4.規(guī)?；前雽?dǎo)體行業(yè)的最大游戲。所有領(lǐng)先技術(shù)都是由規(guī)?；?qū)動的。如果無法在晶體管級別上進(jìn)行技術(shù)或架構(gòu)的規(guī)?；瑹o法提高產(chǎn)品的計算性能或存儲性能。

5.DRAM的規(guī)?；譃閍lpha、beta、gamma和X、Y、Z，而閃存存儲則是以3D方向的層數(shù)計算規(guī)模。無論是哪種存儲方式，規(guī)模化都是一個通用的特性。

6.規(guī)?；浅：馁Y，但它是最有價值的增值活動。如果想要從成本和時間的角度來看待它，我們也可以這樣做。

7.能效是半導(dǎo)體行業(yè)的第二個最重要的標(biāo)準(zhǔn)或增值活動。例如，最新的iPhone模型中，生態(tài)足跡的2/3來自于其中包含的各種硅片的半導(dǎo)體制造。

8.半導(dǎo)體制造的價值鏈，其主要價值活動是技術(shù)的規(guī)?；湍苄У奶岣?，這決定了產(chǎn)品的性能。其他方面則是附加值。在iPhone等設(shè)備中，約2/3的生命周期生態(tài)足跡來自于其中的半導(dǎo)體制造。

iPhone包含多個不同的芯片組，僅在制造過程中就產(chǎn)生了大部分的碳足跡，這已經(jīng)占據(jù)了整個使用壽命中的碳足跡的三分之二。因此，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著巨大的壓力，要減少生態(tài)足跡。現(xiàn)在半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的所有方面都將重點轉(zhuǎn)向綠色制造。這可以通過使用更綠色的材料、回收和重復(fù)利用、使用替代化學(xué)品等方式來實現(xiàn)。產(chǎn)品公司、買家和汽車制造商都在尋求更環(huán)保的半導(dǎo)體產(chǎn)品和供應(yīng)鏈。這些只是綠色制造的一些策略。此外，半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展也將推動規(guī)?；a(chǎn)。目前，極紫外激光是制造最先進(jìn)的邏輯、計算或存儲芯片的領(lǐng)先技術(shù)。這種設(shè)備非常昂貴且復(fù)雜。每個設(shè)備可能有10萬個部件。

1.iPhone包含多個不同的芯片組，如果僅從制造過程中產(chǎn)生的碳足跡來看，這已經(jīng)占據(jù)了整個使用壽命中的碳足跡的三分之二。

2.半導(dǎo)體行業(yè)面臨著巨大的壓力，要減少生態(tài)足跡?，F(xiàn)在半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的所有方面都將重點轉(zhuǎn)向綠色制造。

3.綠色制造可以通過使用更綠色的材料、回收和重復(fù)利用、使用替代化學(xué)品等方式來實現(xiàn)。

4.綠色制造是一種增值的活動，因為它可以降低生命周期的碳足跡，對產(chǎn)品公司、買家和汽車制造商都有吸引力。

5.半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展將推動規(guī)?；a(chǎn)。目前，極紫外激光是制造最先進(jìn)的邏輯、計算或存儲芯片的領(lǐng)先技術(shù)。

6.極紫外激光可以通過使用不同類型的材料來創(chuàng)建光的偏差，從而在硅表面上形成非常細(xì)小的線條或特征。目前使用的極紫外激光的波長大約為13.5納米。

7.制造極紫外激光設(shè)備的成本非常昂貴，每個設(shè)備可能有10萬個部件，價格在250萬至300萬美元之間。

8.半導(dǎo)體制造過程中使用的材料通常是腐蝕性、致癌性的化學(xué)品，不同地區(qū)有不同的環(huán)境健康安全要求。目前的解決方案是通過提高過程效率、回收和重復(fù)利用和使用替代化學(xué)品來減少排放。

在討論半導(dǎo)體制造過程中，除了光刻之外，還有哪些競爭技術(shù)和價值鏈中的其他技術(shù)。光刻中使用的光刻膠不是由SML制造的，而是從亞洲其他公司采購的。而且，這種材料的供應(yīng)非常受限。除了光刻膠，還有其他輔助光刻材料，可以促進(jìn)7納米技術(shù)以下的極端縮放。此外，化學(xué)機械拋光系統(tǒng)也是半導(dǎo)體制造過程中非常重要的過程，它們確保了光刻膠的成功。CMP工具是從各種設(shè)備供應(yīng)商那里獲得的。多種CMP工藝和CMP漿料也與技術(shù)代數(shù)相關(guān)。由于引入了新材料，也引入了新的CMP漿料材料。在半導(dǎo)體和晶片的制造中，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價權(quán)。

