一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

應(yīng)用在LCD顯示器電源插頭里的氮化鎵(GaN)MTC-65W1C

御風(fēng)傳感 ? 來源:御風(fēng)傳感 ? 作者:御風(fēng)傳感 ? 2024-01-11 09:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

LCD(Liquid Crystal Display)顯示器是利用液晶顯示技術(shù)來進(jìn)行圖像表現(xiàn)的顯示裝置,從液晶顯示器的結(jié)構(gòu)來看,無論是筆記本電腦還是桌面系統(tǒng),采用的LCD顯示屏都是由不同部分組成的分層結(jié)構(gòu)。LCD顯示器按照控制方式不同可分為被動(dòng)矩陣式LCD及主動(dòng)矩陣式LCD兩種。

wKgaomWfQ--AH1nBAACREb5zOZw710.pngLCD顯示屏


LCD顯示器是一種數(shù)字顯示器,它基于液晶技術(shù)。液晶是一種類似于晶體的物質(zhì),它能夠通過電場控制其光強(qiáng)度和顏色。LCD顯示器由許多像素組成,每個(gè)像素都由液晶單元控制。當(dāng)電場被施加到液晶單元上時(shí),液晶會(huì)發(fā)生扭曲,這會(huì)使光線經(jīng)過液晶時(shí)旋轉(zhuǎn)。如果液晶單元中的兩個(gè)極板是平行的,則光線不會(huì)旋轉(zhuǎn)。如果它們是垂直的,則光線會(huì)被旋轉(zhuǎn)90度。因此,通過控制電場,可以使液晶單元的狀態(tài)更改,從而控制光強(qiáng)度和顏色。 LCD顯示器使用背光源來照亮像素。

LCD由兩塊玻璃板構(gòu)成,厚約1mm,其間由包含有液晶材料的5μm均勻間隔隔開。因?yàn)橐壕Р牧媳旧聿⒉话l(fā)光,所以在顯示屏兩邊都設(shè)有作為光源的燈管,而在液晶顯示屏背面有一塊背光板(或稱勻光板)和反光膜,背光板是由熒光物質(zhì)組成的可以發(fā)射光線,其作用主要是提供均勻的背景光源。

背光板發(fā)出的光線在穿過第一層偏振過濾層之后進(jìn)入包含成千上萬液晶液滴的液晶層。液晶層中的液滴都被包含在細(xì)小的單元格結(jié)構(gòu)中,一個(gè)或多個(gè)單元格構(gòu)成屏幕上的一個(gè)像素。在玻璃板與液晶材料之間是透明的電極,電極分為行和列,在行與列的交叉點(diǎn)上,通過改變電壓而改變液晶的旋光狀態(tài),液晶材料的作用類似于一個(gè)個(gè)小的光閥。在液晶材料周邊是控制電路部分和驅(qū)動(dòng)電路部分。當(dāng)LCD中的電極產(chǎn)生電場時(shí),液晶分子就會(huì)產(chǎn)生扭曲,從而將穿越其中的光線進(jìn)行有規(guī)則的折射,然后經(jīng)過第二層過濾層的過濾在屏幕上顯示出來。

wKgaomWfQ_6AJrdpAAE8NombAS8592.pngGaN/氮化鎵 -?MTC-65W1C


GaN/氮化鎵 -MTC-65W1C,本電源模組是65W單一C介面,其輸出電壓由協(xié)議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出,使用QR/DCM反馳式電路架構(gòu)于輸出20V重載時(shí)可達(dá)93%效率及功率密度可達(dá)1.5W/cm3,本系統(tǒng)采用同系列控制單晶片:QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到較佳匹配。

GaN/氮化鎵 -MTC-65W1C優(yōu)勢:

返馳式穀底偵測減少開關(guān)損失

輕載Burst Mode增加效率

較佳效能可達(dá)93%

空載損耗低于50mW

控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz

系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾

控制IC可直接驅(qū)動(dòng)GaN

進(jìn)階保護(hù)功能如下:

(1) VDD過電壓及欠電壓保護(hù)

