本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。

PART 01

GaN材料與器件介紹

GaN材料介紹

GaN材料廣泛用于射頻器件，特別是高頻應(yīng)用，目前在5G通訊技術(shù)的應(yīng)用中有著重大意義。此外，GaN材料在電力電子應(yīng)用中也逐漸得到廣泛應(yīng)用，例如新能源汽車充電樁，快速充電器等消費(fèi)類電子領(lǐng)域。其次，GaN的禁帶寬度很大，其不但具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率和高電子飽和速度等優(yōu)點(diǎn)，而且化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，抗輻照能力強(qiáng)，非常適合在高溫、高頻和大功率環(huán)境下應(yīng)用。

同時(shí)，GaN的高熱導(dǎo)率有助于快速釋放器件工作時(shí)產(chǎn)生的熱量，這樣有效降低了器件因散熱問題發(fā)生失效的概率。GaAs的電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，雖然具有很好的高頻特性，但其擊穿電場(chǎng)只有600kV/cm，限制了其在高溫大功率下的應(yīng)用。SiC擊穿電場(chǎng)高達(dá)3.5MV/cm，但因自身電子遷移率過低，限制了其在高頻環(huán)境下的應(yīng)用。而GaN材料除了具有以上優(yōu)點(diǎn)，其他各項(xiàng)參數(shù)也都具備優(yōu)勢(shì)且很均衡，此外它還具有化學(xué)性質(zhì)很穩(wěn)定、抗輻射和耐腐蝕能力強(qiáng)的特點(diǎn)。因此GaN在制備高頻大功率器件方面具有巨大的潛力和廣闊的前景，同時(shí)也很適合制作高溫和抗輻照的光電子器件。GaN器件由于結(jié)構(gòu)中包含可以實(shí)現(xiàn)高速性能的異質(zhì)結(jié)二維電子氣，相比于SiC器件擁有更高的工作頻率，但可承受電壓更低，所以GaN器件在高頻率、小體積、成本敏感和功率要求低的電源領(lǐng)域，如輕量化的消費(fèi)電子電源適配器、無人機(jī)用超輕電源和無線充電設(shè)備等。

GaN HEMT器件介紹

GaN器件具有非常小的開態(tài)電阻，從而可以進(jìn)一步提高器件的輸出功率，滿足了器件高功率的要求。由于橫向二維電子氣結(jié)構(gòu)可提供很高的電荷密度和遷移率，這使得GaN器件具有很大的電子飽和速度，并且極高的飽和速度使其具備良好的頻率特性。

如下圖，對(duì)于增強(qiáng)型GaN器件，柵源電壓Vgs≤0V時(shí)，即在Gate端加負(fù)電壓，排掉電子，阻斷二維電子氣使器件關(guān)斷，高于閾值電壓的偏置電壓開通二維電子氣實(shí)現(xiàn)器件的導(dǎo)通。不像傳統(tǒng)MOS帶有柵氧，GaN器件的Gate端沒有柵氧，沒有柵電容的充放電過程，使其驅(qū)動(dòng)速度非?？欤m合高頻大功率場(chǎng)合的應(yīng)用。

PART 02

GaN HEMT器件仿真

耗盡型/常開型GaN HEMT器件仿真

常開型GaN HEMT器件轉(zhuǎn)移和輸出特性

常開型GaN HEMT器件擊穿特性

增強(qiáng)型/常關(guān)型GaN HEMT器件仿真

對(duì)于一般的GaN FET的Gate需要加負(fù)壓才能使溝道不連續(xù)，變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)，在Vg=0時(shí)溝道依舊處于開啟的狀態(tài)，所以GaN是常開器件。但是如果Gate使用摻雜Mg的GaN作為P+柵極，在Vg=0耗盡溝道，就可產(chǎn)生常關(guān)的晶體管。

PART 03

GaN二極管器件仿真

氮化鎵肖特基二極管仿真

對(duì)GaN摻入硅元素，可以實(shí)現(xiàn)N型摻雜，完成肖特基二極管結(jié)構(gòu)的搭建。

對(duì)GaN肖特基二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性仿真時(shí)，需要加入非局域遂川、肖特基勢(shì)壘功函數(shù)……以完成GaN肖特基二極管正向特性掃描。

PART 04

Concentraion與NetActive

Concentraion與NetActive

在查看器件的濃度分布時(shí)，常常有DopingConcentrain和NetActive兩種不同的選項(xiàng)，但是一般不會(huì)同時(shí)出現(xiàn)，NetDoping一般用于表示經(jīng)摻雜，Active一般用于表示已經(jīng)激活的雜質(zhì)分布，DopingConcentraion和NetActive都可以查看總的摻雜分布，如果施主摻雜濃度NA大于施主摻雜濃度ND，則摻雜類型顯示為P型，如果如果施主摻雜濃度ND大于施主摻雜濃度NA ，則摻雜類型顯示為N型。在新版本軟件中，Sde運(yùn)行完成后往往找不到摻雜分布DopingConcentraion，此時(shí)則需要把如BoronConcentraion、PhosphorusConcentraion、ArsenicConcentraion改為BoronActiveConcentraion、PhosphorusActiveConcentraion、ArsenicActiveConcentraion，同樣地還有碳化硅中的P型區(qū)鋁元素?fù)诫sAluminumActiveConcentraion、N型區(qū)氮元素?fù)诫sNitrogenActiveConcentraion，氮化鎵中的N型區(qū)硅元素?fù)诫snSiliconActiveConcentraion、P型區(qū)鎂元素?fù)诫spMagnesiumActiveConcentraion等……選擇NetActive查看器件的雜質(zhì)濃度分布情況。如果不確定摻雜元素，N型摻雜可以寫成NDopantActiveConcentraion，P型摻雜可以寫成PDopantActiveConcentraion。并且使用命令PDopantActiveConcentraion代替命令pMagnesiumActiveConcentraion，還可以解決低版本軟件不能P型鎂摻雜識(shí)別等問題。