2023年，對于半導體行業(yè)而是言充滿挑戰(zhàn)和機遇的一年。

根據(jù)英飛凌2023年9月最新財報，英飛凌2023財年銷售額同比增長15%至163.9億歐元，刷新了歷史最高。其中，零碳綠色能源領域貢獻了約13%的年度營收。根據(jù)Omdia 9月公布的最新數(shù)據(jù)，英飛凌功率半導體器件繼續(xù)穩(wěn)居全球第一，占據(jù)超20%的市場份額。

今天，小編帶著大家一起來盤點下2023年英飛凌在零碳道路上的高光時刻。

百舸爭流，唯創(chuàng)新方能立于不敗之地

綠色能源領域是英飛凌專注耕耘且市場影響巨大的領域，英飛凌的系統(tǒng)方案覆蓋了新能源發(fā)電、輸電、供電的整個能源轉換鏈。

作為零碳技術的創(chuàng)新伙伴，英飛凌憑借在功率半導體領域數(shù)十年的經驗積累和沉淀，以及對系統(tǒng)和應用的深刻理解，在2023年面向綠色能源和零碳工業(yè)應用發(fā)布了一系列功率半導體器件和驅動芯片，新的參考設計板和評估板。因篇幅有限，選取幾款明星產品快速一覽：

業(yè)界首發(fā)，1200V H7最大電流規(guī)格達140A

2023年，英飛凌重磅發(fā)布TRENCHSTOP IGBT7單管全系列產品，包括T7，S7，H7三個系列，覆蓋了650V和1200V兩大電壓等級，5種不同的封裝，近40多個產品型號，極大地豐富了用戶的選擇。

得益于IGBT7微溝槽技術，TRENCHSTOP IGBT7單管系列極大的優(yōu)化了開關損耗和導通損耗，相較于市場上的IGBT單管元器件，英飛凌1200V H7產品最大電流達140A，成為業(yè)內第一款1200V實現(xiàn)額定電流140A的IGBT分立器件，相較于英飛凌上一代1200V高速單管High Speed H3的75A最大電流規(guī)格有了大幅的提升。此外，650V H7單管的電流等級達到150A。這高規(guī)格的電流可以減少IGBT并聯(lián)的數(shù)量，對于減小系統(tǒng)尺寸和減輕重量有極大的幫助。該系列還擁有強大的防潮和抗宇宙射線能力，正在成為光伏和儲能應用的炙手可熱的新星。

做大做強，

CoolSiC產品持續(xù)向更高電壓等級發(fā)力

2023年上市的CoolSiC 1200V MOSFET模塊（最大規(guī)格1mΩ）和CoolSiC 2000V MOSFET模塊（最大規(guī)格2.6mΩ）系列新添全新工業(yè)標準封裝產品。采用新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，以及成熟的62mm封裝的半橋模塊，使SiC MOSFET能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術在這一功率等級應用的功率密度已達極限值。而2000V的電壓等級，滿足現(xiàn)代系統(tǒng)設計中的高耐壓要求。借助英飛凌CoolSiC芯片技術，變換器的設計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統(tǒng)成本。

煥發(fā)新生，英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合

作為溝槽柵技術的倡導者和先行者，英飛凌IGBT芯片技術不斷創(chuàng)新，引領行業(yè)的產品技術不斷升級。2023年正式推出搭載1200V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62mm半橋和共發(fā)射極模塊產品組合，推出全新電流額定值模塊，最大電流規(guī)格高達800A?；谛滦臀喜奂夹g，1200V 62mm IGBT7模塊系列的靜態(tài)損耗遠遠低于搭載IGBT4芯片組的模塊，IGBT的振蕩行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模塊的最大過載結溫為175°C。這些特性大大降低了應用中的損耗。系統(tǒng)設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。

創(chuàng)新“驅動”，EiceDRIVER增強型系列再添拳頭產品

每一個功率器件都需要一個驅動芯片，合適的驅動芯片總能帶來事半功倍的效果。2023年推出EiceDRIVER F3增強型（1ED332x）系列是一個隔離型柵極驅動器系列。輸出電流能力大，+6A/-8.5A的典型峰值輸出電流，可用于大功率逆變器和寬禁帶器件。具備精確的VCEsat檢測（DESAT），帶故障輸出。退飽和檢測后的軟關斷在驅動IGBT和CoolSiC能做好短路保護。有源米勒鉗位功能使其成為使用SiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7的快速開關單電源設計應用的理想選擇。通過UL 1577認證以及IEC 60747-17，適用于伺服驅動器，UPS系統(tǒng)等應用。