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CSTIC 2024聚焦半導體技術(shù),紫光國芯展示SeDRAM突破存儲墻方案

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-27 10:53 ? 次閱讀
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2024年,備受矚目的集成電路科學技術(shù)大會(CSTIC 2024)在上海國際會議中心盛大召開。此次大會由SEMI和IEEE-EDS聯(lián)合主辦,吸引了眾多半導體技術(shù)領(lǐng)域的專家學者和企業(yè)代表。

在會議中,西安紫光國芯半導體股份有限公司副總裁左豐國發(fā)表了一場關(guān)于SeDRAM?技術(shù)的精彩演講。他詳細介紹了紫光國芯如何利用這一創(chuàng)新技術(shù),在芯片級別上突破了“存儲墻”的難題。

SeDRAM?技術(shù)憑借其獨特的堆疊嵌入式DRAM設(shè)計,能夠為算力芯片提供驚人的內(nèi)存訪問帶寬,高達每秒數(shù)十TB,同時保持高達數(shù)十GB的存儲容量。這一技術(shù)的核心在于利用異質(zhì)集成工藝,將DRAM存儲陣列晶圓和邏輯晶圓進行3D堆疊,實現(xiàn)金屬層的直接互連。與傳統(tǒng)HBM或DDR內(nèi)存方案相比,SeDRAM?技術(shù)省去了PHY-PHY互連結(jié)構(gòu),從而實現(xiàn)了超大帶寬、超低功耗和低延遲的數(shù)據(jù)互連。

此次演講不僅展示了紫光國芯在半導體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先實力,也為整個行業(yè)提供了全新的思考角度和解決方案。

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