GaN芯片制造商英諾賽科計(jì)劃香港上市
近日，有消息透露，英諾賽科公司正籌備在今年內(nèi)赴香港進(jìn)行首次公開(kāi)募股（IPO），預(yù)計(jì)融資規(guī)模將達(dá)到約3億美元。
英諾賽科，這家成立于2015年12月的高新技術(shù)企業(yè)，專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司獨(dú)具匠心地采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，將芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析等關(guān)鍵環(huán)節(jié)融為一體。值得一提的是，英諾賽科已擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力，這一優(yōu)勢(shì)使其在行業(yè)內(nèi)脫穎而出。
此次IPO不僅標(biāo)志著英諾賽科在資本市場(chǎng)上邁出了重要一步，也預(yù)示著其將進(jìn)一步推動(dòng)硅基氮化鎵技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展注入新動(dòng)力。
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