安森美通過一系列戰(zhàn)略保持增長，包括與核心客戶簽訂長期供貨協(xié)議、與中國企業(yè)建立聯(lián)合技術(shù)應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室、與中國本土合作伙伴緊密合作，預(yù)計(jì)2022年到2027年?duì)I收年復(fù)合增長可達(dá)38%。

順應(yīng)雙碳戰(zhàn)略下電動(dòng)汽車和可再生能源的發(fā)展趨勢，安森美聚焦智能電源和智能感知兩大核心技術(shù)，深耕汽車和工業(yè)市場。

換電站的高能效發(fā)展迫在眉睫，實(shí)現(xiàn)高能效的關(guān)鍵技術(shù)因素包括：雙向變換拓?fù)?、雙向LLC控制、同步整流控制、SiC MOS功率器件、雙向LLC、諧振參數(shù)匹配、變壓器磁集成。安森美SiC MOSFET模塊具有體積小、可靠性高、裝配簡潔方便等優(yōu)勢，有助于提高換電站能效。

針對熱議話題“特斯拉NACS標(biāo)準(zhǔn)能否一統(tǒng)全球”，答案是目前還不能。與之共存的還有中國國標(biāo)GB/T、CCS1美標(biāo)（combo/Type 1）、CCS2歐標(biāo)（combo/Type 2）、日本標(biāo)準(zhǔn)CHAdeMO。

安森美T10系列產(chǎn)品最大的優(yōu)勢是擁有更高的功率密度，適用于快速開關(guān)DC-DC 應(yīng)用、電機(jī)控制應(yīng)用。此外，為攻克工業(yè)功率器件的散熱難題，安森美基于深厚的封裝知識(shí)，推出了全新具有卓越熱性能的TCPAK57封裝。這種封裝設(shè)計(jì)使得MOSFET器件能夠提供更高的功率密度和更低的RDS(on)，同時(shí)熱量從頂部散發(fā)，降低PCB溫度，提高PCB利用率。

針對不同電池電壓，安森美提供從650V、900V、1200V到1700V的SiC Diode和SiC MOSFET產(chǎn)品線。目前火爆的800V電池架構(gòu)，安森美的1200V M3S EliteSiC可輕松應(yīng)對。

安森美最新款FS7 IGBT的低開關(guān)損耗可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。FS7 IGBT極佳的開關(guān)性能，能夠在要求非常高的高功率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中滿足最具挑戰(zhàn)的能效要求。

安森美高性能功率集成模塊（PIM）可滿足各種組串式光伏逆變器的需求，配合并推動(dòng)市場向強(qiáng)大的1500V系統(tǒng)的趨勢發(fā)展。其中，330kW光伏組串式逆變器，采用安森美改進(jìn)的PIM，簡化設(shè)計(jì)，降低成本并實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的系統(tǒng)能效。

面對電源功率提升和體積重量減小的需求趨勢對系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率和工作溫度帶來的嚴(yán)苛要求，采用更高的頻率、更大的工作電流和電壓以及耐高溫的功率器件成為目前主流的解決方案。這些變化對驅(qū)動(dòng)功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器帶來了諸多挑戰(zhàn)：系統(tǒng)工作溫度接近甚至超過125℃，隔離電壓不足，驅(qū)動(dòng)電流不足，開關(guān)過程產(chǎn)生的強(qiáng)EMI和振鈴對驅(qū)動(dòng)器輸入和內(nèi)部的干擾，系統(tǒng)級(jí)的可靠性不足。圍繞這些痛點(diǎn)，安森美在門級(jí)驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)上不斷探索，通過如下方面的進(jìn)展，幫助實(shí)現(xiàn)可用方案和縮短上市時(shí)間：更快的響應(yīng)速度(TPD)、更高的抗噪聲能力（CMTI)、更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力(15A)、靈活的輸入輸出配置（Differential INs and split Outs)、增強(qiáng)的防誤開啟(AMC)，故障診斷(Desat I&II)和報(bào)錯(cuò)特性(Fault, PG)等。

電氣化趨勢正在席卷農(nóng)業(yè)車輛(CAV)行業(yè)，激烈的競爭推動(dòng)設(shè)備廠商不斷提高功率密度并降低成本。安森美為市場提供涵蓋低、中、高功率范圍的PIM，其中，最新硬核產(chǎn)品Qdual3 PIM具有出色的電氣性能和熱性能，其標(biāo)準(zhǔn)引腳不僅適合智能CAV應(yīng)用，還適用于包括中央PV逆變器、儲(chǔ)能轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的多種應(yīng)用。