肖特基二極管（Schottky BarrierDiode SBD），也稱肖特基勢(shì)壘二極管，與PN結(jié)二極管相比具有更低的正向壓降和更快的開關(guān)速度。

肖特基二極管的基本原理是：在金屬（如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅片）的接觸面上，利用形成的肖特基結(jié)構(gòu)來阻擋反向電壓。

肖特基結(jié)構(gòu)與PN結(jié)的整流原理存在根本性差異。

肖特基二極管的耐壓能力較低，通常在40-150V左右，但其主要優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度非?？?，反向恢復(fù)時(shí)間極短。因此，它可以用于制作開關(guān)二極管和低壓大電流整流二極管。

肖特基二極管的金屬層除了鎢材料外，還可以使用金、鉬、鎳、鈦等材料。半導(dǎo)體材料包括硅或砷化鎵。這種器件主要依靠多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以其反向飽和電流比依靠少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)要大得多。

肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)主要有以下幾個(gè)方面：

低功耗：肖特基二極管的正向壓降較小，導(dǎo)通電阻也較小，因此能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗的整流和開關(guān)操作。

高溫穩(wěn)定性：肖特基二極管具有較高的熱穩(wěn)定性。

然而，肖特基二極管也存在一些缺點(diǎn)：

反向漏電流大：肖特基二極管的反向漏電流較大，需要采取相應(yīng)的措施進(jìn)行抑制。

存儲(chǔ)效應(yīng)：肖特基二極管存在存儲(chǔ)效應(yīng)，即在關(guān)斷狀態(tài)下，反向電流會(huì)逐漸增加。這會(huì)影響電路的穩(wěn)定性和可靠性。