1 月 25 日訊息顯示，英特爾已實現(xiàn)基于先進封裝科技的大規(guī)模量產，包括創(chuàng)新的 Foveros 3D 封裝技術。這項技術，由英特爾于新墨西哥州 fab 9 工廠進行深度革新與升級后正式投產后披露。英特爾公司首席運營官 Keyvan Esfarjani 稱：“這類尖端封裝技術使英特爾脫穎而出，助益客戶在提升芯片性能、縮小尺寸以及增強設計靈活性等方面掌握競爭優(yōu)勢。”

眾所周知，整個半導體領域正邁進一個同時整合多個‘芯粒’（Chiplets，也被稱為‘小芯片’）在同一封裝中的多元時代。基于此，英特爾的 Foveros 及新型 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）等高級封裝解決方案被譽為能將一萬億個晶體管融于單一封裝之內，且有望在2030年后助力延續(xù)摩爾定律。

具體來講，F(xiàn)overos 3D先進封裝技術在處理器制造過程中，能以垂直角度替代傳統(tǒng)的水平堆疊計算模塊。更重要的是，F(xiàn)overos賦予了英特爾及其合作伙伴將各類芯片混合在一起，從而達到優(yōu)化成本和能源效率的目的。

英特爾甚至透露，預計至2025年，旗下Foveros3D封裝產能將有四倍增長。