一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IGBT IPM的優(yōu)點(diǎn)

jf_pJlTbmA9 ? 來源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 2023-12-06 14:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文的關(guān)鍵要點(diǎn):

1. 與分立產(chǎn)品設(shè)計(jì)相比,IGBT IPM在易于設(shè)計(jì)、安全性、可靠性和節(jié)省空間等方面具有諸多優(yōu)點(diǎn)。

2. IGBT IPM的可定制性較差,但其本質(zhì)上的使用方法就是根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品選擇合適的IGBT IPM。

IGBT IPM的優(yōu)點(diǎn)

IGBT IPM不僅內(nèi)置IGBT器件還內(nèi)置了驅(qū)動(dòng)電路保護(hù)電路等,因此具有以下優(yōu)點(diǎn):

●使用分立產(chǎn)品進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),需要具備處理功率元器件的專業(yè)技術(shù)技巧,而IPM中已經(jīng)內(nèi)置了功率元器件并融入了其驅(qū)動(dòng)技術(shù)技巧,簡單易用。

● 由于IPM已針對(duì)功率元器件和驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了優(yōu)化,其工作與特性得到保證,因而可使應(yīng)用產(chǎn)品的外圍電路設(shè)計(jì)更加容易,并且節(jié)省時(shí)間。

● 內(nèi)置多種所需的保護(hù)功能,可以安全地構(gòu)建處理大功率的應(yīng)用產(chǎn)品。

● 由于不僅考慮了電氣特性,還考慮了熱和EMC相關(guān)的特性,因此可以避免采用分立產(chǎn)品進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)的電路板設(shè)計(jì)和元器件安裝相關(guān)的各種問題,可靠性更高。

● 在分立結(jié)構(gòu)中,IGBT和IC由于是各自獨(dú)立的封裝,所以需要相應(yīng)的電路板面積,而IPM基本上已經(jīng)將裸芯片直接安裝在模塊電路板上了,體積更小,更節(jié)省空間,因此可以縮小電路板尺寸、提高效率并簡化電路板布線。

● 由于是模塊,因此部件數(shù)量僅為1個(gè),有助于提高系統(tǒng)的可靠性。

可以說,相比使用分立產(chǎn)品的設(shè)計(jì),使用IPM進(jìn)行設(shè)計(jì)具有很多優(yōu)點(diǎn),如果一定要列舉缺點(diǎn)的話,因其規(guī)格和特性是固定的,故不適合單獨(dú)調(diào)整等定制化應(yīng)用。但是,IPM的規(guī)格是在假設(shè)主要應(yīng)用和近似應(yīng)用的情況下設(shè)定的,其原本的使用方法就是根據(jù)用途選擇合適的產(chǎn)品。

文章來源:羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 審核編輯 黃宇
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1278

    文章

    4071

    瀏覽量

    254603
  • IPM
    IPM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    171

    瀏覽量

    39505
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT?

    ,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然,勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代
    的頭像 發(fā)表于 05-30 16:24 ?315次閱讀
    硅基時(shí)代的黃昏:為何SiC MOSFET全面淘汰<b class='flag-5'>IGBT</b>?

    IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能

    BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路將啟動(dòng),會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的IGBT,并輸出FO信號(hào)。
    的頭像 發(fā)表于 03-06 14:14 ?998次閱讀
    <b class='flag-5'>IGBT</b> <b class='flag-5'>IPM</b>的熱關(guān)斷保護(hù)功能

    IGBT的導(dǎo)熱機(jī)理詳解

    絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)的半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:26 ?638次閱讀

    IPM原理及測試方法

    介紹了IPM智能功率模塊的相關(guān)驅(qū)動(dòng)測試及極限參數(shù)等。
    發(fā)表于 12-30 16:22 ?4次下載

    英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V IPM

    高性能CIPOS Maxi轉(zhuǎn)模封裝IPM IM12BxxxC1系列基于新型1200V TRENCHSTOP IGBT7和快速二極管Emcon 7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計(jì)芯片,該產(chǎn)品具有卓越
    的頭像 發(fā)表于 11-22 14:28 ?770次閱讀
    英飛凌推出新型CIPOS Maxi 10-20A 1200V <b class='flag-5'>IPM</b>

