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矽力杰高效率DrMOS方案

矽力杰半導(dǎo)體 ? 2023-11-22 08:19 ? 次閱讀
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大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能的興起,通信基站、數(shù)據(jù)中心自動駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CPU、GPUASIC來支持更強(qiáng)勁的算力需求。這對供電電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)提出了嚴(yán)峻挑戰(zhàn),包括:更高的效率、更高的功率密度,同時滿足極高的瞬態(tài)響應(yīng)要求。多相Buck電源(多相控制器+DrMOS)正是低壓、高功耗應(yīng)用場景的最佳解決方案。

DrMOS

矽力杰DrMOS方案

矽力杰SQ29670是一顆單芯片SPS/DrMOS,芯片內(nèi)部集成解耦電容MOSFET,驅(qū)動及控制單元,采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝。通過優(yōu)化的驅(qū)動和死區(qū)控制邏輯,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。通過使用AutoZero運(yùn)放,提供了高精度,快速響應(yīng)的IMON波形。嚴(yán)密的控制和保護(hù)邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器,適用于CPU,GPU以及POL的電源設(shè)計。

SQ29670

16V/70A集成功率級DrMOS

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◆70A連續(xù)電流輸出能力

◆集成功率MOS和驅(qū)動電路

◆開關(guān)頻率高達(dá)2.0MHz

◆內(nèi)部集成的解耦電容

◆3.3V PWM輸入,兼容三態(tài)邏輯

◆5uA/A 精確電流采樣上報

◆8mV/℃ 內(nèi)部溫度采樣上報

◆VDRV/VCC/VBST/VIN 欠壓保護(hù)

◆過熱保護(hù)

◆可編程的逐周期峰值電流保護(hù)和谷值電流保護(hù)

◆負(fù)電流保護(hù)

◆三態(tài)中自舉電容充電功能

◆基于TMON和IMON引腳的故障上報功能

◆業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的LGA5x6-41和LGA4*6-34封裝

c63d6b96-88cc-11ee-9788-92fbcf53809c.pngc647e1de-88cc-11ee-9788-92fbcf53809c.png

DrMOS

典型應(yīng)用

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SQ29670典型應(yīng)用框圖

SQ29670支持5V~16V的Vin電壓范圍。支持3.3V電平的PWM輸入信號并兼容三態(tài)輸入信號。死區(qū)時間,傳播延遲和驅(qū)動邊沿的調(diào)整使其可以高效安全運(yùn)行。

SQ29670內(nèi)部集成了8mV/℃的溫度傳感器并可通過TMON實時報告溫度,25℃下典型輸出電壓為800mV。TMON內(nèi)部可上拉或下拉用作故障標(biāo)志位,同時IMON內(nèi)部可在故障時上拉或下拉到固定電平用于指示故障類型。

SQ29670可以實時采樣內(nèi)部MOSFET的電流信息并重建為與電感電流成正比的三角波,內(nèi)建的溫度補(bǔ)償使其能達(dá)到5uA/A ±5%的精度輸出。SQ29670支持包括OCP,NOCP,OTP等多種保護(hù),以實現(xiàn)安全可靠運(yùn)行。

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SQ29670 IMON 波形

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SQ29670 IMON精度曲線

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SQ29670 效率曲線

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SQ29670 開關(guān)波形

Silergy

Computing Power

隨著多核架構(gòu)處理器的普及,微處理器(CPU/GPU等)所需的功率急劇增加,對電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)提出了更高的要求,傳統(tǒng)方案中,采用分立的上管,下管MOSFET與驅(qū)動器來搭建電路,SPS/DrMOS將MOSFET與其驅(qū)動器集成到單個芯片上,從而實現(xiàn)了電源的高效率和高功率密度。

SQ29670通過高度集成,與優(yōu)化設(shè)計,提供了高效率的DrMOS方案,為提高電源整體效率,減小系統(tǒng)尺寸提供了幫助。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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