1.光刻中使用的光刻膠是光刻工具中使用的材料。這種材料不是由SML制造的，而是從亞洲其他公司采購的。此外，除了光刻膠之外，還有其他輔助光刻材料，可以促進(jìn)7納米技術(shù)以下的極端縮放。總的來說，光刻膠是一個非常關(guān)鍵的高附加值領(lǐng)域。此外，EUV光刻膠的價格飛漲，價格權(quán)力也在那里。

2.化學(xué)機械拋光系統(tǒng)也是半導(dǎo)體制造過程中非常重要的過程，它們確保了光刻膠的成功。這些CMP工具來自各種設(shè)備供應(yīng)商，并且也有多個技術(shù)代數(shù)。CMP工具的成功在于旋轉(zhuǎn)器、墊子和CMP漿料。因此，有特定的旋轉(zhuǎn)器和墊子，這與在汽車車輛上進(jìn)行緩沖（例如使用一些聚合物等）非常相似。因此，您可以用旋轉(zhuǎn)器和墊子以非常高的速度與晶片接觸，并試圖使整個晶片在納米級和強度級上保持一致性，從而使視場在整個晶片上是均勻的。

3.每個技術(shù)代數(shù)都有多個涂覆工藝，每個涂覆工藝都有不同的涂覆漿料。因此，CMP漿料與輔助光刻材料一樣重要。有一些特定的公司可以生產(chǎn)這些CMP漿料。在半導(dǎo)體技術(shù)制造的縮放過程中，引入了新的材料和新的CMP漿料材料。因此，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價權(quán)。

4.CMP漿料和光刻膠都受到供應(yīng)限制。目前，有很少的公司可以生產(chǎn)這些材料，因此這些材料的供應(yīng)非常脆弱。此外，由于引入了新材料，也引入了新的CMP漿料材料。因此，在半導(dǎo)體和晶片的制造中，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價權(quán)。

5.EUV光刻膠的價格飛漲，價格權(quán)力也在那里。在半導(dǎo)體和晶片的制造中，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價權(quán)。

6.CMP漿料和光刻膠在半導(dǎo)體技術(shù)制造的縮放過程中非常重要。CMP漿料和光刻膠都受到供應(yīng)限制。目前，有很少的公司可以生產(chǎn)這些材料，因此這些材料的供應(yīng)非常脆弱。在半導(dǎo)體和晶片的制造中，CMP漿料領(lǐng)域也有很多整合和定價權(quán)。

7.在制造半導(dǎo)體的過程中，除了光刻之外，還有其他競爭技術(shù)。這些技術(shù)包括化學(xué)機械拋光系統(tǒng)等。

8.制造半導(dǎo)體的過程包括1,200個過程步驟。在從10納米到7納米、5納米到4納米的過渡中，必須進(jìn)行多個獨特的創(chuàng)新。新材料和新金屬的引入可以獲得更強的容量和IMC抵抗力。在半導(dǎo)體技術(shù)制造的縮放過程中，引入了新的材料和新的CMP漿料材料。因此，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，有許多競爭的創(chuàng)新領(lǐng)域。

半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中邏輯、存儲、模擬和計算等不同芯片類型的創(chuàng)新方向和復(fù)雜性不同。雖然有共性，例如光刻在邏輯和存儲中都是重要的價值增值環(huán)節(jié)，但它們也有各自獨特的創(chuàng)新方向。以DRAM和NAND閃存為例，DRAM的創(chuàng)新方向是在同一硅表面積上提高密度，以減少刷新次數(shù)，需要新材料、新制造工藝和先進(jìn)設(shè)備的結(jié)合。而NAND閃存的增長潛力更大，特別是在3D NAND的情況下。同時，真空環(huán)境和流體壓力管理系統(tǒng)在邏輯、計算和存儲領(lǐng)域中都非常重要，但這一領(lǐng)域非常分散。

1.半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的邏輯、存儲、模擬和計算等不同芯片類型的創(chuàng)新方向和復(fù)雜性不同。它們各自有不同的創(chuàng)新方向和復(fù)雜性障礙，例如光刻是邏輯和存儲中的共同價值增值環(huán)節(jié)，但它們也有各自獨特的創(chuàng)新方向。

2.盡管有共性，例如光刻在邏輯和存儲中都是重要的價值增值環(huán)節(jié)，但它們也有各自獨特的創(chuàng)新方向。

3.DRAM的創(chuàng)新方向是在同一硅表面積上提高密度，以減少刷新次數(shù)，需要新材料、新制造工藝和先進(jìn)設(shè)備的結(jié)合。

4.DRAM存儲的工作原理是基于每個單元電容器上的電荷，電荷會有不可避免的泄漏。因此，需要更多的電荷來延長數(shù)據(jù)在DRAM存儲器中的存儲時間，從而需要更少的刷新次數(shù)。

