近期，武漢新芯成功申報(bào)了三項(xiàng)備案計(jì)劃，包括高帶寬存儲(chǔ)器用多晶圓三維集成技術(shù)研究及其產(chǎn)業(yè)化、C2W混合鍵合技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)線建立以及高容值密度深溝槽電容制造流程技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目。

首先，高帶寬存儲(chǔ)器用多晶圓三維集成技術(shù)研究及其產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目旨在構(gòu)建多晶圓堆疊技術(shù)生產(chǎn)線，引進(jìn)16臺(tái)生產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)每月至少3000片（12英寸）產(chǎn)量。

其次，C2W混合鍵合技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)線建立項(xiàng)目借助三維集成芯粒與晶圓混合鍵合（C2W）工藝平臺(tái)，提高芯片自由度和性能，改善良品率。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目將帶來(lái)月產(chǎn)3000片（12英寸）的產(chǎn)出能力，同時(shí)還需增加約27臺(tái)研發(fā)和生產(chǎn)設(shè)備。

最后，高容值密度深溝槽電容制造工藝技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目通過(guò)使用深溝槽光刻術(shù)、刻蝕術(shù)、高介電常數(shù)介質(zhì)沉積和多層重布線等技術(shù)，打造高電容密度、低漏電流、高擊穿電壓且在不同頻率和電壓條件下保持穩(wěn)定電容值的深溝槽電容顆粒。預(yù)計(jì)這個(gè)項(xiàng)目將推動(dòng)我國(guó)深溝槽電容芯片自給自足，其中研發(fā)和生產(chǎn)設(shè)備將增加約14臺(tái)，最終實(shí)現(xiàn)每月產(chǎn)能1000片12英寸晶圓。

值得注意的是，武漢新芯在2月29日發(fā)生多項(xiàng)工商變更。前股東長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司撤出，取而代之的是中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)投資基金（有限合伙）、中銀金融資產(chǎn)投資有限公司、建信金融資產(chǎn)投資有限公司以及農(nóng)業(yè)銀行金融資產(chǎn)投資有限公司等新的投資者。其注冊(cè)資本規(guī)模也由約57.82億人民幣上升至約84.79億人民幣，增幅超過(guò)46.64%。同時(shí)，公司高層管理團(tuán)隊(duì)也換血。