BRT是指偏置電阻內(nèi)置型晶體管。BJT通常配合電子設(shè)備中的電阻器使用。使用BRT(集成了晶體管和電阻器)可以減少安裝面積。
圖3-2(a)BJT的應(yīng)用示例 圖3-2(b)BRT的等效電路
圖3-2(c)BJT的基本電路為什么需要電阻
審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10020瀏覽量
141699 -
偏置電阻
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
37瀏覽量
8673 -
BRT
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
8瀏覽量
7629
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通
發(fā)表于 04-15 10:24
晶體管電路設(shè)計(jì)(下)
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
場效應(yīng)管與晶體管的區(qū)別是什么呢
場效應(yīng)管與晶體管在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別,以下是對這兩者的比較: 一、工作原理 場效應(yīng)管 : 導(dǎo)電過程主要依賴于多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng),因此被稱為單極型
晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例
晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)﹄娏鬟M(jìn)行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控
最新研發(fā)電壓型多值晶體管的結(jié)構(gòu)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最新研發(fā)電壓型多值晶體管的結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 11-21 16:27
?1次下載
晶體管的工作狀態(tài)判斷方法
晶體管的工作狀態(tài)判斷是電子工程領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要技能,它對于確保電路的正常運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。晶體管的工作狀態(tài)通常根據(jù)其內(nèi)部PN結(jié)的偏置情況來判斷,主要包括截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)三種,以及一種特殊的倒置狀態(tài)。
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管
說明pnp型晶體管各個(gè)工作區(qū)的工作條件
PNP型晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體組成,具有三個(gè)主要區(qū)域:發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。PNP型
什么是單極型晶體管?它有哪些優(yōu)勢?
單極型晶體管,也被稱為單極性晶體管或場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor, FET),是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的工作原理基于電場對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電
什么是NPN型和PNP型晶體管
NPN型和PNP型晶體管是電子學(xué)中的兩種基本且重要的雙極型晶體管(BJT),它們在電路設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。下面將詳細(xì)闡述這兩種
GaN晶體管的應(yīng)用場景有哪些
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),近年來在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性,使得GaN晶體管
晶體管,場效應(yīng)管是什么控制器件
NPN型和PNP型兩種。晶體管的三個(gè)主要引腳是發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector)。 在NPN型晶體管中
評論