4 月 19 日，韓國(guó) SK 海力士發(fā)布聲明，已與中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的臺(tái)積電簽署諒解備忘錄（MOU），共同推進(jìn)高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的下一代研發(fā)及封裝應(yīng)用。預(yù)計(jì)于 2026 年實(shí)現(xiàn) HBM4 的量產(chǎn)。

據(jù)協(xié)議內(nèi)容，雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎(chǔ)裸片（Base Die）性能。HBM 由多個(gè) DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片之上，再經(jīng)由 TSV 技術(shù)進(jìn)行垂直互連，基礎(chǔ)裸片同時(shí)連接到 GPU，其重要性不言而喻。

自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK 海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎(chǔ)裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯（Logic）工藝。

據(jù)悉，雙方將密切合作，探索利用臺(tái)積電的 CoWoS 技術(shù)封裝 SK 海力士的 HBM 產(chǎn)品，以期在性能和效率等方面更好地滿足客戶對(duì)定制化（Customized）HBM 產(chǎn)品的需求。

今年 2 月，SK 海力士提出“One Team”戰(zhàn)略，計(jì)劃借助臺(tái)積電構(gòu)建 AI 半導(dǎo)體聯(lián)盟，進(jìn)一步強(qiáng)化其在 HBM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

展望未來，AI 半導(dǎo)體將從 HBM 時(shí)代的 2.5D 封裝邁向 3D 堆疊邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片的新型高級(jí)封裝。存儲(chǔ)企業(yè)與芯片代工+高級(jí)封裝企業(yè)的深度合作有助于推動(dòng)相關(guān)研發(fā)進(jìn)程。