一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶體管三種接法的特點(diǎn)

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-12-12 14:23 ? 次閱讀

晶體管三種接法的特點(diǎn)

晶體管是一種常見的電子元器件,具有開關(guān)和放大功能。根據(jù)不同的接法,晶體管的特點(diǎn)也會(huì)有所不同。一般來說,晶體管的接法分為共集電極、共射極和共基極三種類型。下面將詳細(xì)介紹晶體管三種接法的特點(diǎn)。

1. 共集電極接法(Common Collector)

共集電極接法也叫作接地極接法,是晶體管最常見的接法之一。在這種接法中,集電極和輸出信號(hào)共地,基極作為輸入信號(hào)控制端,發(fā)射極是輸出端。以下是共集電極接法的特點(diǎn):

(1)電壓放大系數(shù)高:通常,以接地(低電阻)為基準(zhǔn)時(shí),輸入信號(hào)較小,基極電流較大,而輸出信號(hào)較大,集電極電流較小。這使得晶體管在共集電極接法中具有較高的電壓放大系數(shù)。

(2)相位反向:在共集電極接法中,輸入信號(hào)與輸出信號(hào)是相位反向的。這是因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用在基極-發(fā)射極之間,而輸出信號(hào)經(jīng)過集電極-發(fā)射極之間。

(3)低輸入阻抗:共集電極接法中,輸入信號(hào)通常與基極直接相連,這使得輸入阻抗相對(duì)較低。因此,共集電極接法適合于連接低阻抗源或驅(qū)動(dòng)低阻抗負(fù)載。

(4)高輸出阻抗:在共集電極接法中,輸出信號(hào)從集電極獲得,這意味著輸出阻抗較高。因此,共集電極接法可以減少輸出端與負(fù)載之間的電流泄漏。

2. 共射極接法(Common Emitter)

共射極接法是晶體管最常用的接法之一。在這種接法中,發(fā)射極連接到地,輸入信號(hào)作用在基極上,而輸出信號(hào)通過集電極傳輸。以下是共射極接法的特點(diǎn):

(1)電流放大系數(shù)高:共射極接法中,輸入信號(hào)作用在基極上,輸出信號(hào)從集電極獲得。由于發(fā)射極連接到地,因此集電極-發(fā)射極之間存在較大的電流放大系數(shù)。

(2)相位反向:在共射極接法中,輸入信號(hào)與輸出信號(hào)是相位反向的。與共集電極接法相同,在共射極接法中也是因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用在基極-發(fā)射極之間,而輸出信號(hào)從集電極-發(fā)射極之間獲取。

(3)中等輸入、輸出阻抗:共射極接法中,輸入信號(hào)通過基極傳輸,因此輸入阻抗相對(duì)較高。同時(shí),由于輸出信號(hào)通過集電極進(jìn)行傳輸,輸出阻抗相對(duì)較低。

(4)單極性電源:共射極接法適用于單極性電源,因?yàn)檫@種接法中只需要一個(gè)電源供電即可工作。

3. 共基極接法(Common Base)

共基極接法是晶體管三種接法中應(yīng)用最少、最不常見的一種接法。在這種接法中,基極連接到共地,輸入信號(hào)通過發(fā)射極傳輸,而輸出信號(hào)經(jīng)過集電極獲取。以下是共基極接法的特點(diǎn):

(1)電流放大系數(shù)低:由于輸出信號(hào)經(jīng)過集電極獲得,發(fā)射極連接到地,因此共基極接法中的電流放大系數(shù)相對(duì)較低。

(2)相位同向:與前兩種接法不同,共基極接法中的輸入信號(hào)和輸出信號(hào)是相位同向的。這是因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用在發(fā)射極-基極之間,而輸出信號(hào)經(jīng)過集電極-發(fā)射極之間。

(3)高輸入阻抗:共基極接法中,輸入信號(hào)通過發(fā)射極傳輸,導(dǎo)致輸入阻抗較高。這使得共基極接法適合于連接高阻抗源或驅(qū)動(dòng)高阻抗負(fù)載。

(4)低輸出阻抗:在共基極接法中,輸出信號(hào)從集電極獲得,這意味著輸出阻抗相對(duì)較低。因此,共基極接法可以減少輸出端與負(fù)載之間的電壓衰減。

綜上所述,晶體管的三種接法各有其特點(diǎn)。共集電極接法具有高輸入、輸出阻抗,適合連接低阻抗源或驅(qū)動(dòng)低阻抗負(fù)載;共射極接法具有較高的電流放大系數(shù),適用于單極性電源;共基極接法具有高輸入阻抗和低輸出阻抗,適合連接高阻抗源或驅(qū)動(dòng)高阻抗負(fù)載。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9909

    瀏覽量

    140191
  • 集電極電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    2

    瀏覽量

    5304
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例

    晶體管的基極(B)和發(fā)射極(E)之間施加正向電壓時(shí),勢(shì)壘被降低,允許電流通過。 1. 晶體管的基本結(jié)構(gòu) 晶體管主要有三種類型:雙極型晶體管
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:50 ?1410次閱讀

    晶體管與場(chǎng)效應(yīng)的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)

