繼上一篇為大家介紹了《泰凌微電子晶振頻偏產(chǎn)生原理及背景教程（一）》，本篇將繼續(xù)為大家介紹晶振頻偏校準(zhǔn)及實(shí)施步驟。

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晶振步進(jìn)確認(rèn)

1、下載EMI程序到PCBA

Telink wiki官網(wǎng)下載BDT工具：http://wiki.telink-semi.cn/wiki/IDE-and-Tools/Burning-and-Debugging-Tools-for-TLSR9-Series/

2、打開EMI工具（以B91芯片系列為例）

3、EMI程序下載（以2.4G私有協(xié)議為例）

4、讀取頻偏校準(zhǔn)值 ，沒有校準(zhǔn)過的芯片讀flash FE000(1M)或1FE000(2M)默認(rèn)值是FF。

5、讀取analog 地址8a，默認(rèn)讀取值是60.頻偏校準(zhǔn)值如果不是FF，則讀取到的值跟隨flash中的頻偏校準(zhǔn)值。

6、修改模擬寄存器8a中的值，此時(shí)可以在頻譜儀上看到頻偏。

如上測試數(shù)據(jù)分析：以默認(rèn)值為中心點(diǎn)，cap校準(zhǔn)值變大，則頻偏向負(fù)方向移動，如果頻偏校準(zhǔn)值變小，則頻偏向正方向移動。當(dāng)前晶振符合低延時(shí)性能指標(biāo)。

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生產(chǎn)驗(yàn)證

通過EMI工具初步選定晶振，進(jìn)行小批量生產(chǎn)，統(tǒng)計(jì)默認(rèn)狀況下的頻偏范圍是否均衡分布，如果頻偏是偏正偏，則選用負(fù)載電容再小點(diǎn)的晶振；如果頻偏是偏負(fù)偏，則選用負(fù)載電容再大點(diǎn)的晶振，然后再進(jìn)行小批試產(chǎn)；如果頻偏有正偏也有負(fù)偏，基本均勻分布，則晶振選定，進(jìn)行正常的頻偏校準(zhǔn)并對校準(zhǔn)值進(jìn)行保存，完成晶振選型和頻偏校準(zhǔn)。

如下是晶振選型及頻偏校準(zhǔn)基本流程：

晶振選型概括如下：

頻偏正偏，則晶振負(fù)載電容向小的調(diào)；

頻偏負(fù)偏，則晶振負(fù)載電容向大的調(diào)。

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