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碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

芯長征科技 ? 來源:半導(dǎo)體信息 ? 2023-12-13 09:52 ? 次閱讀
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光伏—“新基建”和“碳中和”的新寵兒

太陽能作為一種可再生的清潔資源,具有兩大優(yōu)勢(shì):

一是可以直接利用,特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域;二是它足夠多:據(jù)計(jì)算,海平面上,每平方米每天可產(chǎn)生1kW電力,如果考慮日/夜周期,入射角,季節(jié)性等因素,每天每平方米或可以產(chǎn)生6kWh電量。

盡管,我們每天都能見到的太陽能是免費(fèi)的,但如何實(shí)現(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)化?

轉(zhuǎn)化率20%-30%是理想狀態(tài),實(shí)際上轉(zhuǎn)換效率可能會(huì)因各種原因而降低轉(zhuǎn)換效率:降雨,積雪和灰塵沉積,材料老化以及環(huán)境變化,例如由于植被的生長或新建筑物的安裝而增加陰影。

提高效率的最大技術(shù)之一是逆變器的設(shè)計(jì),逆變器將太陽能電池的直流輸出轉(zhuǎn)換為交流電流,以便直接消耗或通過電網(wǎng)傳輸。逆變器通過切換直流輸入電流的極性來工作,使其接近交流輸出。

工作原理是:開關(guān)頻率越高,轉(zhuǎn)換效率越高。簡單的開關(guān)即可產(chǎn)生方波輸出,可以驅(qū)動(dòng)負(fù)載,但是諧波會(huì)損失更多的電流。因此,逆變器需要平衡開關(guān)頻率以提高效率、工作電壓和功率容量。

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△ Single Boost拓?fù)?/p>

碳化硅(SiC)應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅用作光伏領(lǐng)域前景廣闊,目前,我國碳化硅產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于高速發(fā)展時(shí)期,它的快速發(fā)展也帶動(dòng)原材料與設(shè)備兩個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè),鏈接多個(gè)核心市場(chǎng)。以光伏領(lǐng)域?yàn)槔珻ASA 數(shù)據(jù)評(píng)估:預(yù)計(jì)到2025年,碳化硅功率器件在光伏逆變器中的占比將高達(dá)50%。綜合統(tǒng)計(jì)新增和更換兩大市場(chǎng),屆時(shí)我國光伏領(lǐng)域碳化硅的需求量將達(dá)到16萬片。

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△ 全球光伏預(yù)計(jì)新增裝機(jī)規(guī)模

近年來,太陽能電池板的“大尺寸、高功率、大密度”發(fā)展趨勢(shì)非常明顯,傳統(tǒng)光伏逆變器硅基器件無法滿足效率和發(fā)熱方面的需求,因此各方面性能更優(yōu)越的碳化硅器件脫穎而出。

碳化硅(SiC)在太陽能發(fā)電應(yīng)用中比硅具有多種優(yōu)勢(shì),其擊穿電壓是傳統(tǒng)硅的十倍以上, 比硅更低的導(dǎo)通電阻,柵極電荷和反向恢復(fù)電荷特性,以及更高的熱導(dǎo)率。這些特性意味著SiC器件可以在比硅等效器件更高的電壓,頻率和電流下切換,同時(shí)更有效地管理散熱。

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△ Si與SiC在600V/700V效率對(duì)比

MOSFET廣泛用于高達(dá)300V的開關(guān)應(yīng)用中,高于該電壓時(shí),器件的導(dǎo)通電阻上升,設(shè)計(jì)者不得不轉(zhuǎn)向較慢的雙極器件。SiC的高擊穿電壓意味著它可以用來制造比硅中可能的電壓高得多的MOSFET,同時(shí)保留了低壓硅器件的快速開關(guān)速度優(yōu)勢(shì)。開關(guān)性能也相對(duì)獨(dú)立于溫度,從而在系統(tǒng)升溫時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能。

SiC的導(dǎo)熱系數(shù)也是硅的3倍,可以在更高的溫度下運(yùn)行。硅在175℃左右就無法正常運(yùn)行,甚至在200攝氏度時(shí)直接會(huì)變成導(dǎo)體。而SiC直到1000℃左右才發(fā)生這種情況。

可以通過兩種方式利用SiC的熱特性。首先,它可以用于制造功率轉(zhuǎn)換器,而該轉(zhuǎn)換器所需的冷卻系統(tǒng)要少于等效的硅系統(tǒng)。另外,SiC在較高溫度下的穩(wěn)定運(yùn)行可用于空間非常寶貴的情況下制造密集的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),例如車輛和蜂窩基站。

由于功率轉(zhuǎn)換效率與開關(guān)頻率直接相關(guān),因此,SiC既可以處理比硅更高的電壓,又可以確保高轉(zhuǎn)換效率所需的超高轉(zhuǎn)換頻率,實(shí)現(xiàn)了雙贏。

“十四五”戰(zhàn)略規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)提出,要加速推動(dòng)碳化硅等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。未來隨著光伏發(fā)電市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,光伏逆變器的應(yīng)用將大幅增長。彈性市場(chǎng)需求疊加剛性政策目標(biāo),“光伏熱”持續(xù)發(fā)力,而光伏逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的“大腦”,碳化硅順應(yīng)時(shí)勢(shì)應(yīng)用到光伏逆變器中的優(yōu)勢(shì)顯而易見。

來源:半導(dǎo)體信息

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:碳化硅在光伏領(lǐng)域持續(xù)發(fā)熱

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