半導(dǎo)體測(cè)試包括前期的研發(fā),后期的生產(chǎn)的測(cè)試。
前期研發(fā),進(jìn)行材料測(cè)試,晶圓測(cè)試,后期的器件測(cè)試等。
材料測(cè)試常用的是 LCR數(shù)字電橋,阻抗分析儀,網(wǎng)絡(luò)分析儀,電源,萬用表,源表,靜電計(jì),半導(dǎo)體參數(shù)分析儀,探針臺(tái),信號(hào)發(fā)生器,功率放大器,示波器等等。
比如測(cè)試薄膜等材料,需要測(cè)試阻抗,容值等,根據(jù)頻率需要用到數(shù)字電橋或者阻抗分析儀,或者測(cè)試介電常數(shù),用到阻抗分析儀或者網(wǎng)絡(luò)分析儀。
數(shù)字電橋的頻率一般是幾Hz~幾MHz,阻抗分析儀是幾MHz~3GHz,網(wǎng)絡(luò)分析儀可以測(cè)試大于 3GHz的介電常數(shù)。根據(jù)測(cè)試頻率選擇合適的儀器。
除了介電常數(shù)之外,還需要測(cè)試IV曲線等,可以用源表測(cè)試。
測(cè)試小于nA級(jí)別的電流,需要用到靜電計(jì),萬用表等。
需要測(cè)試多端器件,可以用雙通道源表或者半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。
兩端器件或者三端器件可以用雙通道源表測(cè)試,比如二極管,三極管等。三端以上器件,就需要用到半導(dǎo)體參數(shù)分析儀了,比如吉時(shí)利4200A,或者是德科技B1500A。
配合探針臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)多端器件的測(cè)試。
封裝好的半導(dǎo)體器件,需要供電,還要用到電源,或者信號(hào)發(fā)生器和功率放大器。
測(cè)試產(chǎn)生的波形會(huì)用到示波器,比如測(cè)試三極管的放大倍數(shù)的時(shí)候等,只要觀察波形,都需要示波器。
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