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川土微電子高壓隔離開關(guān)產(chǎn)品概述

川土微電子chipanalog ? 來源:川土微電子chipanalog ? 2023-12-15 17:02 ? 次閱讀
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川土微電子1700V高壓隔離開關(guān)新品發(fā)布!包含車規(guī)料號CA-IS3417WT-Q1與工規(guī)料號CA-IS3417WT。

01產(chǎn)品概述

CA-IS3417WT/3417WT-Q1是一款光耦兼容的高壓隔離開關(guān),原邊輸入級為模擬二極管(e-diode),與光MOS繼電器相比,它具有更好的一致性、長期可靠性和老化性能。隔離副邊集成了背靠背的高壓SiC MOS,而SiC MOS具有更好的高溫特性和可靠性,使得該器件可以運(yùn)行在更高環(huán)境溫度下。

02產(chǎn)品特性

? 模擬光耦輸入特性

? 輸出背靠背設(shè)計,防止電流反偏

? 漏源極電壓高達(dá)1700V

? 超低關(guān)斷靜態(tài)電流 1μA Max

? 輸入級最高反向耐壓5.5V

? 漏源極支持50mA最大導(dǎo)通電流

? 導(dǎo)通電阻: 300 Ω (max)

? 寬工作溫度范圍:-40 °C ~ 125 °C

? 高CMTI:±150 kV/μs(典型)

? 基于兩層PCB板,可滿足CISPR32 Class-B的EMI標(biāo)準(zhǔn)(CA-IS3417WT)和CISPR25 Class-5的EMI標(biāo)準(zhǔn)(CA-IS3417WT-Q1)

? 優(yōu)異的隔離性能(認(rèn)證中):

-UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)下,長達(dá)1 分鐘的5kVRMS 隔離耐壓

- 符合DIN V VDE V 0884-17:2017-01 標(biāo)準(zhǔn)的7070 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM

? RoHS Compliant

? 封裝形式:SOIC12-WB(WT)

421054f0-9b23-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

03典型應(yīng)用

?高壓電池包電壓采樣

? 高壓電池包絕緣檢測

?高壓繼電器故障診斷

04應(yīng)用圖

421b2600-9b23-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

CA-IS3417WT /3417WT-Q1 典型應(yīng)用圖

審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:【新品發(fā)布】川土微電子CA-IS3417WT/3417WT-Q1 1700V高壓隔離開關(guān)

文章出處:【微信號:川土微電子chipanalog,微信公眾號:川土微電子chipanalog】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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