在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。

據(jù)了解，與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌新一代的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V Generation 2技術(shù)在保持卓越質(zhì)量和可靠性的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了主要性能指標(biāo)的大幅提升。具體而言，該技術(shù)在能量和電荷儲(chǔ)量等關(guān)鍵指標(biāo)上提高了20%，從而顯著提升了整體能效。這一提升不僅有助于減少能源浪費(fèi)，還為實(shí)現(xiàn)更為環(huán)保、高效的能源利用提供了堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。

英飛凌新一代CoolSiC? MOSFET G2技術(shù)充分利用了碳化硅材料的優(yōu)異性能，通過降低能量損耗來優(yōu)化功率轉(zhuǎn)換過程。這一技術(shù)革新在光伏、儲(chǔ)能、直流電動(dòng)汽車充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源等功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。它將幫助這些領(lǐng)域的客戶實(shí)現(xiàn)更高的能效，進(jìn)而推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的低碳化進(jìn)程。

行業(yè)專家表示，英飛凌新一代碳化硅MOSFET技術(shù)的推出，是電力電子領(lǐng)域的一次重大突破。它不僅提升了功率系統(tǒng)的性能，還為實(shí)現(xiàn)更加環(huán)保、高效的能源利用提供了技術(shù)支持。隨著這一技術(shù)的廣泛應(yīng)用，未來電力電子領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀鼮閺V闊的發(fā)展空間。

作為電力電子領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌一直致力于推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。此次新一代碳化硅MOSFET技術(shù)的推出，再次展現(xiàn)了英飛凌在電力電子領(lǐng)域的強(qiáng)大研發(fā)實(shí)力和創(chuàng)新能力。未來，英飛凌將繼續(xù)致力于研發(fā)更加先進(jìn)、高效的電力電子技術(shù)，為推動(dòng)全球能源轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。