    晶體管與場(chǎng)效應(yīng)的區(qū)別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?717次閱讀

    晶體管的工作狀態(tài)判斷方法

    晶體管的工作狀態(tài)判斷是電子工程領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要技能,它對(duì)于確保電路的正常運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。晶體管的工作狀態(tài)通常根據(jù)其內(nèi)部PN結(jié)的偏置情況來判斷,主要包括截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)三種,以及一
    的頭像 發(fā)表于 09-23 18:16 ?3938次閱讀

    晶體管的基本工作模式

    晶體管作為電子電路中的核心元件,其基本工作模式對(duì)于理解其工作原理和應(yīng)用至關(guān)重要。晶體管的工作模式主要可以分為兩大類:放大模式和開關(guān)模式。這兩模式基于晶體管內(nèi)部PN結(jié)的特性,通過控制輸
    的頭像 發(fā)表于 09-13 16:40 ?1571次閱讀

    NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別

    NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:10 ?6871次閱讀

    NPN型晶體管三種狀態(tài)判斷方法

    NPN型晶體管作為電子學(xué)中的基礎(chǔ)元件,具有放大、開關(guān)等多種功能。其工作狀態(tài)根據(jù)基極、發(fā)射極和集電極之間的電壓和電流關(guān)系可分為截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。以下是對(duì)NPN型晶體管三種狀態(tài)判斷方法的詳細(xì)闡述,旨在提供全面且深入的理解
    的頭像 發(fā)表于 08-13 17:33 ?4227次閱讀

    晶體管處于放大狀態(tài)的條件是什么

    晶體管是一半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。它具有個(gè)主要的引腳:基極(B)、發(fā)射極(E)和集電極(C)。晶體管的工作原理是通過控制基極和發(fā)射極之間的電流,來控制集電極和發(fā)射極之間的
    的頭像 發(fā)表于 07-18 18:15 ?2351次閱讀

    三種功率器件的應(yīng)用區(qū)別

    GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)、Si MOSFET(硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是三種不同的功率半導(dǎo)體器件
    的頭像 發(fā)表于 07-18 16:53 ?8842次閱讀
    <b class='flag-5'>三種</b>功率器件的應(yīng)用區(qū)別

    晶體管放大飽和截止怎么判斷

    晶體管是一半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中,其工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。晶體管的放大、飽和和截止是其三種基本的工作狀態(tài),對(duì)于電子電路的設(shè)計(jì)和應(yīng)用至關(guān)重要。 一、
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:32 ?2529次閱讀

    晶體管電流的關(guān)系有哪些類型 晶體管的類型

    和設(shè)計(jì)電子電路具有重要意義。 晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 晶體管主要由層半導(dǎo)體材料組成,分別為發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector)。根據(jù)半導(dǎo)體材料的類型,
    的頭像 發(fā)表于 07-09 18:22 ?2373次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>電流的關(guān)系有哪些類型 <b class='flag-5'>晶體管</b>的類型

    放大電路的三種組態(tài)可以放大什么

    是對(duì)這三種放大電路組態(tài)的介紹。 1. 共射放大電路(Common Emitter Amplifier) 共射放大電路是三種組態(tài)中最常用的一,其特點(diǎn)是具有較高的電壓增益和中等的電流增益
    的頭像 發(fā)表于 07-09 14:31 ?2181次閱讀

    什么是光電晶體管?光電晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

    光電晶體管是具有個(gè)端子(發(fā)射極、基極和集電極)或兩個(gè)端子(發(fā)射極和集電極)的半導(dǎo)體器件,并具有光敏基極區(qū)域。雖然所有晶體管都對(duì)光敏感,但光電晶體管專門針對(duì)光檢測(cè)進(jìn)行了優(yōu)化。它們采用擴(kuò)
    的頭像 發(fā)表于 07-01 18:13 ?3377次閱讀
    什么是光電<b class='flag-5'>晶體管</b>?光電<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作原理和結(jié)構(gòu)

    PNP晶體管符號(hào)和結(jié)構(gòu) 晶體管測(cè)試儀電路圖

    PNP晶體管是一雙極性晶體管,用于電子電路中放大、開關(guān)和控制電流的器件。與NPN晶體管相對(duì)應(yīng),PNP晶體管的結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 07-01 17:45 ?4260次閱讀
    PNP<b class='flag-5'>晶體管</b>符號(hào)和結(jié)構(gòu) <b class='flag-5'>晶體管</b>測(cè)試儀電路圖

    晶體管光耦概念、原理及特點(diǎn)探討

    晶體管光耦(Transistor Output Optocoupler)是一用于隔離和傳輸電信號(hào)的器件,主要由發(fā)光二極(LED)、光電三極管(Phototransistor)組成。
    的頭像 發(fā)表于 06-29 09:26 ?1351次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦概念、原理及<b class='flag-5'>特點(diǎn)</b>探討

    晶體管三種工作狀態(tài)

    晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的基石,其工作狀態(tài)直接影響電子設(shè)備的性能和功能。晶體管通常具備三種基本的工作狀態(tài):截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)和飽和狀態(tài)。這三種狀態(tài)不僅決定了
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:53 ?2285次閱讀