2024年預計島內外半導體業(yè)景氣將可擺脫2023年衰退的態(tài)勢，而在年初之際，部分產品尚處于庫存調整的尾聲，預計此些類別的景氣要到2024年下半年才可望明顯反彈，但目前可確定記憶體包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash將成為2024年首波復蘇的半導體產品，特別是2023年第四季DRAM價格相對持穩(wěn)，2024年漲價的焦點也將從NAND Flash擴散DRAM，例如DDR4、DDR5等；也就是當前記憶體市場已逐部擺脫周期底部的階段，且隨著供需關系獲得改善，產品報價也開始筑底向上。

特別是記憶體占全球半導體業(yè)達20％，可視為半導體業(yè)風向標，在其景氣回溫釋放一定復蘇信號，加上AI商機及其他科技商機催化消費電子新需求，顯見2024年記憶體市況的基本面將逐步改善；甚至中期來看，生成式AI市場迅速擴張，更可望帶動對于內含記憶體含量與價值的成長空間，長期來說，我國記憶體廠隨著商業(yè)務多元化布局、產品結構持續(xù)升級，仍可望扮演全球市場中少數(shù)的關鍵。

廠商減產、需求擴大，漲價有底氣

以DRAM來說，雖然2023年年末時序正值歐美假期，DRAM交易動能趨于平淡，但因庫存水位已明顯降低，且客戶端的備料及買賣意愿增加，以及市場對于記憶體業(yè)2024年的共識為價格將持續(xù)上漲，故現(xiàn)貨端仍有零星購貨，部分料號價格小幅上漲，況且國際DRAM制造大廠對于供給端的釋出相對謹慎，仍處于減產的階段，故根據TrendForce集邦科技的預測資料可知，2024年第一季MobileDRAM季漲幅有望達18～23％，甚至不排除在寡頭市場格局或是品牌客戶恐慌追價的情況下，進一步墊高漲幅。

整體而言，有鑒于2023年以來迄今島內外DRAM大廠相繼減產終于讓芯片價格止跌，甚至又有來自于AI商機及先進電腦運算需求持續(xù)擴大，更增加業(yè)者醞釀漲價的底氣，故三星（Samsung）及美光（Micron）已規(guī)劃在2024年第一季將DRAM芯片價格調漲15～20％，顯然DRAM廠商持續(xù)藉由調整產線配置并擴大先進制程比重來維護獲利，因此市場普遍認為2024年第一季各大廠仍將繼續(xù)嚴格控制DRAM產能，進而激勵價格回升。

以NAND Flash而言，2024年第一季NAND Flash（eMMC/UFS）季漲幅有機會介于18％～23％，主要是隨著供需結構已經過一番調整，加上行業(yè)庫存落底，以及原廠減產效應作用，也由于智慧手機對于NAND Flash需求有所支撐，故全球該項記憶體的價格將延續(xù)先前2023年下半年的漲勢。值得留意的是，為了維持該項產業(yè)的正向發(fā)展，國際大廠透過價格上漲來達成獲利改善，將是各家NAND制造業(yè)者不得不采取的策略，寧愿短期先放下市占率的搶奪，顯然逐步推高價格將勢在必行。

AI熱潮帶動HBM商機大爆發(fā)

事實上，觀察此波記憶體市場的商機，可尤其關注AI所帶來高頻寬記憶體（HBM）產品的成長潛力，畢竟儲存能力已成AI芯片性能升級的核心瓶頸，特別是HBM作為基于3D堆疊技術的高性能DRAM，等同打破記憶體頻寬及功耗瓶頸，顯然GPU性能的提升將不斷推動HBM技術升級，在此情況下，全球HBM市場規(guī)模將有機會從2023年的15億美元增至2030年的576億美元，等同此段時間的年復合成長率將達到68.3％。而有鑒于HBM量價齊升的商機浮現(xiàn)，全球三大DRAM廠商積極擴產，其中SK Hynix將于2024年擴產2倍，并導入10奈米技術，而三星、美光緊隨其后，同樣宣布大規(guī)模擴產，況且三大廠商也將積極讓HBM2進化到HBM3e、HBM4等，借此讓HBM產品可持續(xù)升級來成為AI芯片算力提升的關鍵。

至于島內記憶體廠商，受惠于此波全球記憶體價格回升的大環(huán)境，加上臺廠也在技術持續(xù)推進，例如南亞科自主開發(fā)DRAM10奈米制程將進入第二世代，預計2024年第二季開始驗證DDR4、DDR5產品，同時公司也持續(xù)設計LP DDR4跟LP DDR5產品，此將使得2024年島內記憶體業(yè)者營運績效將優(yōu)于2023年。

審核編輯：劉清