產(chǎn)品主要設(shè)計規(guī)格如下：

輸入電壓：120VAC ~ 277VAC

輸出電流：恒流240mA

輸出電壓：48V

效率：>90%@220V

功率因數(shù)：>0.9@220VAC

經(jīng)過選型對比，使用美芯晟MT7933設(shè)計該項目：

電路設(shè)計如下：

PS：在最初的設(shè)計中，預(yù)留電感L1、L2，CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測試元件，預(yù)留磁珠FB1、陶瓷貼片電容C9、貼片電阻R14、R15作為輻射測試元件

傳導(dǎo)測試

步驟1：短接L2，L1=4.7mH，C1=0.1uf，C2=0.1uf

120V電壓輸入，L線傳導(dǎo)圖像：

277V電壓輸入，L線傳導(dǎo)圖像：

結(jié)果：輸入277V，將近150K的頻率讀點后余量少于3db

步驟2：將C2加大到0.22uf，再次測試圖像如下：

結(jié)果：手動讀點，余量7.19db，驗證N線后，無壓力通過

輻射測試

步驟1：在不加磁珠FB1、不加環(huán)路電容、變壓器不包銅皮的情況下，輻射數(shù)據(jù)嚴(yán)重超標(biāo)；

步驟2：針對續(xù)流回路，增加磁珠FB1(100M 60ohm)，環(huán)路電容C9=1nf；

結(jié)果：水平測試，余量逼近限度線；垂直測試，31MHZ、41MHZ、53MHZ處輻射數(shù)據(jù)超標(biāo)5-10db；

步驟3：將變壓器使用銅皮進(jìn)行外部線圈包裹，同時將C9增加至2.2nf;

結(jié)果：情況無改善；

步驟4：在MOS管Q2的D、S極并接60pf電容；

結(jié)果：無改善，圖像如下：

步驟5：重點關(guān)注高頻開關(guān)點（如下紅色圈處），調(diào)整Layout布線設(shè)計

原有布線方案中，留意高頻開關(guān)部分（打“X”的黑線），發(fā)現(xiàn)高頻走線過長，環(huán)路面積太大：

重新布局、Layout后：

再次測試輻射性能，在變壓器不加銅皮、環(huán)路電容C9=2.2nf、磁珠FB1(100MHZ 60ohm)的設(shè)計參數(shù)：

120V 水平、垂直測試圖像

（可向右滑動）

277V 水平、垂直測試圖像

（可向右滑動）

再次驗證傳導(dǎo)數(shù)據(jù)，性能依舊良好，問題解決！

審核編輯：劉清