5.DRAM制造需要改進(jìn)的方面包括新材料和金屬、新制造工藝以及來自設(shè)備供應(yīng)商的先進(jìn)設(shè)備。

6.在目前情況下，NAND閃存的增長潛力更大，特別是在3D NAND的情況下，但這也存在一些問題。

7.真空環(huán)境和流體壓力管理系統(tǒng)在邏輯、計算和存儲領(lǐng)域中都非常重要，但這一領(lǐng)域非常分散。

8.隨著技術(shù)節(jié)點的進(jìn)步，真空環(huán)境和流體壓力管理系統(tǒng)需要滿足更嚴(yán)格的要求，因為晶體管變得越來越小，它們之間的距離也越來越近，因此需要更高的精度。

半導(dǎo)體技術(shù)的擴展需要更好的真空條件和清潔設(shè)備。在工藝芯片或半工藝芯片表面可能會有外來材料，它們可能會在相鄰的門、電容器或晶體管之間造成電短路，從而破壞整個芯片。隨著間距的縮小和殺傷力較小的外來材料粒度的縮小，需要更好的真空可靠性設(shè)備和材料。供應(yīng)商開發(fā)計劃可以使制造商與硬件供應(yīng)商合作，共享路線圖和需求，以便將要求提前到達(dá)。從硅片清洗設(shè)備到通信芯片的集成，半導(dǎo)體通信領(lǐng)域有很大的創(chuàng)新空間。

1.如果有任何可能附著在工藝芯片或半工藝芯片表面的外來材料，它們可能會在相鄰的門、電容器或晶體管之間造成電短路，從而破壞整個芯片。

2.隨著間距的縮小和殺傷力較小的外來材料粒度的縮小，需要更好的真空可靠性設(shè)備和材料。

3.供應(yīng)商開發(fā)計劃可以使制造商與硬件供應(yīng)商合作，共享路線圖和需求，以便將要求提前到達(dá)。

4.硅片清洗設(shè)備是半導(dǎo)體技術(shù)的擴展中的重要組成部分。SCREEN、Lam Research和KLA是該領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商之一。

5.在清洗步驟中使用特定的化學(xué)物質(zhì)，稱為濕化學(xué)。Entegris、Onto Innovation和Brewer Science等廠商提供這些材料。

6.通信芯片是半導(dǎo)體技術(shù)中的創(chuàng)新領(lǐng)域。由于CPU或SoC的驅(qū)動，這些通信設(shè)備采用最新的技術(shù)代數(shù)。集成多個芯片的封裝技術(shù)是當(dāng)前集成創(chuàng)新的重點。

7.當(dāng)前集成戰(zhàn)爭在所有維度和基板上進(jìn)行。3.5D和2.5D架構(gòu)允許集成多個芯片，例如計算芯片與多個塊的內(nèi)存芯片組合，或多個邏輯芯片沿各種不同的方向連接。英特爾擁有ODI平臺，該平臺具有全向互連，不僅在垂直方向上，而且在所有維度上連接多個芯片。

8.從硅片清洗設(shè)備到通信芯片的集成，半導(dǎo)體通信領(lǐng)域有很大的創(chuàng)新空間。在CPU和SoC的驅(qū)動下，這些通信設(shè)備采用最新的技術(shù)代數(shù)。集成多個芯片的封裝技術(shù)是當(dāng)前集成創(chuàng)新的重點。

先進(jìn)封裝創(chuàng)新正在推動通信領(lǐng)域創(chuàng)新并提供領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)品。各種要求涉及材料、設(shè)備和工藝要求，例如異構(gòu)集成需要來自Nan Ya、各種PCB和ABF供應(yīng)商的特定襯底材料，以及各種局部硅互連和分散制造站點。多個不同的芯片在不同的技術(shù)世代的不同站點生產(chǎn)，然后組合在一起形成一個封裝。具體技術(shù)推動著這種創(chuàng)新，例如混合鍵合技術(shù)。各種芯片制造商、設(shè)備供應(yīng)商、組裝、測試和封裝材料供應(yīng)商都在共同努力，以啟用混合鍵合，以便提供領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)品。

1.先進(jìn)封裝創(chuàng)新正在推動通信領(lǐng)域創(chuàng)新并提供領(lǐng)導(dǎo)產(chǎn)品。它提高了清潔、檢查和所有段的價值，例如更高真空要求的縮放。

2.異構(gòu)集成需要多種材料、設(shè)備和工藝要求。例如，需要來自Nan Ya、各種PCB和ABF供應(yīng)商的特定襯底材料，以及各種局部硅互連和分散制造站點。

3.多個不同的芯片在不同的技術(shù)世代的不同站點生產(chǎn)，然后組合在一起形成一個封裝。

4.先進(jìn)封裝創(chuàng)新的驅(qū)動技術(shù)之一是混合鍵合技術(shù)。

5.混合鍵合技術(shù)是需要晶圓制造的領(lǐng)域之一。因此，晶圓制造商、晶圓設(shè)備供應(yīng)商、組裝、測試和封裝設(shè)備供應(yīng)商以及組裝、測試和封裝材料供應(yīng)商都在共同努力，以啟用混合鍵合。

