AO4803AAO4803A雙P通道增強型場效應(yīng)晶體管MOS電源控制電路采用先進的溝道技術(shù),以低門電荷提供優(yōu)秀的RDS(開)。此設(shè)備適
發(fā)表于 05-19 17:59
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2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國際
發(fā)表于 05-19 16:08
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當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié),隧道穿透
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發(fā)表于 02-13 15:23
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隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
發(fā)表于 01-24 10:03
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-Effect Transisto
發(fā)表于 10-07 17:28
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在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時,需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細的選擇場效應(yīng)晶體管的指南,包括關(guān)鍵步驟、考慮因素以及具體的應(yīng)用建議。
發(fā)表于 09-23 18:18
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鐵電場效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù),其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。
發(fā)表于 09-13 14:14
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結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其特點在于通過改變外加電場來調(diào)制半導(dǎo)體溝道中的電流,從而實現(xiàn)
發(fā)表于 08-15 16:41
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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT,也稱雙極性結(jié)型
發(fā)表于 08-13 17:42
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場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等優(yōu)點,在電子技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 一
發(fā)表于 08-01 09:13
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