12月13-14日，由行家說三代半主辦的2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮于深圳國際會展中心皇冠假日酒店隆重舉辦，納微半導體憑借GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs斬獲行家極光獎 - “年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”！

納微半導體銷售運營及代理商管理總監(jiān)李銘釗出席頒獎儀式，并受邀參加了12月13日的SiC市場機遇與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同圓桌論壇，分享了SiC（碳化硅）市場新變化，以及納微半導體GeneSiC碳化硅功率器件如何能夠在變化不定的市場中取得持續(xù)突破。

極光獎由行家說Research、行業(yè)專家、終端廠商等共同評選，旨在嘉獎SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）領(lǐng)域中襯底、外延、器件、模組、設(shè)備、材料等環(huán)節(jié)的最新技術(shù)成果和優(yōu)秀產(chǎn)品。

獲獎產(chǎn)品

GeneSiC 3.3kV SiC MOSFETs

通過將混合式的PiN Schottky（MPS）二極管單片集成到MOSFET中，納微半導體GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs實現(xiàn)了更高效的雙向性能、溫度無關(guān)的開關(guān)特性、低開關(guān)和導通損耗、降低散熱要求、卓越的長期可靠性、易于并聯(lián)和更低的成本，并具有遠超3.3kV達到3.6-3.9kV的擊穿電壓范圍，展現(xiàn)了平穩(wěn)的開關(guān)性能。

在電力儲存領(lǐng)域的時代不斷擴大的未來，納微半導體GeneSiC 3.3kVSiCMOSFETs可用于實現(xiàn)全碳化硅的逆變器，驅(qū)動電力傳輸、可再生能源整合和能源儲存事業(yè)的改革，以更高的系統(tǒng)效率、更低的工作溫度及更小的芯片尺寸，加速對傳統(tǒng)硅半導體的取代。

此次納微半導體GeneSiC 3.3kV SiC MOSFETs榮獲“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”，代表整個行業(yè)對GeneSiC碳化硅功率器件技術(shù)和實力的雙重認可。未來，納微半導體還將不斷推進GeneSiC碳化硅技術(shù)研發(fā)，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效、穩(wěn)定的功率轉(zhuǎn)換，加速我們Electrify Our World的使命。

審核編輯：劉清