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eMMC的結(jié)構(gòu)和電源配置

CHANBAEK ? 來源:小白制造局 ? 作者: Seaman ? 2023-11-14 16:21 ? 次閱讀
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最新的eMMC產(chǎn)品遵循JEDEC eMMC 5.1標準,該標準定義了eMMC的通信信號、命令、內(nèi)部寄存器、特性,并為系統(tǒng)設(shè)計人員提供指導。它是工業(yè)應用和汽車應用的嵌入式存儲解決方案的理想選擇,這些應用需要在廣泛的工作溫度范圍內(nèi)具有高性能。eMMC也是Nand Flash的一種,屬于并行類別,由于控制系統(tǒng)的不同以及速率差異,將eMMC獨立出來,其容量可以覆蓋到很大的區(qū)間,從1GB到256GB甚至更高,采用8位并行數(shù)據(jù)接口

1.1 結(jié)構(gòu)圖

eMMC是使用MMC協(xié)議v5.1一個簡單的讀寫內(nèi)存。eMMC將TLC模式Nand和eMMC控制器封裝在內(nèi)部,作為一個JEDEC標準封裝,為主機提供標準接口。eMMC控制器(三星稱為FTL:過渡層)直接管理Nand Flash,包括ECC、損耗均衡、IOPS優(yōu)化和讀取感應、CMD/區(qū)塊管理。

圖片

圖1 eMMC結(jié)構(gòu)

從圖 1可以看到,eMMC包括控制器,MMC接口,Nand接口和Nand閃存單元。VDD(VCCQ)用于控制器電源(接口電源),VCC用于閃存電源。RESET用于復位。

1.2 數(shù)據(jù)接口定義

CLK

用于從 Host 端輸出時鐘信號,進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐胶驮O(shè)備運作的驅(qū)動,頻率為0-200MHz。在一個時鐘周期內(nèi),CMD 和 DAT0-7 信號上都可以支持傳輸1個比特,即 SDR (Single Data Rate) 模式。此外,DAT0-7 信號還支持配置為 DDR (Double Data Rate) 模式,在一個時鐘周期內(nèi),可以傳輸2個比特。

Host可以在通訊過程中動態(tài)調(diào)整時鐘信號的頻率(范圍需要滿足 Spec 的定義)。通過調(diào)整時鐘頻率,可以實現(xiàn)省電或者數(shù)據(jù)流控(避免 Over-run 或者 Under-run)功能。在一些場景中,Host還可以關(guān)閉時鐘,例如 eMMC 處于 Busy 狀態(tài)時,或者接收完數(shù)據(jù)進入Programming State 時。

CMD

CMD 信號是設(shè)備初始化和命令傳輸?shù)碾p向通道,主要用于 Host 向 eMMC 發(fā)送 Command 和 eMMC 向 Host 發(fā)送對應的 Response。CMD信號有2種工作模式:

1#:漏極開路 ---> 用于初始化模式

2#:推拉模式 ---> 用于快速命令傳輸

DAT [7:0]

雙向數(shù)據(jù)信號,DAT0-7 信號主要用于 Host 和 eMMC 之間的數(shù)據(jù)傳輸。在eMMC上電或軟復位(即重置)后,只有 DAT0 可以進行數(shù)據(jù)傳輸(模式0)。完成初始化后,可配置 DAT0-3(模式4)或者 DAT0-7(模式8)進行數(shù)據(jù)傳輸,即數(shù)據(jù)總線可以配置為 4 bits 或者 8 bits 模式。

DAT信號在推挽模式下工作。數(shù)據(jù)線DAT0-DAT7內(nèi)部上拉。進入4位模式后,eMMC立即斷開線路DAT0、DAT2和DAT3的內(nèi)部上拉。進入8位模式后,eMMC立即斷開線路DAT0-DAT7的內(nèi)部上拉。

Data Strobe

Data Strobe 時鐘信號由 eMMC 發(fā)送給Host,頻率與 CLK 信號相同,用于 Host 端進行數(shù)據(jù)接收的同步。Data Strobe 信號只能在 HS400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性,省去總線 tuning 過程。

對于數(shù)據(jù)輸出,該信號的每個周期指示數(shù)據(jù)上的兩位傳輸(2x)-- 一位用于上升沿,另一位用于下降沿,對于CRC狀態(tài)響應輸出和CMD響應輸出。

RESET

低電平復位,工作后為高電平。

1.3 eMMC的電源

表格 1是eMMC的電源配置,Nand區(qū)域(VCC)需要3V電壓,而MMC控制器支持1.8V或3.3V雙電壓(VDD或VCCQ)。

表格 1 不同類型下的電源配置

類型電壓范圍VCCVCCQ
4.51/5.0/5.1à3.3VVCC: 2.7-3.6V; VCCQ(雙電壓): 1.70-1.95V/2.7-3.6VNAND核心+NAND接口電壓嵌入式控制器內(nèi)核eMMC接口電壓
5.1à1.8VVCC: 2.7-3.6V; VCCQ(單電壓): 1.70-1.95VNAND核心+NAND接口電壓嵌入式控制器內(nèi)核eMMC和NAND接口電壓

通電時電源電壓必須單調(diào)上升,無下降;斷電時電源電壓必須單調(diào)下降,無顛簸。內(nèi)部電壓檢測器在VCC和VCCQ下降時保證EMMC各項功能正常,其中VCC=2.7V-3.6V;VCCQ=1.70V-1.95V或者2.7V-3.6V。VCC和VCCQ在每個工作電壓范圍內(nèi)達到穩(wěn)定狀態(tài)之前,主機不得發(fā)出任何命令。

圖片

圖 2 eMMC理想上下電

如果VCC低于重置閾值,比如2.43V,VCCQ低于重置閾值,比如1.43V,內(nèi)部WP線就會拉低以禁用閃存陣列編程/擦除操作。

1.4 硬件復位

使用硬件復位功能,主機必須將ECSD寄存器162字節(jié),[1:0]位設(shè)置為0x1,以便在主機可以使用其之前啟用該功能。執(zhí)行復位操作之前,主機必須在尚未執(zhí)行任何操作的情況下,根據(jù)JEDEC規(guī)范在RST_N引腳處至少保持1us的低電平。如果復位引腳回到高電平,則eMMC阻止任何操作,并進入預空閑狀態(tài),如圖 3所示。

圖片

圖 3 硬件復位

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