【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性
Ciss、Crss和Coss的電容特性是影響MOSFET開(kāi)關(guān)特性的重要因素。
Ciss：輸入電容（Ciss＝Cgd＋Cgs）
?柵極-漏極和柵極-源極電容之和：它影響延遲時(shí)間；Ciss越大，延遲時(shí)間越長(zhǎng)。
Crss：反向轉(zhuǎn)移電容（Crss＝Cgd）
?柵極-漏極電容：Crss越大，漏極電流上升特性越差，這不利于MOSFET的損耗。高速驅(qū)動(dòng)需要低電容。
Coss：輸出電容（Coss＝Cgd＋Cds）
?柵極-漏極和漏極-源極電容之和：它影響關(guān)斷特性和輕載時(shí)的損耗。如果Coss較大，關(guān)斷dv／dt減小，這有利于噪聲。但輕載時(shí)的損耗增加。
圖3-11（a）MOSFET的電容模型
圖3-11（b）MOSFET的典型電容特性
審核編輯：湯梓紅
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