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淺談磁珠的選型

jf_pJlTbmA9 ? 來源: 硬件十萬個(gè)為什么 ? 作者: 硬件十萬個(gè)為什么 ? 2023-11-23 09:04 ? 次閱讀
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磁珠的物理模型

鐵氧體磁珠(Ferrite Bead) 是目前應(yīng)用發(fā)展很快的一種抗干擾組件,廉價(jià)、易用,濾除高頻噪聲效果顯著。在電路中只要導(dǎo)線穿過它即可。當(dāng)導(dǎo)線中電流穿過時(shí),鐵氧體對低頻電流幾乎沒有什么阻抗,而對較高頻率的電流會(huì)產(chǎn)生較大衰減作用。高頻電流在其中以熱量形式散發(fā),其等效電路為一個(gè)電感和一個(gè)電阻串聯(lián),兩個(gè)組件的值都與磁珠的長度成比例。磁珠種類很多,制造商應(yīng)提供技術(shù)指標(biāo)說明,特別是磁珠的阻抗與頻率關(guān)系的曲線。有的磁珠上有多個(gè)孔洞,用導(dǎo)線穿過可增加組件阻抗(穿過磁珠次數(shù)的平方),不過在高頻時(shí)所增加的抑制噪聲能力不可能如預(yù)期的多,而用多串聯(lián)幾個(gè)磁珠的辦法會(huì)好些。

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鐵氧體是磁性材料,會(huì)因通過電流過大而產(chǎn)生磁飽和,導(dǎo)磁率急劇下降。大電流濾波應(yīng)采用結(jié)構(gòu)上專門設(shè)計(jì)的磁珠,還要注意其散熱措施。鐵氧體磁珠不僅可用于電源電路中濾除高頻噪聲(可用于直流和交流輸出),還可廣泛應(yīng)用于其它電路,其體積可以做得很小。特別是在數(shù)字電路中,由于脈沖信號(hào)含有頻率很高的高次諧波,也是電路高頻輻射的主要根源,所以可在這種場合發(fā)揮磁珠的作用。鐵氧體磁珠還廣泛應(yīng)用于信號(hào)電纜的噪聲濾除。

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磁珠主要用于抑制EMI差模噪聲,它的直流電阻(DCR)很小,高頻交流阻抗比較大。常見的600Ω是指磁珠在100MHz信號(hào)頻率下測得的交流阻抗值。根據(jù)不同的應(yīng)用場景,磁珠可以分為普通型、大電流型和尖峰型。

(1)普通型磁珠。主要用于電流比較?。ㄐ∮?00mA)、無特殊要求的場景。普通型磁珠的直流電阻一般不超過1Ω,交流阻抗范圍一般在幾歐姆到幾千歐姆之間,主要作用是抑制和吸收電磁干擾和射頻干擾。

(2)大電流型磁珠。主要用在大電流場景,所以需要嚴(yán)格限制直流電阻,直流電阻一般不超過0.1Ω,交流阻抗也比普通型磁珠要小。

(3)尖峰型磁珠。主要用于對特定頻率范圍的信號(hào)進(jìn)行衰減,實(shí)現(xiàn)選頻功能。其交流阻抗在某一頻率范圍內(nèi)很高,在其他頻率范圍很低,呈現(xiàn)帶阻特性。

磁珠與電感的區(qū)別

1、電感是儲(chǔ)能元件,而磁珠是能量轉(zhuǎn)換(消耗)器件。電感和磁珠都可以用于濾波,但是機(jī)理不一樣。電感濾波是將電能轉(zhuǎn)化為磁能,磁能將通過兩種方式影響電路:一種方式是重新轉(zhuǎn)換回電能,表現(xiàn)為噪聲;一種方式是向外部輻射,表現(xiàn)為EMI(電磁干擾)。而磁珠是將電能轉(zhuǎn)換為熱能,不會(huì)對電路構(gòu)成二次干擾。

2、電感在低頻段濾波性能較好,但在50MHz以上的頻段濾波性能較差;磁珠利用其電阻成分能充分地利用高頻噪聲,并將之轉(zhuǎn)換為熱能已達(dá)到徹底消除高頻噪聲的目的。

3、從EMC電磁兼容)的層面說,由于磁珠能將高頻噪聲轉(zhuǎn)換為熱能,因此具有非常好的抗輻射功能,是常用的抗EMI器件,常用于用戶接口信號(hào)線濾波、單板上高速時(shí)鐘器件的電源濾波等。

