)通電阻。

碳化硅大放異彩的一些領(lǐng)域包括:

電動(dòng)汽車充電:電動(dòng)汽車充電站具有獨(dú)特的電力需求,包括高效率、堅(jiān)固性、雙向能量流和高功率密度。SiC的快速開(kāi)關(guān)可以減少所需的組件數(shù)量,并在更小的空間內(nèi)提供更多的功率,非常適合從一個(gè)站點(diǎn)為多輛車充電。

功率因數(shù)校正:提高電源的功率因數(shù)可以平滑短而高幅度的脈沖,從而更有效地利用輸入功率。SiC的高頻功能有助于減小功率因數(shù)校正的元件尺寸和數(shù)量,從而降低成本、功率密度和熱管理。

數(shù)據(jù)中心電源:服務(wù)器使用大量電力并持續(xù)運(yùn)行。碳化硅的高效率可以轉(zhuǎn)化為顯著的成本節(jié)約和能源使用,隨著數(shù)據(jù)需求的攀升,這一點(diǎn)變得越來(lái)越重要。

工業(yè)應(yīng)用:工業(yè)設(shè)備通常依賴于SiC可以提供的高電壓和高速度來(lái)實(shí)現(xiàn)卓越的精度和功率,從而實(shí)現(xiàn)可靠的操作。

可再生能源:隨著可再生能源領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅提供了一種有吸引力的方式來(lái)幫助滿足高電壓、高功率需求,而無(wú)需轉(zhuǎn)向化石燃料或核能。通過(guò)以低成本和更低的復(fù)雜性適應(yīng)這些應(yīng)用,碳化硅有助于使可再生能源成為更可行的解決方案,并允許許多用戶限制其功耗。

無(wú)錫國(guó)晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機(jī)集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計(jì)配套服務(wù),總部位于江蘇省無(wú)錫市高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實(shí)力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時(shí)提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)支持服務(wù),使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過(guò)工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變電源、新能源電動(dòng)汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開(kāi)關(guān)損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動(dòng)汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運(yùn)行。

特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。在國(guó)內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)了28nm光敏光柵開(kāi)關(guān)PVG芯片技術(shù),并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強(qiáng)型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開(kāi)常閉等電路產(chǎn)品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機(jī)等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場(chǎng)及各重點(diǎn)科研單位、檢測(cè)機(jī)構(gòu)的新產(chǎn)品認(rèn)定。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)中大部分工程師擁有碩士及以上學(xué)位,并有多名博士主持項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系,在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù),擁有多項(xiàng)國(guó)際、國(guó)內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國(guó)之重器,從晶出發(fā),自強(qiáng)自主,成就百年”是國(guó)晶微半導(dǎo)體的企業(yè)目標(biāo),我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù),我們真誠(chéng)期待與您攜手共贏未來(lái)。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18365

    瀏覽量

    256229
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28901

    瀏覽量

    237631
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3223

    瀏覽量

    65198
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3065

    瀏覽量

    50457

原文標(biāo)題:什么是電源應(yīng)用中的碳化硅?

文章出處:【微信號(hào):國(guó)晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC,微信公眾號(hào):國(guó)晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

    新型材料鋁碳化硅解決了封裝的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,
    發(fā)表于 10-19 10:45

    碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

    硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 自然界以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。
    發(fā)表于 07-02 07:14

    碳化硅深層的特性

    。強(qiáng)氧化氣體1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開(kāi)始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到140
    發(fā)表于 07-04 04:20

    碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

    200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐,同時(shí)正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大
    發(fā)表于 06-28 17:30

    碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

    超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
    發(fā)表于 01-12 11:48

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

    什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
    發(fā)表于 06-18 08:32

    碳化硅的應(yīng)用

    碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
    發(fā)表于 08-19 17:39

    傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

    組件高出一大截,但其開(kāi)關(guān)速度、切換損失等性能指針,也是硅組件難以望其項(xiàng)背的。碳化硅具有極佳的材料特性,可以顯著降低開(kāi)關(guān)損耗,因此電源開(kāi)關(guān)的操作頻率可以大為提高,從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于
    發(fā)表于 09-23 15:02

    請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

    最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程總是會(huì)在
    發(fā)表于 08-31 16:29

    功率模塊的完整碳化硅性能怎么樣?

      本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅功率模塊的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊?! 》至⑵骷ㄈ?TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用
    發(fā)表于 02-20 16:29

    淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)的區(qū)別

    風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開(kāi)關(guān)器件使用過(guò)程因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時(shí)間更短。  1)硅IGBT:  硅IGBT的承受退保和短路的時(shí)間一般小于
    發(fā)表于 02-27 16:03

    圖騰柱無(wú)橋PFC混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

    75A的混合碳化硅分立器件,并同時(shí)推出了TO-247-3和TO-247-4封裝(如上圖),使得客戶不需要更改電源電路和PCB的基礎(chǔ)上,直接進(jìn)行Pin To Pin替換驗(yàn)證測(cè)試及使用,
    發(fā)表于 02-28 16:48

    開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

    技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
    發(fā)表于 03-14 14:05

    碳化硅半導(dǎo)體作用

    碳化硅(SiC)半導(dǎo)體扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1336次閱讀