    儲(chǔ)能產(chǎn)品的“守護(hù)者”——IPM

    應(yīng)用中。IPM內(nèi)部集成了IGBT或其他類型的功率開關(guān),以及保護(hù)電路如過流、過熱等保護(hù)功能。 這種集成設(shè)計(jì)有助于簡化系統(tǒng)的整體設(shè)計(jì),提高可靠性,并減少外部元件的數(shù)量。在工業(yè)驅(qū)動(dòng)、白色家電、汽車電子等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。而在儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是在那些需要高效能量
    的頭像 發(fā)表于 11-07 18:01 ?4595次閱讀

    IGBT輸出是交流還是直流

    (DC),這取決于它在電路中的應(yīng)用和連接方式。 IGBT的工作原理 IGBT結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。它的結(jié)構(gòu)包括一個(gè)MOSFET和一個(gè)BJT的組合
    的頭像 發(fā)表于 09-19 14:56 ?2349次閱讀

    華芯邦智能功率模塊IPM革新戴森平替高速吹風(fēng)機(jī)應(yīng)用消費(fèi)家電領(lǐng)域應(yīng)用

    IPM模塊通常包括一個(gè)功率MOSFET、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)或SiC(碳化硅)等開關(guān)器件,以及一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路,用于控制這些開關(guān)器件的導(dǎo)通和截止。此外,IPM模塊還通常集成有電源電路、電流和電壓
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:09 ?950次閱讀
    華芯邦智能功率模塊<b class='flag-5'>IPM</b>革新戴森平替高速吹風(fēng)機(jī)應(yīng)用消費(fèi)家電領(lǐng)域應(yīng)用

    群芯光耦在工業(yè)自動(dòng)化和家用電器的應(yīng)用方案

    智能功率模塊(IPM)由高速、低功耗的IGBT芯片和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)電路及多種保護(hù)電路集成在同一模塊內(nèi),IPM控制輸入會(huì)隨著dv/dt的大小而變,所以用于直接驅(qū)動(dòng)的光耦要求共模抑制高于10KV/μs
    的頭像 發(fā)表于 08-19 16:33 ?1032次閱讀
    群芯光耦在工業(yè)自動(dòng)化和家用電器的應(yīng)用方案

    IGBT的控制信號(hào)是什么

    絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn),在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 08-14 16:42 ?1294次閱讀

    英飛凌推出低功耗CIPOS Maxi智能功率模塊(IPM)系列

    英飛凌科技股份有限公司近期宣布,其電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案再添新成員——低功耗CIPOS? Maxi智能功率模塊(IPM)系列,該系列作為第七代TRENCHSTOP? IGBT7產(chǎn)品家族的擴(kuò)展,專為高效能電機(jī)控制而生。
    的頭像 發(fā)表于 08-14 11:27 ?1275次閱讀

    igbt模塊的作用和功能有哪些

    Transistor)是一種絕緣柵雙極型晶體管,它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。IGBT模塊則是將多個(gè)IGBT芯片封裝在一個(gè)模塊中,以提高功率密度和可靠性
    的頭像 發(fā)表于 08-07 17:06 ?6923次閱讀

    igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓怎樣測量

    Transistor)是一種絕緣柵雙極型晶體管,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT焊機(jī)是一種利用IGBT作為主要功率器件的焊接設(shè)備,具有高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。 二、
    的頭像 發(fā)表于 08-07 15:58 ?2309次閱讀

    igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件

    柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 10:48 ?2188次閱讀

    igbt模塊和igbt驅(qū)動(dòng)有什么區(qū)別

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊和IGBT驅(qū)動(dòng)是電力電子領(lǐng)域中非常重要的兩個(gè)組成部分。它們在許多應(yīng)用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽能
    的頭像 發(fā)表于 07-25 09:15 ?1931次閱讀