6.多家公司在異構(gòu)集成中押注混合鍵合技術(shù)，其中包括Intel、TSMC、三星等。

7.從應(yīng)用的角度來看，混合鍵合技術(shù)在汽車、客戶端和服務(wù)器等領(lǐng)域有最大影響。

8.例如，對于混合鍵合技術(shù)，需要進(jìn)行盡職調(diào)查。其中一家領(lǐng)先公司是Besi，另一家是Applied Materials。從供應(yīng)鏈角度來看，涉及的公司有Intel、TSMC、三星等。

汽車行業(yè)的自動化和電氣化路線圖是由半導(dǎo)體產(chǎn)品的能效、面積、成本和交貨時間驅(qū)動的。從級別一到級別二或從級別二到級別三的自動駕駛跳躍取決于ADAS、信息娛樂、連通性和激光雷達(dá)等系統(tǒng)級半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展。從硅到各種化合物半導(dǎo)體的電氣化方向，如碳化硅和氮化鎵，可以提高車載和離線充電的效率和速度。在半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)行系統(tǒng)級優(yōu)化，從而提高能源效率。邏輯、存儲器和模擬器件是三種主要的芯片類型，需要在這三種類型上進(jìn)行創(chuàng)新，才能生產(chǎn)出領(lǐng)先的、領(lǐng)導(dǎo)型的產(chǎn)品。

1.汽車行業(yè)的自動化和電氣化路線圖是由半導(dǎo)體產(chǎn)品的能效、面積、成本和交貨時間驅(qū)動的。這些路線圖包括不同級別的自動駕駛和電氣化，如級別一、二、三和四自動駕駛，以及不同電氣化級別的產(chǎn)品。

2.半導(dǎo)體產(chǎn)品對汽車行業(yè)發(fā)展有很大的影響。汽車行業(yè)的自動化和電氣化路線圖是由半導(dǎo)體產(chǎn)品的能效、面積、成本和交貨時間驅(qū)動的。從級別一到級別二或從級別二到級別三的自動駕駛跳躍取決于ADAS、信息娛樂、連通性和激光雷達(dá)等系統(tǒng)級半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展。

3.從硅到各種化合物半導(dǎo)體的電氣化方向，如碳化硅和氮化鎵，可以提高車載和離線充電的效率和速度。這些化合物半導(dǎo)體可以增加功率電子、PIC和更快的充電效率，從而提高給定電池的效率。半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)行系統(tǒng)級優(yōu)化，從而提高能源效率。

4.邏輯、存儲器和模擬器件是三種主要的芯片類型。需要在這三種類型上進(jìn)行創(chuàng)新，才能生產(chǎn)出領(lǐng)先的、領(lǐng)導(dǎo)型的產(chǎn)品。除此之外，還有離散型和光電子器件、傳感器融合等其他類型的芯片。

5.半導(dǎo)體產(chǎn)品在汽車行業(yè)的自動化和電氣化方向的發(fā)展中發(fā)揮著重要的作用。例如，從級別一到級別二或從級別二到級別三的自動駕駛跳躍取決于ADAS、信息娛樂、連通性和激光雷達(dá)等系統(tǒng)級半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展。

6.從硅到各種化合物半導(dǎo)體的電氣化方向，如碳化硅和氮化鎵，可以提高車載和離線充電的效率和速度。這些化合物半導(dǎo)體可以增加功率電子、PIC和更快的充電效率，從而提高給定電池的效率。半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，可以進(jìn)行系統(tǒng)級優(yōu)化，從而提高能源效率。

7.邏輯、存儲器和模擬器件是三種主要的芯片類型。需要在這三種類型上進(jìn)行創(chuàng)新，才能生產(chǎn)出領(lǐng)先的、領(lǐng)導(dǎo)型的產(chǎn)品。并且，這些芯片類型可以分別使用，也可以組合使用，以產(chǎn)生更高級別的產(chǎn)品。

8.半導(dǎo)體產(chǎn)品的創(chuàng)新對汽車行業(yè)的自動化和電氣化方向的發(fā)展有很大的影響。邏輯、存儲器和模擬器件是三種主要的芯片類型，需要在這三種類型上進(jìn)行創(chuàng)新，才能生產(chǎn)出領(lǐng)先的、領(lǐng)導(dǎo)型的產(chǎn)品。此外，還有離散型和光電子器件、傳感器融合等其他類型的芯片。整個汽車行業(yè)的自動化和電氣化路線圖是由半導(dǎo)體產(chǎn)品的能效、面積、成本和交貨時間驅(qū)動的。

審核編輯：黃飛