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長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專利侵權(quán)

要長(zhǎng)高 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2023-11-13 16:03 ? 次閱讀
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長(zhǎng)江存儲(chǔ),中國(guó)最大的閃存芯片制造商,已向美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光提起了專利侵權(quán)訴訟。根據(jù)美國(guó)加州北區(qū)地方法院的文件,該法院已于11月9日受理了長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美光及其子公司的專利侵權(quán)案。

起訴書中指出,長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱美光在未經(jīng)授權(quán)的情況下使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),并以此來保護(hù)自己的市場(chǎng)份額并進(jìn)行市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還指責(zé)美光未為使用這些專利支付合理費(fèi)用,侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的利益,并阻礙了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的創(chuàng)新動(dòng)力。此外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)還指控美光在自己的專利文件中引用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的相關(guān)專利,這證明美光認(rèn)識(shí)到長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利組合的重要性,但美光并未采取任何實(shí)際行動(dòng)來獲取長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利授權(quán)。

此次訴訟旨在解決以下一個(gè)方面的問題:美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND閃存市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。

根據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控美光侵犯了多項(xiàng)美國(guó)專利,專利號(hào)分別為“10,950,623”、“11,501,822”、“10,658,378”、“10,937,806”、“10,861,872”、“11,468,957”、“11,600,342”和“10,868,031”。

被指控侵權(quán)的美光產(chǎn)品包括96層、128層、176層和232層的3D NAND產(chǎn)品。

據(jù)悉,去年TechInsights公司對(duì)閃存市場(chǎng)進(jìn)行的分析發(fā)現(xiàn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)已超過美光成為3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。

此次長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美光提起的專利侵權(quán)訴訟具有一定的象征意義。在起訴書中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動(dòng)了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。

編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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