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3月25日消息，據(jù)報道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨(dú)家供貨，SK海力士出局！

據(jù)了解，HBM需要在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱，英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預(yù)付款，供應(yīng)下一代HBM3E。

SK海力士和三星都在推進(jìn)12層堆疊HBM3E的開發(fā)，容量也將提升到36GB，其中需要解決一些器件特性和可靠性驗證問題。上個月三星宣布，已開發(fā)出業(yè)界首款12層堆疊HBM3E，提供了高達(dá)1280GB/s的帶寬，預(yù)計今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。

不過市場消息，SK海力士因部分工程問題，未能推出12層HBM3E產(chǎn)品，但計劃從本月末開始批量生產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品。

今年2月27日，三星電子官宣成功開發(fā)出業(yè)界首款36GB 12H（12層堆疊）HBM3E DRAM內(nèi)存。同時相比于8層堆疊，其AI訓(xùn)練速度平均提高34%，同時推理服務(wù)用戶數(shù)量也可增加超過11.5倍。

據(jù)報道，三星在技術(shù)上采用了最新的熱壓力傳導(dǎo)性膜（TC NCF）技術(shù)，成功維持了12層產(chǎn)品的高度與其前身8層HBM芯片保持一致，滿足了現(xiàn)有的HBM封裝要求。

三星電子存儲產(chǎn)品規(guī)劃執(zhí)行副總裁Yongcheol Bae表示，這種技術(shù)在未來會帶來更大的突破，尤其是在高層次堆疊方面，因為全球都在為此頭疼的薄晶圓翹曲問題提供解決之道。他強(qiáng)調(diào)，三星正在努力減少NCF材料的厚度，并且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今市場上最小的芯片間隙（7微米），如此一來就可以消除分層空隙，且新技術(shù)的進(jìn)步提高了垂直密度超過20％。

審核編輯 黃宇