4、電感和電容構(gòu)成低通濾波器時(shí),由于電感和電容都是儲(chǔ)能器件,因此兩者的配合可能產(chǎn)生自激;磁珠是耗能器件,與電容協(xié)同工作時(shí),不會(huì)產(chǎn)生自激。

磁珠器主要特性參數(shù)

1、直流電阻DCResistance(mohm):直流電流通過此磁珠時(shí),此磁珠所呈現(xiàn)的電阻值。

2、額定電流RatedCurrent(mA):表示磁珠正常工作時(shí)的最大允許電流。

3、阻抗[Z]@100MHz(ohm):這里所指的是交流阻抗。

4、阻抗-頻率特性:描述阻抗值隨頻率變化的曲線。

5、電阻-頻率特性:描述電阻值隨頻率變化的曲線

6、感抗-頻率特性:描述感抗隨頻率變化的曲線。

下圖為某廠家磁珠特性參數(shù)及頻率特性曲線:

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磁珠的選型

磁珠在選型需要考慮噪聲干擾和通流兩方面因素。

(1)噪聲干擾方面需要考慮噪聲的頻率和強(qiáng)度。不同型號(hào)的磁珠有不同的頻率阻抗曲線。在選型時(shí)要選擇噪聲中心頻率對應(yīng)的阻抗較高的磁珠,從而更好地抑制噪聲。噪聲干擾越大,需要選擇阻抗更高的磁珠。但高阻抗磁珠也會(huì)對有用信號(hào)產(chǎn)生較大的衰減,所以阻抗并不是越高越好,需要綜合考慮信噪比。目前沒有明確的計(jì)算公式和選擇標(biāo)準(zhǔn),需要根據(jù)實(shí)際效果來選型,一般交流阻抗在120Ω~600Ω之間的磁珠比較常用。例如,要求對于100MHz的、300mVpp的噪聲,經(jīng)過磁珠以后達(dá)到50mVpp的水平,假設(shè)負(fù)載為45Ω,那么就應(yīng)該選225Ω@100MHz,DCR<1Ω的磁珠。選擇225Ω是因?yàn)?45Ω/50mV)*250mV=225Ω。

(2)通流方面需要考慮額定電流的大小。直流電阻越大的磁珠一般額定電流越小。選型時(shí)需要根據(jù)實(shí)際情況來進(jìn)行。例如,系統(tǒng)電源的輸出電壓為3.3V,負(fù)載模塊的電源輸入需要的額定電流為300mA,負(fù)載模塊的輸入電源需要的輸入電壓不能低于3.0V。該負(fù)載模塊的電源輸入管腳需要選擇直流電阻小于1Ω的磁珠,再考慮降額設(shè)計(jì),一般選擇0.5Ω的磁珠。

所以,磁珠選型時(shí),可以按下列步驟進(jìn)行。

(1)首先需要確定需要濾除的噪聲的頻段,然后在這個(gè)頻段內(nèi)選擇合適的交流阻抗(可以通過仿真得到大概的阻抗范圍,仿真模型可以咨詢廠商)。

(2)確定該電路通過的最大電流。電路流過的電流決定了磁珠的額定電流,額定電流確定后,就可以根據(jù)后級(jí)電路需要的電壓范圍來計(jì)算磁珠的DCR范圍。

(3)選擇封裝。封裝可以根據(jù)單板的布局和結(jié)構(gòu)等實(shí)際情況進(jìn)行選擇。但需要注意的是,磁珠的阻抗在加電壓后與規(guī)格書上的阻抗是有差別的。要正確地選擇磁珠,必須注意以下幾點(diǎn)。

①不需要的信號(hào)的頻率范圍為多少?

②噪聲源是什么?

③需要多大的噪聲衰減?

④環(huán)境條件是什么(溫度、直流電壓、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度)?

⑤電路和負(fù)載阻抗是多少?

最后,磁珠選型時(shí)還需要注意降額使用。磁性器件的降額標(biāo)準(zhǔn)如表所示。

磁性器件的降額標(biāo)準(zhǔn)

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本文轉(zhuǎn)載自: 硬件十萬個(gè)為什么微信公眾號(hào)

審核編輯 黃宇

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