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RZ/T RZ/N系列原理圖設(shè)計注意事項

瑞薩MCU小百科 ? 來源:瑞薩MCU小百科 ? 作者:瑞薩MCU小百科 ? 2024-01-15 12:15 ? 次閱讀
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電源

上下電時序方案:

1PMIC(DAS9061/DA9080)

2GPARK(SLG46582)

3GPARK(SLG46582)

二復(fù)位電路

芯片有2個復(fù)位信號

RES復(fù)位除了仿真電路以外的LSI外設(shè),所以仿真器的復(fù)位需要連到此信號。

TRST復(fù)位TAP(Test Access Port),仿真器復(fù)位管腳不能連到此處,否則不能仿真,不用此管腳時,可通過一個下拉電阻接地,或和RES接相同的信號,注意不能懸空。

仿真器端有2個復(fù)位信號:

nSRST系統(tǒng)復(fù)位,一定要接,可通過調(diào)試器復(fù)位系統(tǒng),方便調(diào)試。

nTRSTTAP復(fù)位,可不接。

接線圖參考如下:

4c33737c-b35b-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

三并口

只用一個SDRAM時,只能用CS3,CS2不能單獨(dú)用。

四網(wǎng)絡(luò)周邊

ECAT:推薦使用MII接口,小地址IN,大地址OUT,址需要連續(xù),地址0一般不用。

1YT8512注意

LED1、PHYAD[1]、ETHn_LINK,3個信號在同一個管腳復(fù)用,所以需要做以下操作:

①LED的狀態(tài)需要保持在穩(wěn)定狀態(tài),即不能做成閃爍狀態(tài)。

PHY寄存器改成0x30,收發(fā)包時,LED亮,down時,LED滅

LEDO對應(yīng)的寄存器為ext Reg0x40C0;(上電默認(rèn)值為0x0311)

LED1對應(yīng)的寄存器為ext Reg0x40C2;(上電默認(rèn)值為0x0320)

向這兩個寄存器賦不同值,則LED做相應(yīng)的狀態(tài)顯示,典型幾種配置如下:

ext Reg0x40C0/0x40C3 配置值

動作行為

0x0311

link在10M時,LED亮;link在10M且收發(fā)包,LED閃

0x0320

link在100M時,LED亮;link在100M且收發(fā)包,LED閃

0x30

link或收發(fā)包時,LED亮;link down時滅

0x1300

收發(fā)包時閃爍;不收發(fā)包即滅

②YT8512的LED內(nèi)部有自動檢測外部上下拉狀態(tài)的判斷LED有效的功能,要對應(yīng)判斷MPU的link的極性,否則網(wǎng)絡(luò)會反復(fù)link-up,link-down。

PHY的PHYAD[1]地址如果為1,則LED1外部為上拉,LED1信號為低時,燈亮。此時需要配置MPU的link檢測狀態(tài)的極性PHYLNK.CATLNK為低,即檢測到低電平,判斷為link,LED亮。

PHY的PHYAD[1]地址如果為0,則LED1外部為下拉,LED1信號為高時,燈亮。此時需要配置MPU的link檢測狀態(tài)的極性PHYLNK.CATLNK為高,即檢測到高電平,判斷為link,LED亮。

YT8512有兩個LED管腳輸出,分別是pin24-LED0,pin24-LED1。兩管腳內(nèi)部都有弱下拉電阻。

除了當(dāng)作LED輸出管腳外,它們在Power on Strapping階段,還當(dāng)作PHY地址配置管腳用,所以有時這兩個管腳外部會有強(qiáng)上拉或強(qiáng)下拉(4.7k)。

LED管腳輸出極性(即高有效還是低有效)與其管腳上所接的上拉電阻還是下拉電阻有關(guān)。(有外部上下拉電阻,則以外部為準(zhǔn),無外部上下拉電阻,則依賴內(nèi)部默認(rèn)上下拉電阻)

有上拉電阻,則為低有效(即需要外界LED燈的陰極);有下拉電阻,則為高有效(外界LED燈的陽極)

4c4348ec-b35b-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

a 上拉、sink模式

4c5609be-b35b-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

b 下拉、source模式

2硬件設(shè)計

①PHY和RJ45連接器之間的變壓器是必須的,有些RJ45集成了變壓器的功能,可以簡化電路

②從MAC接收參考時鐘或輸出參考時鐘到MAC,如果將參考時鐘輸出到MAC,25MHz晶體/時鐘源應(yīng)連接到PHY

③發(fā)射機(jī)時鐘頻率的總偏差由IEEE 802.3u規(guī)定為±100PPM(首選為±50PPM)

④檢查MDIO是否需要一個外部上拉電阻

⑤考慮在信號源附近增加串聯(lián)終端電阻以減少信號線上的反射

3PCB走線

①RMII/MII的阻抗為50歐姆±10%,大多數(shù)布線的正常標(biāo)準(zhǔn)。

②所有MII/RMII信號線(數(shù)據(jù)線、時鐘線和其他)在單層上布線,并具有精確的長度匹

數(shù)據(jù)線和時鐘線的跡長偏差應(yīng)在10mm以內(nèi)

應(yīng)避免通孔

③MII/RMII信號的路徑應(yīng)該盡可能的直,且越短越好。否則,軌跡彎曲不應(yīng)超過45度。

④時鐘信號走線硬盡可能短,特殊情況需要較長布線時,要可被地線屏蔽。

⑤在信號層下面或上面放置一個地面層,以便MII/RMII信號的返回電流隨時返回

五DSMIF

由于MPU是master,CLK信號是master發(fā)送,DATA是從器件反饋回來。如果走線過長,一來一回,此時回來的DATA和MPU發(fā)送的CLK相比,可能會有相位差,導(dǎo)致數(shù)據(jù)錯位,所以常規(guī)做法是通過另外一根的時鐘信號線拿過來時鐘信號。

六始終

1盡量使用有源晶振,EXTAL連接到VSS,XTAL保持開路。

4c5d7d84-b35b-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

2使用無源晶振,晶振和電容盡可能靠近EXTAL和XTAL引腳,晶體的PCB周圍最好用GND包起來,用于屏蔽的GND走線寬度應(yīng)不小于0.3 mm,與相鄰走線之間應(yīng)保持0.3 mm ~ 2.0 mm的距離。

4c678176-b35b-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

4c6eaae6-b35b-11ee-8b88-92fbcf53809c.jpg

七M(jìn)DV管腳

MDV0~MDV2對應(yīng)ETH0~ETH2,根據(jù)實(shí)際的PHY芯片選擇對應(yīng)的1.8V還是3.3V。

MDV1和ESC_LEDRUN,MDV2和ESC_LEDERR管腳復(fù)用:

如果MDV需要接到上拉,不做特殊處理的話,上電瞬間ESC模塊沒起來的時候,LEDRUN和LEDERR可能會亮,直到ESC模塊控制此2個管腳,則可按正常狀態(tài)點(diǎn)亮,為避免此種情況,可以按以下硬件方式處理。

4c81cd24-b35b-11ee-8b88-92fbcf53809c.png

MDV3~MDV4對應(yīng)XSPI0,XSPI1,根據(jù)外部配置的存儲芯片類型確定。

MDD管腳為常低電平。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:RZ/T RZ/N系列原理圖審核注意點(diǎn)

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