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讓AC/DC電源適配器體積縮小一半、效率超95%,剖析TI低功耗GaN新品

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:吳子鵬 ? 2023-12-26 09:14 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)電源適配器作為電子設(shè)備的核心組件之一,隨著電子設(shè)備升級迭代速度加快,電源適配器也在經(jīng)歷著前所未有的快速發(fā)展。為了提高充電效率和安全性,電源適配器在高性能芯片和拓撲電路等方面持續(xù)創(chuàng)新。

本文我們將為大家重點介紹TI低功耗GaN(氮化鎵)系列新品,以及TI為這些新品器件打造的評估方案。

AC/DC解決方案的尺寸縮小一半

電源適配器是小型便攜式電子設(shè)備及電子電器的供電電源變換設(shè)備,其發(fā)展趨勢受到多方面因素的影響??偨Y(jié)而言,目前電源適配器的主要發(fā)展趨勢包括便攜式、輕薄化、高效能、高集成、高功率密度等。由于GaN IC相較于傳統(tǒng)Si MOSFET有著更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗,因此成為提升電源適配器性能的主要手段之一。

TI全新推出的低功耗GaN新品便是高度集成的GaN IC,如下圖所示,LMG3626是該系列中的其中一款器件,在器件內(nèi)部集成了功率 FET、柵極驅(qū)動器和電流檢測功能,這個電流檢測功能具有高帶寬和高精度的電流檢測仿真能力。通過高度集成的器件特性,TI低功耗GaN新品能夠幫助研發(fā)人員降低設(shè)計難度,并減少元器件的用量,降低BOM成本。此外,TI低功耗GaN新品還有LMG3622和LMG3624型號,均是高度集成的器件。

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LMG3626器件內(nèi)部框圖


根據(jù)TI給出的對比數(shù)據(jù),相較于分離式GaN和硅解決方案,TI低功耗GaN新品可以實現(xiàn)解決方案尺寸縮小50%,并聯(lián)電阻器功率損耗降低94%,對于消費級USB Type-C移動充電器、PC電源和電視電源等應(yīng)用,可以在縮小解決方案尺寸的同時保持甚至提高功率水平。

兼容主流的拓撲電路

在過去很長一段時間里,由于GaN HEMT和傳統(tǒng)Si MOSFET在驅(qū)動電路上有明顯不同,導(dǎo)致GaN器件在使用上會存在一定的門檻,給方案設(shè)計造成一定的困擾。而集成驅(qū)動的單芯片解決方案的出現(xiàn),使GaN器件比硅功率器件更簡單易用,此時研發(fā)人員可以將更多精力放在方案創(chuàng)新上,而不是花費大量心思探究GaN HEMT和Si MOSFET的不同。

當(dāng)然,對于TI低功耗GaN新品而言,這些器件不僅是高度集成的單芯片解決方案,同時其對主流拓撲友好的兼容性也能夠幫到研發(fā)人員。

據(jù)悉,TI低功耗GaN新品針對AC/DC電源轉(zhuǎn)換中常見的拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化,包括ACF、QR反激式、AHB反激式、LLC、圖騰柱PFC。其中,借助ACF 和 AHB 拓撲,這些GaN IC能夠幫助研發(fā)人員更大限度提高效率和功率密度;通過圖騰柱 PFC 拓撲,這些GaN IC支持更高功率的設(shè)計;在QR、ZVS、LLC 和升壓 PFC 拓撲中,這些GaN IC能夠?qū)崿F(xiàn)更低功耗的設(shè)計。

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ACF 和 AHB 拓撲

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圖騰柱 PFC 拓撲


我們展開來看,ACF 和 AHB 拓撲能夠完全消除低側(cè)場效應(yīng)晶體管 (FET) 上的電壓尖峰,從而在次級側(cè)啟用低壓同步整流器FET,有助于更大限度提高直流/直流級的效率和功率密度。通過這些描述不難看出,ACF 和 AHB 拓撲需要電路具備電流檢測能力,而TI低功耗GaN新品均內(nèi)部集成了這種電流檢測功能,且基本是一種“無損”電流檢測。例如,在 65W ACF中,TI低功耗GaN新品集成電流檢測的損耗不到10mW,而傳統(tǒng)電流檢測方案的損耗約為170mW。

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集成電流檢測與傳統(tǒng)電流檢測的功率損耗對比


在圖騰柱 PFC 拓撲中,TI低功耗GaN新品不僅由于反向恢復(fù)損耗為零提升了拓撲的價值,同時提供可調(diào)節(jié)的壓擺率,有助于在系統(tǒng)中找到電磁干擾和效率的合理平衡點;在QR、ZVS、LLC 和升壓 PFC 拓撲中,只需要用TI低功耗GaN新品替換單個開關(guān) FET,即可看到效率和開關(guān)頻率能力的明顯提升。

對于傳統(tǒng)拓撲和創(chuàng)新拓撲電路的高度兼容,讓研發(fā)人員在使用TI低功耗GaN新品時,能夠更加自如,綜合應(yīng)用場景、性價比等多方面因素來選擇合適的拓撲結(jié)構(gòu)。據(jù)介紹,在大于 75W 的AC/DC應(yīng)用中,借助TI低功耗GaN新品,系統(tǒng)效率可提升至 95% 以上;在小于 75W 的AC/DC應(yīng)用中,借助TI低功耗GaN新品,系統(tǒng)效率可提升至 94%。

為了讓大家更快地熟悉TI低功耗GaN新品,TI公司還專門提供了評估套件——LMG3622EVM-082和LMG3624EVM-081。

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LMG3622EVM-082

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LMG3624EVM-081

結(jié)語

通過上述內(nèi)容能夠看出,憑借單芯片集成驅(qū)動的設(shè)計,TI低功耗GaN新品能夠顯著降低GaN器件的使用門檻,并簡化設(shè)計,降低BOM成本;通過對傳統(tǒng)和創(chuàng)新拓撲的兼容,研發(fā)人員可以借助TI低功耗GaN新品靈活地實現(xiàn)自己的方案設(shè)計;此外,TI低功耗GaN新品也能夠幫助研發(fā)人員改善方案散熱設(shè)計。


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