(2) 導(dǎo)通時(shí)較大峰值電流保護(hù)

(3) 輸出過電壓保護(hù)

(4) 輸出短路保護(hù)

可輸出65W功率

GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面;氮化鎵(GaN)擁有極高的穩(wěn)定性,將GaN用于充電器的整流管后,能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗,提升開關(guān)頻率,附帶地降低廢熱的產(chǎn)生,進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。

臺(tái)灣美祿在GaN/氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹,技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善,如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術(shù)資料,請登錄工采網(wǎng)官網(wǎng)進(jìn)行咨詢。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • lcd
    lcd
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    4520

    瀏覽量

    171605
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    1796

    瀏覽量

    118065
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2209

    瀏覽量

    76829
  • 電源插頭
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    19

    瀏覽量

    7304
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    如何在開關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化技術(shù)

    摘要 本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動(dòng)
    發(fā)表于 06-11 10:07

    45W單壓單C氮化電源方案概述

    45W單壓單C氮化電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化
    的頭像 發(fā)表于 06-04 16:56 ?616次閱讀

    全電壓!PD 20W氮化電源方案認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B

    全電壓!PD20W氮化電源方案認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B上次給大家介紹了20W氮化
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:41 ?234次閱讀
    全電壓!PD 20<b class='flag-5'>W</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>電源</b>方案認(rèn)證款:U8722BAS+U7612B

    ST 意法半導(dǎo)體65W GaN變換為注重成本的應(yīng)用提供節(jié)省空間的電源方案

    和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器,最大輸出功率可達(dá)65W,輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。這款準(zhǔn)諧振離線變換集成一個(gè)700V GaN (氮化
    發(fā)表于 05-19 14:03 ?0次下載

    65W全壓氮化快充芯片U8766介紹

    65W氮化快充設(shè)計(jì)中,輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作,保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出,并避免因輸入異常導(dǎo)致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓
    的頭像 發(fā)表于 05-08 16:30 ?484次閱讀

    氮化電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W

    氮化電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化
    的頭像 發(fā)表于 04-10 16:30 ?371次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>電源</b>芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率<b class='flag-5'>65W</b>

    ST 65W GaN變換VIPerGaN65D 低成本節(jié)省空間的電源方案

    )快速充電器,最大輸出功率可達(dá)65W,輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準(zhǔn)諧振離線變換集成一個(gè)700V GaN氮化)晶體管和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:01 ?605次閱讀
    ST <b class='flag-5'>65W</b> <b class='flag-5'>GaN</b>變換<b class='flag-5'>器</b>VIPerGaN<b class='flag-5'>65</b>D 低成本節(jié)省空間的<b class='flag-5'>電源</b>方案

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、
    發(fā)表于 03-31 14:26

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 16:33 ?2323次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>系統(tǒng) (<b class='flag-5'>GaN</b> Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    什么是氮化GaN)充電頭?氮化充電頭是一種采用氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?1108次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    GAN041-650WSB氮化(GaN)FET規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-13 14:24 ?0次下載
    <b class='flag-5'>GAN</b>041-650WSB<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)FET規(guī)格書

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化GaN)”,這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化
    發(fā)表于 01-15 16:41

    65w氮化充電器2c1a方案| 過認(rèn)證、低成本!

    驪微電子65w氮化充電器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片NDP1460PQB和PD協(xié)議芯片XPD737+XPD767套片組合,2
    的頭像 發(fā)表于 11-01 17:06 ?854次閱讀
    <b class='flag-5'>65w</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>充電器2<b class='flag-5'>c1</b>a方案| 過認(rèn)證、低成本!

    碳化硅 (SiC) 與氮化GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

    SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?1399次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (<b class='flag-5'>GaN</b>)應(yīng)用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導(dǎo)熱絕緣片

    氮化GaN)技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場潛力

    近年來,氮化(GaN)技術(shù)以其在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的顯著優(yōu)勢,迅速成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能源等新興領(lǐng)域的推動(dòng)下,氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:55 ?1109次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場潛力