一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

淺析MOS管發(fā)熱的五大關(guān)鍵技術(shù)

電源聯(lián)盟 ? 來(lái)源:電源聯(lián)盟 ? 2024-03-19 10:46 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOS管發(fā)熱五大關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)分析

電源設(shè)計(jì),或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路,難免要用到場(chǎng)效應(yīng)管,也就是人們常說(shuō)的MOS管。MOS管有很多種類(lèi),也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用,當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。接下來(lái)我們來(lái)了解MOS管發(fā)熱五大關(guān)鍵技術(shù)。

1、芯片發(fā)熱

本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變,那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。再簡(jiǎn)單一點(diǎn),就是考慮更好的散熱吧。

2、功率管發(fā)熱

關(guān)于這個(gè)問(wèn)題,也見(jiàn)到過(guò)有人在電源網(wǎng)論壇發(fā)過(guò)貼。功率管的功耗分成兩部分,開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意,大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,開(kāi)關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開(kāi)關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān),所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決:

A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來(lái)選擇MOS功率管,因?yàn)閮?nèi)阻越小,cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,差別太大了,選擇功率管時(shí),夠用就可以了。

B、剩下的就是頻率和芯片驅(qū)動(dòng)能力了,這里只談?lì)l率的影響。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比,所以功率管發(fā)熱時(shí),首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。想辦法降低頻率吧!不過(guò)要注意,當(dāng)頻率降低時(shí),為了得到相同的負(fù)載能力,峰值電流必然要變大或者電感也變大,這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。如果電感飽和電流夠大,可以考慮將CCM(連續(xù)電流模式)改變成DCM(非連續(xù)電流模式),這樣就需要增加一個(gè)負(fù)載電容了。

3、工作頻率降頻

這個(gè)也是用戶(hù)在調(diào)試過(guò)程中比較常見(jiàn)的現(xiàn)象,降頻主要由兩個(gè)方面導(dǎo)致。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。對(duì)于前者,注意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高,雖然負(fù)載電壓高,效率會(huì)高點(diǎn)。對(duì)于后者,可以嘗試以下幾個(gè)方面:

a、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn);

b、布線干凈點(diǎn),特別是sense這個(gè)關(guān)鍵路徑;

c、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感;

d、加RC低通濾波吧,這個(gè)影響有點(diǎn)不好,C的一致性不好,偏差有點(diǎn)大,不過(guò)對(duì)于照明來(lái)說(shuō)應(yīng)該夠了。無(wú)論如何降頻沒(méi)有好處,只有壞處,所以一定要解決。

4、電感或者變壓器的選擇

終于談到重點(diǎn)了,我還沒(méi)有入門(mén),只能瞎說(shuō)點(diǎn)飽和的影響了。很多用戶(hù)反應(yīng),相同的驅(qū)動(dòng)電路,用a生產(chǎn)的電感沒(méi)有問(wèn)題,用b生產(chǎn)的電感電流就變小了。遇到這種情況,要看看電感電流波形。有的工程師沒(méi)有注意到這個(gè)現(xiàn)象,直接調(diào)節(jié)sense電阻或者工作頻率達(dá)到需要的電流,這樣做可能會(huì)嚴(yán)重影響LED的使用壽命。

所以說(shuō),在設(shè)計(jì)前,合理的計(jì)算是必須的,如果理論計(jì)算的參數(shù)和調(diào)試參數(shù)差的有點(diǎn)遠(yuǎn),要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。變壓器飽和時(shí),L會(huì)變小,導(dǎo)致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升,那么LED的峰值電流也跟著增加。在平均電流不變的前提下,只能看著光衰了。

5、LED電流大小

大家都知道LEDripple過(guò)大的話,LED壽命會(huì)受到影響,影響有多大,也沒(méi)見(jiàn)過(guò)哪個(gè)專(zhuān)家說(shuō)過(guò)。以前問(wèn)過(guò)LED廠這個(gè)數(shù)據(jù),他們說(shuō)30%以?xún)?nèi)都可以接受,不過(guò)后來(lái)沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證。建議還是盡量控制小點(diǎn)。如果散熱解決的不好的話,LED一定要降額使用。也希望有專(zhuān)家能給個(gè)具體指標(biāo),要不然影響LED的推廣。



審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 變壓器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    162

    文章

    7790

    瀏覽量

    139461
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    109

    文章

    2626

    瀏覽量

    70789
  • 低通濾波器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    496

    瀏覽量

    48241
  • 負(fù)載電容
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    145

    瀏覽量

    10819
  • 電源調(diào)制器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    6

    瀏覽量

    5835

原文標(biāo)題:MOS管發(fā)熱五大關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)分析

文章出處:【微信號(hào):Power-union,微信公眾號(hào):電源聯(lián)盟】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    淺析CDMA關(guān)鍵技術(shù)

    淺析CDMA關(guān)鍵技術(shù) CDMA關(guān)鍵技術(shù)是3G的基礎(chǔ)。本文從多址技術(shù)、RAKE接收機(jī)、多用戶(hù)檢測(cè)、功率控制、軟容量、軟切換、地址碼的選擇、
    發(fā)表于 08-27 23:20 ?5668次閱讀

    MOS發(fā)熱五大關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)分析

    驅(qū)動(dòng)的使用,當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。接下來(lái)我們來(lái)了解MOS發(fā)熱五大關(guān)鍵技術(shù)。1、芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如
    發(fā)表于 12-16 15:53

    智能穿戴產(chǎn)業(yè)的五大關(guān)鍵技術(shù)

    個(gè)過(guò)程中,有五大關(guān)鍵技術(shù)將決定著智能穿戴產(chǎn)業(yè)發(fā)展的進(jìn)程和方向。一、人機(jī)交互技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,當(dāng)人成為“萬(wàn)物”控制的中心時(shí),人“機(jī)”之間的“溝通”方式也將隨即發(fā)生變化。著眼于直接、便捷的交互相求,一種
    發(fā)表于 05-09 06:20

