P型硅和N型硅，沒(méi)接觸就不會(huì)出現(xiàn)結(jié)，相互接觸就形成一個(gè)結(jié)，被稱為PN結(jié)

P型硅中有大量的多子空穴和少量的電子；N型硅中有大量的多子電子和少量的空穴；

中間的結(jié)對(duì)載流子的流動(dòng)不構(gòu)成障礙，所以有一些空穴就從P型硅擴(kuò)散到N型硅，同樣，一些電子從N型硅擴(kuò)散到P型硅；

這時(shí)候，兩邊的少子濃度都要高于它單獨(dú)摻雜時(shí)的情況，即：擴(kuò)散通過(guò)結(jié)的那些載流子（相對(duì)另一邊為少子）被稱為“過(guò)量少子濃度“

在載流子擴(kuò)散通過(guò)結(jié)的時(shí)候，它也建立了一個(gè)電場(chǎng)：N型硅過(guò)量空穴提供正電，P型硅過(guò)量電子提供負(fù)電，所以結(jié)兩側(cè)形成了電壓，建立了電場(chǎng)；

（備注：N型半導(dǎo)體典型摻雜：磷、砷、銻；P型半導(dǎo)體典型摻雜：硼）

載流子通過(guò)結(jié)的同時(shí)，摻雜的電離雜質(zhì)原子是不能移動(dòng)的，P型區(qū)的一側(cè)帶負(fù)電的電離雜質(zhì)，N型區(qū)帶正電的電離雜質(zhì)；

存在電場(chǎng)，則空穴被吸引到電位為負(fù)的P型區(qū)，電子則被吸引到電位為正的N型區(qū)，即：載流子的漂移趨于抵消擴(kuò)撒，從P型區(qū)擴(kuò)撒到N型區(qū)的空穴又漂移回去，N型區(qū)擴(kuò)散到P型區(qū)的電子也漂移回去，即：擴(kuò)散電流與漂移電流大小相等方向相反時(shí)建立平衡，結(jié)電壓平衡，兩側(cè)過(guò)量少子濃度也達(dá)到平衡；

PN結(jié)特性：載流子擴(kuò)散通過(guò)結(jié)，在耗盡區(qū)兩側(cè)形成過(guò)量少子濃度；電離雜質(zhì)原子的分離形成耗盡區(qū)電場(chǎng)，阻止多子穿越耗盡區(qū)，最終兩段達(dá)到平衡狀態(tài)~

（備注：耗盡區(qū)厚度取決于結(jié)兩側(cè)摻雜水平，輕摻雜需要耗盡較寬的硅層，重?fù)诫s，需要很窄的耗盡層）

審核編輯：黃飛