長鑫存儲技術有限公司獲得“半導體芯片測試方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)”專利。許可公告日為11月14日，許可公告號碼為cn116540059b。

根據(jù)專利摘要，該公開提供屬于半導體制造技術領域的半導體芯片測試方法、裝置、裝置及存儲介質(zhì)。該方法對半導體芯片進行直流應力試驗，得出直流應力試驗結果，直流應力試驗結果包括第一失效單位的失效通知。根據(jù)第一無效單位的無效地址信息，確定交流試驗區(qū)；對交流應力試驗區(qū)域進行交流應力試驗，得出交流應力試驗結果，交流應力試驗結果包括第二實效單位的失效通知。利用第一個有效單位的有效地址信息，利用第一個有效單位和第二個有效單位的有效地址信息，維修第二個有效單位。

這一公開縮短了測試時間，減少了測試費用。