Flash ADC常由電阻DAC和比較器組成，性能受限電阻匹配精度和比較器offset。

電阻匹配包括濃度梯度引入的誤差(與電阻版圖擺放相關(guān))和隨機(jī)誤差(與工藝相關(guān))，前者引入非線性誤差。

Simulink建模6位Flash ADC，看電阻誤差對(duì)ADC性能的影響，仿真時(shí)輸入約1/2fs頻率的正弦波。

電阻無(wú)任何誤差時(shí)的結(jié)果

Simulink模型輸出做INL/DNL分析與理想結(jié)果稍有出入，但相差不大。

由于濃度梯度， 電阻向一個(gè)方向逐漸變化情況(Linear Ladder)**

INL對(duì)應(yīng)參考文章3.1節(jié)3.2~3.4式，在中間Code處，INL有極值(極大值還是極小值取決電阻失配是減是增)，此處INL最大，與失配大小成正比。電阻逐漸減小情況和電阻逐漸增大情況分別如下圖和下下圖。

改變電阻排列，兩端電阻向中間逐漸變化情況(Folded Ladder)

INL最大處變?yōu)?/4和3/4滿量程code處，相比電阻朝一個(gè)方向變化情況有較大改善。電阻逐漸減小情況和電阻逐漸增大情況分別如下圖和下下圖。

電阻0.2%隨機(jī)誤差

電阻引入千分之二隨機(jī)誤差，仿真結(jié)果顯示對(duì)性能影響不明顯。

電阻10%隨機(jī)誤差

電阻引入百分之十隨機(jī)誤差，仿真結(jié)果顯示對(duì)性能影響也不大。