20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM)采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響內(nèi)部功能，這種產(chǎn)品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM的存儲單元的長寬比接近 1：1，為陣列（Array）形狀，存儲器的地址線則被分為行（Row）（地）址線和列（Column）（地）址線。行址線用來選擇（等待）執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮鞯男校涣兄肪€用來從被選中的相應(yīng)行中選出;一個用于真正執(zhí)行讀操作或?qū)懖僮鞯拇鎯卧?/p>

同步 DRAM ( Synchronous DRAM. SDRAM)的概念至少從20世紀(jì) 70年代就已經(jīng)被人們所熟悉，在早期 Intel 的處理器上已被采用，但從 1993 年才開始被電子產(chǎn)業(yè)廣泛接受。1993 年，三星展示了其型號為 KM48SL2000 的新產(chǎn)品SDRAM。但是直到 2000 年，SDRAM 才實際上取代了其他類型 DRAM 在計算機(jī)中的地位。

SDRAM 與異步 DRAM 相比具有以下特點：可以并行多管線操作；數(shù)據(jù)傳輸速率可以隨 MCU 的速度不斷提高；可減少因輸入信號的失真而數(shù)據(jù)出錯的概率；低功耗與高帶寬；所有指令信號都和系統(tǒng)時鐘同步，因而更為快速和易于管理；結(jié)構(gòu)設(shè)計更為復(fù)雜。SDRAM 在結(jié)構(gòu)上由許多板塊（Bank，簡稱塊）組成。每一個板塊由行址線和列址線以及行址緩沖器組成，每一個板塊都可以認(rèn)為是一個獨立的存儲器，只是各個板塊之間共用輸入/輸出接口(I/O)。SDRAM 地址線要分兩次送出：先送行地址線，再送列地址線。這種方式被稱作分時復(fù)用方式。由于每個板塊的數(shù)據(jù)位寬與整個存儲器的位寬相同，這樣，板塊內(nèi)的字線（Word-Line）和位線（Bit-Line）的長度就可被限制在合適的范圍內(nèi)，從而加快存儲器單元的訪問速度。SDRAM 的容量是由地址數(shù) (Number ofAddresses)、位寬（ Number of Bits）和存儲塊數(shù)（Number of Banks）決定的：SDRAM 容量=地址數(shù)x位寬x存儲塊數(shù)。

DRAM 的結(jié)構(gòu)比 SRAM 簡單，它只需一個晶體管和一個電容(1T1C）就可組成一個存儲器單元 （RAM Cell)，所以可以達(dá)到很高的密度和容量。DRAM 為易失型存儲器 （Volatile Memory），廣泛用作主機(jī)內(nèi)存，因此，它的發(fā)展是和CPU 中央處理器的發(fā)展緊密相關(guān)的。隨著高性能計算(High PerformanceComputing, HPC）和3D 圖形處理對內(nèi)存要求的提高，老一代 DRAM 架構(gòu)不再適用。簡單來說，如果以讀取方式來區(qū)分，有同步 DRAM (SDRAM)和異步DRAM。 如果以數(shù)據(jù)讀取速率來區(qū)分，有單倍數(shù)據(jù)速率( Single Data Rate,SDR）、雙倍數(shù)據(jù)速率 （Double Data Rate， DDR）和四倍數(shù)據(jù)速率 (Quad DataRate, QDR)的 SDRAM。如果單看應(yīng)用，還有專為圖像處理器服務(wù)的 GDDR。根據(jù)電平大小，又分為普通 DDR 和低功耗 LPDDR。當(dāng) DRAM 和其他功能模塊(例如 CPU 等）集成在同一塊芯片上時，這種產(chǎn)品被稱作嵌入式(Embedded)DRAM，簡稱為 eDRAM。

審核編輯：湯梓紅