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碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及未來趨勢

國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化 ? 2023-12-13 09:32 ? 次閱讀
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碳化硅功率器件:新一代電力電子設(shè)備的基石

隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備在各種領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛。然而,傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能極限。為了滿足不斷增長的性能需求,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的電力電子設(shè)備,正逐漸取代傳統(tǒng)的硅基功率器件,成為新一代電力電子設(shè)備的基石。

一、碳化硅功率器件的優(yōu)勢

碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅基功率器件,具有以下優(yōu)勢:

更高的工作頻率:碳化硅功率器件具有更高的電子遷移率和更大的熱導(dǎo)率,使得其工作頻率高達(dá)幾百兆赫茲甚至GHz級別,而硅基功率器件的工作頻率通常在幾十到幾百兆赫茲之間。

更低的能耗:碳化硅功率器件具有更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,使得其在高頻率工作時(shí)依然保持較低的能耗。

更高的耐壓能力:碳化硅功率器件具有更高的耐壓能力,能夠在高溫、高濕、高輻射等惡劣環(huán)境下正常工作。

更小的體積:由于碳化硅功率器件具有更高的工作頻率和更低的能耗,因此可以縮小電力電子設(shè)備的體積和重量。

二、碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件在許多領(lǐng)域中都有廣泛的應(yīng)用,主要包括:

電力輸送:碳化硅功率器件可以用于制造高壓直流輸電和柔性交流輸電系統(tǒng)中的電力電子設(shè)備,提高電力輸送的效率和穩(wěn)定性。

電動汽車:碳化硅功率器件可以用于制造電動汽車中的電機(jī)控制器、充電樁等電力電子設(shè)備,提高電動汽車的性能和續(xù)航能力。

工業(yè)控制:碳化硅功率器件可以用于制造工業(yè)控制中的變頻器、電源等電力電子設(shè)備,提高工業(yè)控制的精度和效率。

航空航天:碳化硅功率器件可以用于制造航空航天中的電源、逆變器等電力電子設(shè)備,提高航空航天器的性能和安全性。

新能源領(lǐng)域:碳化硅功率器件可以用于制造風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電等新能源領(lǐng)域中的電力電子設(shè)備,提高新能源的利用效率和穩(wěn)定性。

三、碳化硅功率器件的未來發(fā)展趨勢

隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用需求的不斷增長,碳化硅功率器件將會在未來發(fā)揮更加重要的作用。未來,碳化硅功率器件將會朝以下幾個(gè)方面發(fā)展:

更高的性能:隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅功率器件的性能將會得到進(jìn)一步提高,包括更高的工作頻率、更低的能耗、更高的耐壓能力等。

更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域:隨著碳化硅功率器件的不斷普及和應(yīng)用成本的降低,其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)絹碓綇V泛,包括新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、智能家居等領(lǐng)域。

更環(huán)保的制造過程:為了滿足環(huán)保要求,碳化硅功率器件的制造過程也將會越來越環(huán)保,包括使用環(huán)保材料、降低能耗等措施。

總之,碳化硅功率器件作為一種新興的電力電子設(shè)備,具有許多優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用前景。未來隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和應(yīng)用需求的不斷增長,碳化硅功率器件將會發(fā)揮更加重要的作用,成為新一代電力電子設(shè)備的基石。

無錫國晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè),從事碳化硅場效應(yīng)管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機(jī)集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計(jì)配套服務(wù),總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi),并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實(shí)力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品,同時(shí)提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù),使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn),產(chǎn)品完全可以對標(biāo)國際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平,應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性,大幅降低開關(guān)損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統(tǒng)整體可靠性,可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運(yùn)行。

特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。在國內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計(jì)開發(fā)了28nm光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù),并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強(qiáng)型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機(jī)等集成電路產(chǎn)品,均獲得市場及各重點(diǎn)科研單位、檢測機(jī)構(gòu)的新產(chǎn)品認(rèn)定。

公司核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)中大部分工程師擁有碩士及以上學(xué)位,并有多名博士主持項(xiàng)目的開發(fā)。公司建立了科技創(chuàng)新和知識產(chǎn)權(quán)管理的規(guī)范體系,在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術(shù),擁有多項(xiàng)國際、國內(nèi)自主發(fā)明專利。

“國之重器,從晶出發(fā),自強(qiáng)自主,成就百年”是國晶微半導(dǎo)體的企業(yè)目標(biāo),我們?yōu)閱T工提供精彩的發(fā)展空間,為客戶提供精良的產(chǎn)品服務(wù),我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:碳化硅功率器件:新一代電力電子設(shè)備的基石

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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