根據(jù)最新的存儲(chǔ)器模組行業(yè)消息，隨著自2023年下半年以來(lái)NAND Flash價(jià)格一路攀升，三星電子和美光等主要存儲(chǔ)器制造商計(jì)劃在Q1上調(diào)DRAM價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)將達(dá)到15%-20%。

業(yè)內(nèi)分析師指出，上游制造商的關(guān)注點(diǎn)正在從NAND轉(zhuǎn)移到DRAM，特別是DDR4和DDR5等型號(hào)，成為下一輪價(jià)格上漲的關(guān)鍵推動(dòng)力。

盡管市場(chǎng)需求目前尚未完全穩(wěn)定，但存儲(chǔ)器行業(yè)內(nèi)部人士透露，他們最近收到了三星提出的警告，預(yù)計(jì)第1季DRAM價(jià)格至少將上漲15%。至于NAND的漲幅雖然尚未明確提出，但預(yù)計(jì)將繼續(xù)上漲，存儲(chǔ)器價(jià)格上漲趨勢(shì)可能會(huì)持續(xù)至2024年底。

此外，其他存儲(chǔ)器模組制造商也向客戶發(fā)布通知，預(yù)計(jì)在2024年第1季，三星和美光將相繼上調(diào)DRAM價(jià)格，漲幅約為15%到20%。與去年12月DRAM報(bào)價(jià)微幅上漲2%-3%相比，這一漲幅明顯低于3D TLC NAND的上漲幅度，后者約為10%。

隨著手機(jī)和服務(wù)器需求逐漸回升，預(yù)計(jì)2024年DRAM市場(chǎng)供應(yīng)將持續(xù)緊張。從1月份開始，制造商將調(diào)整DRAM的新報(bào)價(jià)，以促使客戶提前規(guī)劃未來(lái)的使用需求。

業(yè)內(nèi)觀察認(rèn)為，進(jìn)入2024年后，DRAM價(jià)格上漲的趨勢(shì)將變得更加顯著。由于DDR4庫(kù)存較高，導(dǎo)致市場(chǎng)價(jià)格相對(duì)疲弱，為了緩解營(yíng)運(yùn)虧損，預(yù)計(jì)2024年上半年將集中調(diào)整DDR4和DDR5的價(jià)格，而DDR3的產(chǎn)能和需求相對(duì)穩(wěn)定，其漲幅相對(duì)平穩(wěn)。

盡管上游制造商在第1季度啟動(dòng)DRAM價(jià)格上漲行動(dòng)并不令人意外，但存儲(chǔ)器模組制造商認(rèn)為DRAM價(jià)格上漲的動(dòng)力主要仍然來(lái)自于上游制造商的人為操縱。他們此前的內(nèi)部預(yù)測(cè)已經(jīng)表明，他們預(yù)計(jì)將迎來(lái)單季漲幅約15%到20%，因此近幾個(gè)月已陸續(xù)回購(gòu)低價(jià)庫(kù)存。

預(yù)計(jì)這輪DRAM價(jià)格上漲將由三星率先發(fā)動(dòng)，其操作方式幾乎與2023年第3季NAND價(jià)格上漲相似。然而，未來(lái)DRAM價(jià)格是否會(huì)像NAND Wafer一樣強(qiáng)勁攀升，還需觀察市場(chǎng)需求。

業(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，隨著上游制造商醞釀2024年第1季DRAM價(jià)格上漲，多家記憶體模組制造商已經(jīng)收到信號(hào)，啟動(dòng)備貨計(jì)劃。預(yù)計(jì)向OEM廠提供的合同價(jià)格將在一個(gè)季度內(nèi)有所延后，從第2季度開始將充分反映DRAM價(jià)格上漲的趨勢(shì)。