一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中國碳化硅襯底價(jià)格驟降,外資企業(yè)仍主導(dǎo)市場(chǎng)

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-06 15:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)悉,中國碳化硅(SiC)襯底價(jià)格近期大幅下滑,本國供應(yīng)商間激烈的競(jìng)爭(zhēng)使該趨勢(shì)預(yù)計(jì)將持續(xù)到2024年底。此降價(jià)趨勢(shì)源自國際半導(dǎo)體IDM等大型廠商的訂購需求無法滿足國內(nèi)供應(yīng)商生產(chǎn)能力。

盡管部分中國企業(yè)計(jì)劃加大本土供應(yīng)鏈采購力度以降低成本,然而考慮到安全性和可靠性問題,一些電動(dòng)汽車制造商可能不會(huì)完全依賴或提高本土供應(yīng)份額,從而使得實(shí)際自給率未如之前宣揚(yáng)的那般理想。

值得注意的是,西方主要的碳化硅供應(yīng)商如意法半導(dǎo)體英飛凌、安森美、羅姆電子等均享有廣大中國市場(chǎng)份額,并成為包括外國及中國合資汽車品牌在內(nèi)各大汽車制造商的首選供應(yīng)商。

盡管中國本土供應(yīng)商近日將一線產(chǎn)品的售價(jià)下調(diào)了約30%,但全球其他地區(qū)的價(jià)格尚且平穩(wěn)。以主流6英寸碳化硅襯底為例,國際供應(yīng)商報(bào)價(jià)大約在750至800美元;相較之下中國制造商的售價(jià)原本較低約5%,如今差距已拉大至約30%。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電動(dòng)汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    156

    文章

    12420

    瀏覽量

    234569
  • 供應(yīng)鏈
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1713

    瀏覽量

    39982
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3064

    瀏覽量

    50450
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?60次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    超薄碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

    超薄碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:49 ?120次閱讀
    超薄<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>切割自動(dòng)對(duì)刀精度提升策略

    切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    引言 在碳化硅襯底加工過程中,切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系,并進(jìn)行工藝優(yōu)化,對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:03 ?243次閱讀
    切割進(jìn)給量與<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)路徑。國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)創(chuàng)立初期采用
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?339次閱讀

    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

    )的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場(chǎng),其物理氣相傳輸法(PVT)生長技術(shù)及6英寸襯底工藝
    的頭像 發(fā)表于 03-05 07:27 ?573次閱讀
    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>崛起的發(fā)展啟示

    環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

    近日,環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國臺(tái)灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?534次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?851次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW(翹曲度)和 WARP(彎曲度)是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù),準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:30 ?286次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的特氟龍夾具相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    不同的碳化硅襯底的吸附方案,對(duì)測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,碳化硅(SiC)襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料,正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言,其 BOW(彎曲度)和 WARP(翹曲度)參數(shù)猶如精密天平上
    的頭像 發(fā)表于 01-14 10:23 ?400次閱讀
    不同的<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的吸附方案,對(duì)測(cè)量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

    在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著碳化硅(SiC)材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角,成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇,對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中,
    的頭像 發(fā)表于 01-13 14:36 ?394次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>的環(huán)吸方案相比其他吸附方案,對(duì)于測(cè)量<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> BOW/WARP 的影響

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    優(yōu)化濕法腐蝕后碳化硅襯底TTV管控

    一、濕法腐蝕在碳化硅襯底加工中的作用與挑戰(zhàn) 濕法腐蝕是碳化硅襯底加工中不可或缺的一步,主要用于去除表面損傷層、調(diào)整表面形貌、提高表面光潔度等。然而,濕法腐蝕過程中,由于腐蝕液的選擇、腐
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:54 ?469次閱讀
    優(yōu)化濕法腐蝕后<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV管控

    用于切割碳化硅襯底TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    一、碳化硅襯底TTV控制的重要性 碳化硅襯底的TTV是指襯底表面各點(diǎn)厚度最高點(diǎn)與最低點(diǎn)之間的差值。TTV的大小直接影響后續(xù)研磨、拋光工序的效
    的頭像 發(fā)表于 12-26 09:51 ?465次閱讀
    用于切割<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)

    碳化硅襯底修邊處理后,碳化硅襯底TTV變化管控

    一、碳化硅襯底修邊處理的作用與挑戰(zhàn) 修邊處理是碳化硅襯底加工中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,主要用于去除襯底邊緣的毛刺、裂紋和不規(guī)則部分,以提高
    的頭像 發(fā)表于 12-23 16:56 ?487次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>修邊處理后,<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>TTV變化管控

    碳化硅襯底,進(jìn)化到12英寸!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地,進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓
    的頭像 發(fā)表于 11-21 00:01 ?4119次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>,進(jìn)化到12英寸!