IGBT（Insulated-gate bipolar transistor）是一種高性能功率開關器件，廣泛應用于電力變換和控制領域。它是一種結合了易于控制的MOSFET和低開啟壓降的GTO（Gate-Turn-Off）晶閘管的器件。在正常情況下，IGBT的啟動最低電壓通常為數(shù)伏。

IGBT的工作原理是將控制信號作用于柵電極，從而在集電極和發(fā)射極之間形成導通通道。當柵電極和發(fā)射極之間的電壓為正，柵電極下方的N型極區(qū)就會形成一個N溝道，該通道連接到集電極，使之導通。當柵電極和發(fā)射極之間的電壓為負，柵電極下方的N型極區(qū)則會受到電子注入的影響變?yōu)镻溝道，阻止電流流動，并使得IGBT處于關斷狀態(tài)。因此，IGBT的導通和關斷狀態(tài)由柵電極和發(fā)射極之間的電壓控制。

在IGBT啟動的過程中，需要一個特定的電壓來使之從關斷狀態(tài)切換到導通狀態(tài)。對于大多數(shù)IGBT器件而言，啟動電壓通常在2到10伏之間。啟動時，需要提供一個足夠大的電壓來克服內部PN結的屏蔽效應，將N型極區(qū)向集電極注入電子，使其形成導通通道。啟動電壓的大小決定了IGBT是否可靠地啟動，以及在工作期間是否能夠正常導通。

此外，IGBT的啟動電壓還受到其他因素的影響，例如溫度、封裝類型、應用場景等。通常情況下，較高的溫度會導致導通特性的改變，從而需要更高的啟動電壓。而不同的封裝類型和應用場景也可能對啟動電壓產(chǎn)生影響，因此在實際應用中需要進行適當?shù)臏y試和調整。

總結起來，IGBT的啟動最低電壓通常在2到10伏之間。這個范圍是基于大多數(shù)IGBT器件的一般情況。然而，具體的啟動電壓仍然受到多種因素的影響，在實際應用中需要根據(jù)具體情況進行測試和調整。