    5G的8大關(guān)鍵技術(shù)

    5G在核心網(wǎng)部分不會(huì)有太大的變動(dòng),5G的關(guān)鍵技術(shù)集中在無(wú)線部分。雖然5G最終將采用何種技術(shù),目前還沒(méi)有定論。不過(guò),綜合各大高端論壇討論的焦點(diǎn),我今天收集了8大關(guān)鍵技術(shù)。當(dāng)然,應(yīng)該遠(yuǎn)不止這些。
    發(fā)表于 07-10 06:10

    推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的十大關(guān)鍵技術(shù)

    業(yè)界為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)邁出了重要步驟,為2018年有可能成為物聯(lián)網(wǎng)真正起飛的一年鋪平了道路。以下是去年推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的十大關(guān)鍵技術(shù)。
    發(fā)表于 10-23 10:02

    LED日光燈電源設(shè)計(jì)中芯片發(fā)熱五大關(guān)鍵技術(shù)的分析

    1、芯片發(fā)熱 本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS
    發(fā)表于 10-13 15:42 ?10次下載

    ADI在線研討會(huì):精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的五大關(guān)鍵技術(shù)規(guī)格演示

    本研討會(huì)視頻介紹了精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的五大關(guān)鍵技術(shù)規(guī)格:分辨率與精度、總非調(diào)整誤差、輸出噪聲、緩沖以及最終動(dòng)態(tài)性能。本研討會(huì)將帶您深入了解DAC,及其技術(shù)規(guī)格會(huì)如何對(duì)系統(tǒng)級(jí)性能產(chǎn)生影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-01 15:49 ?3954次閱讀
    ADI在線研討會(huì):精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的<b class='flag-5'>五大關(guān)鍵技術(shù)</b>規(guī)格演示

    一文看懂LTE五大關(guān)鍵技術(shù)和日常維護(hù)

    本文首先介紹了LTE的概念及系統(tǒng)架構(gòu),其次介紹了LTE演進(jìn)目標(biāo)及五大關(guān)鍵技術(shù),最后介紹了華為DBS3900產(chǎn)品及DBS3900日常維護(hù)。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 09:09 ?4w次閱讀
    一文看懂LTE<b class='flag-5'>五大關(guān)鍵技術(shù)</b>和日常維護(hù)

    細(xì)談智能穿戴的五大關(guān)鍵技術(shù)

    在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,智能穿戴承載著人與“機(jī)”之間的“溝通”,并扮演著物聯(lián)網(wǎng)控制中心這樣一個(gè)角色。正如計(jì)算機(jī)與智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)在技術(shù)升級(jí)過(guò)程中,產(chǎn)品不斷迭代更新一樣,智能穿戴產(chǎn)品也進(jìn)入了快速迭代的過(guò)程。在這個(gè)過(guò)程中,有五大關(guān)鍵技術(shù)將決定著智能穿戴產(chǎn)業(yè)發(fā)展的進(jìn)程和方向。
    發(fā)表于 07-11 16:57 ?1w次閱讀

    智能工廠的五大關(guān)鍵領(lǐng)域及特征

    智能工廠代表了高度互聯(lián)和智能化的數(shù)字時(shí)代,工廠的智能化通過(guò)互聯(lián)互通、數(shù)字化、大數(shù)據(jù)、智能裝備與智能供應(yīng)鏈五大關(guān)鍵領(lǐng)域得以體現(xiàn)。
    發(fā)表于 10-16 08:35 ?2924次閱讀

    智能工廠五大關(guān)鍵領(lǐng)域及其特征體現(xiàn)

    智能工廠代表了高度互聯(lián)和智能化的數(shù)字時(shí)代,工廠的智能化通過(guò)互聯(lián)互通、數(shù)字化、大數(shù)據(jù)、智能裝備與智能供應(yīng)鏈五大關(guān)鍵領(lǐng)域得以體現(xiàn)。
    的頭像 發(fā)表于 10-08 10:47 ?5480次閱讀

    ADI在線研討會(huì):精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器的五大關(guān)鍵技術(shù)規(guī)格

    本研討會(huì)視頻介紹了精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的五大關(guān)鍵技術(shù)規(guī)格:分辨率與精度、總非調(diào)整誤差、輸出噪聲、緩沖以及最終動(dòng)態(tài)性能。本研討會(huì)將帶您深入了解DAC,及其技術(shù)規(guī)格會(huì)如何對(duì)系統(tǒng)級(jí)性能產(chǎn)生影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-20 06:19 ?3397次閱讀
    ADI在線研討會(huì):精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器的<b class='flag-5'>五大關(guān)鍵技術(shù)</b>規(guī)格

    虛擬現(xiàn)實(shí)有哪些關(guān)鍵技術(shù)_虛擬現(xiàn)實(shí)技術(shù)的分類(lèi)

    本文主要闡述了虛擬現(xiàn)實(shí)的五大關(guān)鍵技術(shù)及四大種類(lèi)。
    發(fā)表于 07-22 16:04 ?2.9w次閱讀

    成就更好5G的五大關(guān)鍵.zip

    成就更好5G的五大關(guān)鍵
    發(fā)表于 01-13 09:07 ?2次下載

    MOS發(fā)熱五大關(guān)鍵技術(shù)

    MOS作為一種常見(jiàn)的功率器件,在電子設(shè)備中起著重要作用。其中,MOS發(fā)熱問(wèn)題是設(shè)計(jì)過(guò)程中需要重點(diǎn)考慮的
    的頭像 發(fā)表于 03-19 13:28 ?1246次閱讀