（電子發(fā)燒友網(wǎng)報道 文/黃晶晶）作為開年的消費電子產(chǎn)品風向標，2024年CES展如期而至。在此次展會上，不少存儲廠商帶來了新產(chǎn)品，電子發(fā)燒友網(wǎng)整理部分廠商的展示訊息，可以看到這些廠商已積極布局在AI、存儲主控芯片和嵌入式存儲、SSD等方面，在一定程度上預示著存儲行業(yè)接下來的動向。

支撐AI的存儲

此次展會上，SK海力士展示未來AI基礎(chǔ)設(shè)施中最為關(guān)鍵的超高性能存儲器技術(shù)實力。

我們知道SK海力士在行業(yè)里面率先發(fā)力HBM產(chǎn)品，并收獲頗豐。為了鞏固自身在這一領(lǐng)域的市場地位，最近SK海力士制定了新的發(fā)展戰(zhàn)略，計劃到2030年將HBM出貨量提升至每年1億顆。為此，SK海力士計劃在未來幾年內(nèi)加大對HBM生產(chǎn)線建設(shè)的投入，擴大產(chǎn)能，以滿足市場需求。

同時，SK海力士不斷研發(fā)新技術(shù)，提升HBM產(chǎn)品的性能和品質(zhì)。加強與全球知名廠商的合作，加大在全球市場的拓展力度，特別是在中國、北美和歐洲等高性能計算需求較大的地區(qū)。

SK海力士展示的HBM3E，該產(chǎn)品是現(xiàn)有最高性能的存儲器。HBM3E達到了業(yè)界最高1.18TB/秒的數(shù)據(jù)處理速度，滿足了人工智能市場快速處理海量數(shù)據(jù)的需求。相較于上一代HBM3產(chǎn)品，HBM3E的速度提升了1.3倍，數(shù)據(jù)容量擴大了1.4倍，該產(chǎn)品還采用了Advanced MR-MUF2最新技術(shù)，散熱性能提升了10%。對于運行人工智能解決方案的用戶而言，HBM3E將有助于充分發(fā)揮其系統(tǒng)的全部潛能。

圖源：SK海力士

公司計劃從今年上半年開始量產(chǎn)HBM3E產(chǎn)品并提供給AI領(lǐng)域的大型科技公司。

圖源：SK海力士

SK海力士還展示“新一代接口的CXL2內(nèi)存”、“基于CXL運算功能整合而成的存儲器解決方案CMS（Computational Memory Solution）試制品”、“基于PIM（Processing-In-Memory）半導體的低成本、高效率生成型AI加速器卡AiMX3”等。

圖源：SK海力士

其中，AiMX（Accelerator-in-Memory based Accelerator）采用SK海力士的首款PIM產(chǎn)品GDDR6-AiM芯片，專用于大規(guī)模語言模型（Large Language Model）的加速器卡試制品。

SK海力士計劃在今年下半年將基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0內(nèi)存解決方案產(chǎn)品商用化并提供給AI領(lǐng)域的客戶。此外，消息稱SK海力士已確認2024年將啟動下一代HBM4的開發(fā)工作。

談到AI，不僅是GPU搭配HBM進行AI訓練，AI服務器也需要系統(tǒng)的存儲能力得到提升。在此次CES展上，作為國內(nèi)少數(shù)可同時研發(fā)并量產(chǎn)企業(yè)級RDIMM和SSD的廠商之一，江波龍旗下行業(yè)類存儲品牌FORESEE推出了DDR5 RDIMM與PCIe SSD的產(chǎn)品組合方案，以匹配AI服務器領(lǐng)域大帶寬、低延遲的主要需求，該方案也可作為HBM需求的有益補充，目前已成功量產(chǎn)。

圖：FORESEE產(chǎn)品全家福 來源：江波龍

最近在手機端支持AI大模型應用的旗艦手機密集發(fā)布，那么有了端側(cè)SoC算力的助力，也需要更高速的DRAM和NAND Flash的存力來支持，如最新的UFS 4.0和LPDDR5。以DRAM舉例，智能手機運行130億參數(shù)大模型至少需要配備16GB內(nèi)存。江波龍預計2024年推出LPDDR5產(chǎn)品以匹配手機廠商更高的存儲需求，并持續(xù)以嵌入式分離存儲和嵌入式復合存儲等豐富產(chǎn)品組合為智能終端市場提供多元化選擇。

閃存：UFS 4.0與PCIe 5.0

鎧俠重點展示其廣泛的固態(tài)硬盤 (SSD) 和內(nèi)存解決方案產(chǎn)品組合，包括專為即將到來的 IT 需求而設(shè)計的新產(chǎn)品、外形尺寸和標準。

具體包括可擴展的鎧俠 BiCS FLASH 3D 閃存技術(shù)解決方案 - 包括 XL-FLASH 和QLC技術(shù)；適用于汽車應用的閃存解決方案-包括 UFS 4.0，可支持市場不斷變化的汽車需求；廣泛的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心 SSD 系列-代表最新的標準、技術(shù)和外形規(guī)格；KIOXIA 客戶端 SSD -包括 KIOXIA XG8 和 BG6 系列 NVMe SSD。

群聯(lián)電子于CES 2024 推出PCIe 5.0 DRAM-Less Client SSD 控制芯片PS5031-E31T，這是全球首款采用7nm制程的PCIe 5.0 DRAM-Less 4CH client SSD 控制芯片。

在目前3600MT/s 的NAND世代下，E31T SSD 效能可達到10.8GB/ s，最高容量可達8TB；待4800MT/s 的新世代NAND 發(fā)布后，E31T SSD的極速將提升至14GB/s，推升PCIe 5.0 DRAM-Less SSD 效能至全新的境界。

嵌入式存儲

康盈半導體首次亮相2024 美國 CES展，展示了最新的存儲技術(shù)和B端、C端全系列存儲產(chǎn)品：嵌入式存儲芯片、移動存儲卡、內(nèi)存條、固態(tài)硬盤、移動固態(tài)硬盤5大系列產(chǎn)品，涵蓋eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、Memory Card、內(nèi)存條等，所涉及存儲產(chǎn)品品類齊全。廣泛應用于智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)通信、工控設(shè)備、車載電子、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域。

康盈半導體本次亮相CES2024，現(xiàn)場B端嵌入式存儲品類齊全，應用場景豐富；C端多款明星產(chǎn)品設(shè)計出彩，絢彩奪目，吸引海外經(jīng)銷商、分銷商、消費者等觀眾紛紛駐足，據(jù)了解，康盈半導體B端產(chǎn)品和C端存儲產(chǎn)品一亮相即收獲了行業(yè)客戶和消費者的高度認可和喜愛，諸多客戶在現(xiàn)場就通過線上商城直接下單！

事實上，國內(nèi)存儲產(chǎn)品不僅在消費電子越做越精細，在工業(yè)、汽車等領(lǐng)域也獲得更多國內(nèi)客戶的認可，當然這還遠遠不夠，走向海外將是更多存儲廠商的選擇，也讓世界見證中國存儲的力量。